[理學]模電第5章(編輯修改稿)
2025-01-04 00:56 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 截止區(qū) 當 uGS＜ VT 時 ，導電溝道尚未形成， ID=0為截止工作狀態(tài) TGSDS Vuu ??2)1( ??TGSDOD VuIi)( TGSDS Vuu ??對于 N溝道增強型 MOS管電路的直流計算，應該區(qū)分： FET靜態(tài)分析 （ 2）結(jié)型場效應管分壓式自偏壓電路 SV??GSV GVDDg2g1g2 VRRR??RID?2)1(PGSD S SD VuIi ?? FET靜態(tài)分析 可變電阻區(qū) 飽和區(qū) 截止區(qū) 當 uGS＜ VP 時 ， ID=0，為截止工作狀態(tài) 2)1(PGSD S SD VuIi ??)( PGSDS Vuu ??對于 N溝道 JFET管電路的直流計算，應該區(qū)分： 0?GSuPV ﹤ PGS Vu ?DSu ﹥ 0?GSuPV ﹤ FET靜態(tài)分析 (二 )圖解法 由式 SDDD211SDGQGSRiVRR RRiUu?????可做出一條直線， 另外， iD 與 uGS 之間滿足轉(zhuǎn)移特性曲線的規(guī)律，二者之間交點為靜態(tài)工作點，確定 UGSQ， IDQ 。 MOS管分壓式 偏置電路 VDD + + ? T + RG S D G RD R2 RL RS R1 C1 CS C2 + + + iU?oU? FET靜態(tài)分析 SDDDRRV?根據(jù)漏極回路方程 在漏極特性曲線上做直流負載線 ， 與 uGS = UGSQ 的交點確定 Q， 由 Q 確定 UDSQ 和 IDQ值 。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ SGQRUUGQ FET靜態(tài)分析 場效應管的微變等效電路 G S D ),( DSGSD uufi ?DSDSDGSGSDD uuiuuii ???????????DSDSGSm urug ?? ????1GSDm uig??? 跨導 DDSDS iur??? 漏極輸出電阻 uGS iD uDS 1. FET小信號模型 FET放大電路的小信號模型分析法 很大， 可忽略。 場效應管的微變等效電路為： G S D uGS iD uDS S G D ugs gmugs uds S G D rDS ugs gmugs uds 一般 gm 約為 至 20 mS。 rDS 為幾百千歐的數(shù)量級 。 當 RD 比 rDS 小得多時 ， 可認為等效電路的 rDS 開路 。 FET小信號模型分析 FET放大電路的小信號模型分析法 1. FET小信號模型 （ 1）低頻模型 FET小信號模型分析 （ 2）高頻模型 2. 動態(tài)指標分析 （ 1）中頻小信號模型 FET小信號模型分析 2. 動態(tài)指標分析 （ 2）中頻電壓增益 （ 3）輸入電阻 （ 4）輸出電阻 忽略 rD ?iV? gsV? RVg gsm ?? )1( mgs RgV ?? ??oV? dgsm RVg ???mVA?RgRgmdm1 ??//ii RR ??由輸入輸出回路得 則 gii IVR????)]//([ g2g1g3 RRR ? )]//([)1( g2g1g3mgsgs RRRRgrr ?????通常 則 )//(g2g1g3i RRRR ??do RR ?Rgrr )1( mgsgs ???gsgsgsmgsgsgs )(rVRVgrVV???? ???
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