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正文內(nèi)容

[教育學(xué)]微電子教改班培養(yǎng)方案doc(編輯修改稿)

2025-06-19 07:13 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 和版圖設(shè)計(jì),專用集成電路的標(biāo)準(zhǔn)單元和宏單元設(shè)計(jì)方法。 3. 任選課: (1)課程編號(hào): MI3321031 課程名稱:硬件描述語言 (Hardware Description Language) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 36/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述硬件描述語言 Verilog HDL 和 VHDL 基礎(chǔ)知識(shí) ,包括 Verilog HDL 和 VHDL 語言要素、行為級(jí) 和 結(jié)構(gòu)級(jí)描述 、用硬件描述語言設(shè)計(jì)電路各個(gè) 層次 的 方法 等。 (2)課程編號(hào): MI4321032 課程名稱:集成電路 EDA 基礎(chǔ) (EDA Techniques of Integrated Circuits) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述 EDA 技術(shù)設(shè)計(jì)集成電路的重要環(huán)節(jié),包括邏輯模擬、電路模擬、 CMOS 工藝及設(shè)計(jì)規(guī)則,電路的版圖設(shè)計(jì), DRC, ERC, LVS,參數(shù)提取,后仿真 。 (3)課程編號(hào): MI3321036 課程名稱:半導(dǎo)體材 料與測(cè)試分析技術(shù) (Semiconductor Materials and Microscopy Techniques) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述半導(dǎo)體材料概述、化學(xué)制備、區(qū)熔提純、晶體生長、外延生長硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料的制備原理、工藝和性能以及電子束微觀分析方法、光子束和離子束微觀分析方法等材料和結(jié)構(gòu)的分析表征方法。 (4)課程編號(hào): MI4321037 課程名稱:半導(dǎo)體傳感器與 MEMS 技術(shù) (Semiconductor Sensors and MEMS Technology) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述半導(dǎo)體傳感器的基本結(jié)構(gòu)、信息獲取機(jī)理以及主要性能參數(shù)及其表征;講述微電子機(jī)械系統(tǒng)( MEMS)的基本概念、工作原理、設(shè)計(jì)制造技術(shù)、微傳感器和微執(zhí)行器的基本機(jī)械部件結(jié)構(gòu)以及典型微電子機(jī)械系統(tǒng)及其應(yīng)用領(lǐng) 域。 (5)課程編號(hào): MI3321038 課程名稱:化合物半導(dǎo)體器件 (Compound Semiconductor Devices) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容 簡介:講述化合物半導(dǎo)體物理基礎(chǔ),異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、異質(zhì)結(jié)量子器件、異質(zhì)結(jié)光電子器件等的基本結(jié)構(gòu)、原理、性能,異質(zhì)結(jié)集成電路和光電集成技術(shù)。 (6)課程編號(hào): MI3321039 課程名稱:半導(dǎo)體光電子器件 (Semiconductor Optoelectronic Devices) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述半導(dǎo)體發(fā)光器件、光電探測(cè)器件、電荷耦合器件和太陽電池的基本類型、結(jié)構(gòu)、工作機(jī)理、電學(xué)特性、參數(shù)表征及其應(yīng)用。 (7)課程編號(hào): MI4321041 課程名稱:功率集成電路( Power Integrated Circuits) 學(xué)時(shí) /周學(xué)時(shí): 30/2 學(xué)分: 2 內(nèi)容簡介:講述可集成功率器件的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性與應(yīng)用,功率集成電路的工藝制造技術(shù)、版圖設(shè)計(jì),高壓集成電路與 SMART 功率集成電路的設(shè)計(jì),使學(xué)生掌握可集成功率器件的特性與應(yīng)用,功率集成電路的工作原理和分析方法,功率集成電路的集成技術(shù)。 七、時(shí)間分配表: 在校期間四年共計(jì) 164教學(xué)周 [( 18+5+18) X4],具體安排見下表。 每年各教學(xué)環(huán) 節(jié)時(shí)間分配表(以周計(jì)) 學(xué) 年 理 論 教 學(xué) 實(shí)踐教學(xué)環(huán)節(jié) 法定 節(jié)假日 考 試 畢業(yè) 鑒定 假 期 合 計(jì) 金工 實(shí)習(xí) 生產(chǎn) 實(shí)習(xí) 電裝 實(shí)習(xí) 課程設(shè)計(jì) 畢業(yè) 設(shè)計(jì) 工程 設(shè)計(jì) 軍事 訓(xùn)練 一 3 3 11 52 二 2 3 11 52 三 1 1 3 11 52 四 2 4 16 1 2 5 46 總計(jì) 118 2 2 1 4 16 1 3 6 10 2 38 202 八、各教學(xué)環(huán)節(jié)的學(xué)時(shí)、學(xué)分分配表 四年各教學(xué)環(huán)節(jié)的學(xué)時(shí)、學(xué)分分配表 類 別 課內(nèi) 總學(xué)時(shí) 開出課程 總學(xué)分 應(yīng)修課程 總學(xué)分 應(yīng)修學(xué)分所占百分?jǐn)?shù) 占開出總學(xué)分 占畢業(yè)最低學(xué)分 理論課 必修 1850 100% % 限選 37 % % 任選 165 32 11 % % 實(shí)踐教學(xué) 26 周 24 24 100% % 專業(yè)教育 16 1 1 100% 形勢(shì)與政策 28 2 2 100% 軍事教育 30 +3 周 3 3 100% 大學(xué)生心理健康教育 16 1 1 100% 大學(xué)生職業(yè)發(fā)展與 就業(yè)指導(dǎo) 40 100% 人文素質(zhì)教育實(shí)踐活動(dòng) 3 3 課外學(xué)分 8 8 合計(jì) +29 周 229 185+ 畢業(yè)最低學(xué)分: 185 說明: =限選課應(yīng)修課程總學(xué)分 數(shù) ?15。 =任選課應(yīng)修課程總學(xué)分 15。 3.《專業(yè)教育》、《形勢(shì)與政策》、《軍事教育》、《大學(xué)生心理健康教育》、《大學(xué)生職業(yè)發(fā)展與就業(yè)指導(dǎo)》、《人文素質(zhì)教育實(shí)踐活動(dòng)》、《課外學(xué)分》等課程不記入學(xué)生畢業(yè)最低學(xué)分。 九、教學(xué)進(jìn)程計(jì)劃表 (一) 長學(xué)期教學(xué)進(jìn)程計(jì)劃表 微電子學(xué) 院教改班 長學(xué)期教學(xué)進(jìn)程計(jì)劃表 類 別 課程編號(hào) 課程名稱 學(xué) 時(shí) 分 配 學(xué) 分 考 核 方 式 各學(xué)期學(xué)分分配 應(yīng)修學(xué)分 講 課 實(shí) 驗(yàn) 上 機(jī) 多種 形式 合 計(jì) 一 二 三 四 五 六 七 八 必 修 課 IR1113001 思想道德修養(yǎng)與法律基礎(chǔ) 38 8 46 3 考查 3 124 HA1113001 中國近現(xiàn)代史綱要 30 30 2 考試 2 HA1113002 馬克思主義基本原理 46 46 3 考試 3 HA2113005 毛澤東思想和中國特色社會(huì)主義理論體系概論 60 30 90 6 考試 6 HA1112701/702 HA211270/3704 大學(xué)英語 讀寫 150 150 8 考試 2 2 2 2 HA1112705/706 HA2112707/708 大學(xué)英語
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