高二化學(xué)晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)專項(xiàng)訓(xùn)練單元達(dá)標(biāo)自檢題學(xué)能測(cè)試(編輯修改稿)
2025-04-05 04:57 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 CH3CH2CH(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3均為烷烴，結(jié)構(gòu)相似，相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間的作用力越強(qiáng)，沸點(diǎn)越高，其中(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3是同分異構(gòu)體，支鏈越多，分子間作用力越小，沸點(diǎn)越低，則CH3CHCH3CH2CH(CH3)2CHCHCH3CH2CH2CH3的沸點(diǎn)逐漸升高，與分子間作用力有關(guān)，故D正確；故答案為B。5．C【解析】【分析】【詳解】＋4價(jià)，而氮原子的最外層電子數(shù)是5，所以不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。BF3中B的化合價(jià)是＋3價(jià)，原子的最外層電子數(shù)是3個(gè)，所以不滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。其它原子均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，故A錯(cuò)誤；，每個(gè)CO2分子周圍有12個(gè)緊鄰的分子，故B錯(cuò)誤；，Na+的配位數(shù)為6，故C正確；，故D錯(cuò)誤。故答案選：C?！军c(diǎn)睛】金屬導(dǎo)電的實(shí)質(zhì)是自由電子在外電場(chǎng)作用下的定向移動(dòng)。6．D【解析】【分析】【詳解】，沸點(diǎn)最高。一般來(lái)說(shuō)，組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，則沸點(diǎn)：H2SeH2S，故A錯(cuò)誤；B. 一般來(lái)說(shuō)，組成與結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對(duì)分子質(zhì)量越大，熔點(diǎn)越高，則熔點(diǎn)Br2Cl2F2，故B錯(cuò)誤；C. CHSiHGeH4均為分子晶體，則沸點(diǎn)：GeH4SiH4CH4，故C錯(cuò)誤；，熔點(diǎn)越高，則熔點(diǎn)：LiNaK，故D正確；故答案選：D。7．C【解析】【分析】在離子晶體中，離子半徑越小，離子所帶電荷數(shù)越多，晶格能越大，則晶體的熔點(diǎn)越高。【詳解】ClBrI，則熔點(diǎn)NaFNaClNaBrNaI，故A正確；S2，S2比Cl所帶電荷多，離子半徑小，Cl比I離子半徑小，則熔點(diǎn)Na2ONa2SNaClNaI，故B正確；+的半徑大于Mg2+，則熔點(diǎn)CaC12MgCl2，故C錯(cuò)誤；D．離子半徑Mg2+Ca2+Sr2+Ba2+，則熔點(diǎn)MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3，故D正確；故答案選：C。8．D【解析】【分析】【詳解】，一定存在離子鍵，可能會(huì)含共價(jià)鍵，如氯化銨晶體中既有離子鍵又有共價(jià)鍵，A不正確。，因?yàn)樘荚影霃捷^大、電負(fù)性較小不具備形成氫鍵的條件，所以B不正確。、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比為1：1，所以C不正確。，氯化鈉是離子晶體，而冰和干冰都是分子晶體。比較不同類型晶體的熔點(diǎn)，一般原子晶體＞離子晶體＞分子晶體，冰和干冰都是分子晶體，可以根據(jù)常溫下水為液態(tài)，而二氧化碳為氣態(tài)判斷冰的熔點(diǎn)高于干冰，所以D正確。答案選D。9．sp3 直線形 8 【解析】【分析】Q為第四周期元素，位于ds區(qū)，且最外層電子半充滿，則Q為Cu元素。圖中給出了W、X、Y、Z四種元素的第一電離能的關(guān)系。根據(jù)第一電離能的變化規(guī)律，同周期元素從左到右逐漸增加，推斷W元素即為H元素。又因?yàn)?，第一電離能在ⅡA和ⅤA處出現(xiàn)反常規(guī)律，所以推斷X為N元素，Y為O，Z即為S元素?！驹斀狻?1)N與H組成的可作為火箭燃料的物質(zhì)即為N2H4。通過(guò)計(jì)算，N元素含有3個(gè)成鍵電子對(duì)以及一個(gè)孤電子對(duì)，所以雜化方式為sp3；(2)N2O俗稱笑氣可用做麻醉劑，其與CO2互為等電子體，所以空間構(gòu)型為直線形；(3)由Cu3N的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖可知，Cu位于晶胞的棱上，所以周圍最近的Cu在同面的棱上，共有8個(gè)；(4)Cu的晶胞粒子采用面心立方最密堆積，一個(gè)晶胞中含有Cu的個(gè)數(shù)=6+8=4個(gè)，晶胞邊長(zhǎng)a與Cu原子半徑r的關(guān)系為即a=,所以空間利用率==?！军c(diǎn)睛】第一電離能除了常規(guī)的變化規(guī)律外，最?？疾斓氖洽駻和ⅤA的反常變化規(guī)律。關(guān)于中心原子雜化方式的判斷，可通過(guò)計(jì)算價(jià)層電子對(duì)數(shù)，再利用價(jià)層電子對(duì)數(shù)=雜化軌道數(shù)進(jìn)行判斷。10．3d3 2:1 氮化鉻的離子所帶電荷數(shù)多，晶格能較大 NOS 正四面體 5:4 6 面心立方最密堆積 Fe4N 【解析】【分析】(1)基態(tài)Cr的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1；基態(tài)氮原子的核外電子排布式為1s22s22p3；(2)晶體結(jié)構(gòu)類型與氯化鈉相同，離子所帶電荷數(shù)越多，鍵能越大，晶格能越大，熔沸點(diǎn)越高；(3)同周期元素，第一電離能隨核電荷數(shù)增大而增大，同主族元素，第一電離能隨核電荷數(shù)增大而減小，當(dāng)元素最外層電子排布處于全滿、半滿、全空時(shí)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，第一電離能比相鄰元素高；根據(jù)雜化理論判斷空間構(gòu)型；(4)雙鍵中含有一個(gè)σ鍵合一個(gè)π鍵，三鍵中一個(gè)σ鍵和兩個(gè)π鍵，根據(jù)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式中元素最外層電子數(shù)和元素的鍵連方式判斷孤電子對(duì)數(shù)；配合物中與中心離子直接相連的配體的個(gè)數(shù)即為配位數(shù)；(5) ①根據(jù)圖示，頂點(diǎn)和面心位置為鐵原子；②根據(jù)圖示，一個(gè)晶胞中的原子個(gè)數(shù)用均攤法進(jìn)行計(jì)算；③根據(jù)ρ=推導(dǎo)計(jì)算晶胞棱長(zhǎng)，再根據(jù)正八面體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)計(jì)算體積?！驹斀狻?1)基態(tài)Cr的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1，有6個(gè)未成對(duì)的
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