【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大 H8Cu3Au 平面正三角形 CO32 硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點(diǎn)高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點(diǎn)比較低 c 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.（1）銅元素在周期表的位置是第四周期第ⅠB族。故答案為：第四周期第ⅠB族；（2）氨分子中有孤電子對(duì)，孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子對(duì)作用力大，NH3和[Cu(NH3)2]2+中HNH鍵角的大?。篘H3＜[Cu(NH3)2]2+，理由：因?yàn)镹H3提供孤對(duì)電子與Cu2+形成配位鍵后，NH成鍵電子對(duì)受到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大。故答案為：＜ ；因?yàn)镹H3提供孤對(duì)電子與Cu2+形成配位鍵后，NH成鍵電子對(duì)受到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大；（3）銅金合金是一種儲(chǔ)氫材料，晶胞參數(shù)anm，面心立方堆積，銅原子在晶胞的面心位置，金原子在晶胞的頂點(diǎn)位置。該晶胞中Au原子個(gè)數(shù)=8=1，Cu原子個(gè)數(shù)=6=3，所以該合金中Au原子與Cu原子個(gè)數(shù)之比=1：3，晶胞體積V=（a1010cm）3，每個(gè)晶胞中銅原子個(gè)數(shù)是Au原子個(gè)數(shù)是1，則ρ= gcm－3=gcm－3；晶胞中Cu原子處于面心，Au原子處于頂點(diǎn)位置，Au原子為3個(gè)面的頂點(diǎn)，晶胞中Au原子與面心Cu原子構(gòu)成8個(gè)四面體空隙，氫原子進(jìn)入到銅原子和金原子構(gòu)成的四面體的空隙中，該材料儲(chǔ)滿氫后的化學(xué)式為H8Cu3Au。故答案為：；H8Cu3Au；（4）根據(jù)如圖1，N原子最外層5個(gè)電子，其中2個(gè)電子與碳形成碳碳雙鍵，1個(gè)電子與碳形成單鍵，孤電子對(duì)進(jìn)入V的空軌道，形成配位鍵，在圖中畫出由釩離子形成的配合物中的配位鍵，如圖。故答案為：；Ⅱ.（5）NO3的中心原子價(jià)層電子對(duì)=3+=3，sp2雜化，立體構(gòu)型的名稱是平面正三角形，NO3的一種等電子體為CO3SO3等。故答案為：平面正三角形 ；CO32 ；（6）硫酸和硝酸都是常見(jiàn)的強(qiáng)酸，但性質(zhì)差異明顯，從氫鍵的角度解釋原因：硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點(diǎn)高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點(diǎn)比較低。故答案為：硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點(diǎn)高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點(diǎn)比較低；（7）由氫鍵的形成條件及成鍵元素（N、O、F、H）可知，本題中嵌入某微粒分別與4個(gè)N原子形成4個(gè)氫鍵，由成鍵元素及數(shù)目可知為NH4＋。故答案為：c。4．F解析：F＞O＞B 1s22s22p63s23p6或[Ar] 正四面體 sp3 ac 3 前三種為離子晶體，晶格能依次增大，后三種為分子晶體，分子間力依次增大 【解析】【分析】(1)氟代硼酸鉀中非金屬元素有F、O、B，元素的非金屬性越強(qiáng)，電負(fù)性越大；基態(tài)K+核外電子總數(shù)為18；(2)BH4的中心原子B原子孤電子對(duì)數(shù)==0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=0+4=0，微?？臻g構(gòu)型與VSEPR模型相同；Na+與BH4之間形成離子鍵，B原子有3個(gè)價(jià)電子，H有空軌道，而B(niǎo)H4中形成4個(gè)BH鍵，故BH4中含有1個(gè)配位鍵、3個(gè)σ鍵；(3)雙聚分子為Be2Cl4，Be原子價(jià)電子數(shù)為2，形成2個(gè)BeCl鍵，Be原子有空軌道、Cl原子有孤電子對(duì)，每個(gè)BeCl2分子中的1個(gè)Cl原子另外分子中Be原子之間形成1個(gè)配位鍵；(4)氟化物的熔點(diǎn)與晶體類型，離子晶體的熔點(diǎn)較高，分子晶體的熔點(diǎn)較低；離子半徑越小、電荷越大，晶格能越大，離子晶體的熔沸點(diǎn)越高。而相對(duì)分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強(qiáng)，分子晶體的熔沸點(diǎn)越高；(5)晶胞中白色球數(shù)目為黑色球數(shù)目為1+8+6+12=8，結(jié)合化學(xué)式可知，白色球代表Ca2+、黑色球代表F，Ca2+占據(jù)F形成的立方體的體心，晶胞中F形成8個(gè)小立方體，只有4個(gè)Ca2+占據(jù)；處于晶胞中F形成的小立方體體心的Ca2+與小立方體頂點(diǎn)F緊密相鄰，若r(F)=xpm，r(Ca2+)=ypm，則小立方體棱長(zhǎng)=pm，故晶胞棱長(zhǎng)=pm，計(jì)算晶胞中微?？傎|(zhì)量，即為晶胞質(zhì)量，晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積?！驹斀狻?1)氟代硼酸鉀中非金屬元素有F、O、B，非金屬性強(qiáng)弱順序?yàn)镕＞O＞B，電負(fù)性大小順序?yàn)镕＞O＞B；基態(tài)K+核外電子總數(shù)為18，則電子排布式為1s22s22p63s23p6或[Ar]；(2)BH4的中心原子B原子孤電子對(duì)數(shù)==0，價(jià)層電子對(duì)數(shù)=0+4=0，微?？臻g構(gòu)型與VSEPR模型相同為正四面體形，B原子采取sp3雜化；Na+與BH4之間形成離子鍵，B原子有3個(gè)價(jià)電子，H有空軌道，而B(niǎo)H4中形成4個(gè)BH鍵，故BH4中含有1個(gè)配位鍵、3個(gè)σ鍵，沒(méi)有氫鍵與π鍵，故答案為ac；(3)雙聚分子為Be2Cl4，Be原子價(jià)電子數(shù)為2，形成2個(gè)BeCl鍵，Be原子有空軌道、Cl原子有孤電子對(duì)，每個(gè)BeCl2分子中的1個(gè)Cl原子另外分子中Be原子之間形成1個(gè)配位鍵，BeCl2的結(jié)構(gòu)式為，其中Be的配位數(shù)為3；(4)NaF、MgF2和AlF3為離子晶體，晶格能依次增大，熔點(diǎn)依次升高，而SiFPF5和SF6為分子晶體，分子間力依次增大，熔點(diǎn)依次增大； (5)晶胞中白色球數(shù)目為黑色球數(shù)目為1+8+6+12=8，結(jié)合化學(xué)式可知，白色球代表Ca2+、黑色球代表F，Ca2+占據(jù)F形成的立方體的體心，晶胞中F形成8個(gè)小立方體，只有4個(gè)Ca2+占據(jù)，可知Ca2+占據(jù)F形成的空隙占有率為50%；處于晶胞中F形成的小立方體體心的Ca2+與小立方體頂點(diǎn)F緊密相鄰，若r(F)=xpm，r(Ca2+)=ypm，則小立方體棱長(zhǎng)=pm，故晶胞棱長(zhǎng)=pm，晶胞相當(dāng)于含有4個(gè)“CaF2”，晶胞質(zhì)量=4g，晶體密度g?cm3。【點(diǎn)睛】?jī)r(jià)層電子對(duì)互斥模型(簡(jiǎn)稱VSEPR模型)，根據(jù)價(jià)電子對(duì)互斥理論，價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù)．σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù)，孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(axb)，a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù)，x指配原子個(gè)數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù)；分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤對(duì)電子；實(shí)際空間構(gòu)型要去掉孤電子對(duì)，略去孤電子對(duì)就是該分子的空間構(gòu)型。5．A解析：1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1) N原子和B原子的半徑比硅原子小，BN鍵長(zhǎng)比SiSi短，鍵能BN＞SiSi鍵 sp2 B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道，而Si原子最外層為M層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6 H＞B＞Na D 正四面體 (，) 1010 【解析】【分析】【詳解】(1)Ga是31號(hào)元素，原子核外有31個(gè)電子，根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Ga原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p1，或簡(jiǎn)寫為[Ar]3d104s24p1；(2)氮化硼、晶體硅都是原子晶體，其硬度與原子半徑、鍵長(zhǎng)成反比。由于N原子和B原子的半徑比硅原子小，BN鍵長(zhǎng)比SiSi短，BN鍵的鍵能比SiSi鍵的鍵能大，所以氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性；(3)在BF3分子中B原子的價(jià)層電子對(duì)等于3，且沒(méi)有孤電子對(duì)，所以中心原子的雜化軌道類型是sp2雜化；B原子最外電子層為L(zhǎng)層，無(wú)d軌道，而Si原子最外層為M層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6；(4)NaBH4是離子化合物，Na+與BH4通過(guò)離子鍵結(jié)合，BH4中B與H通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合，所以NaBH4的電子式為：；在NaBH4中含有Na、B、H三種元素，由于元素的非金屬性越強(qiáng)，其電負(fù)性就越大，元素的非金屬性：H＞B＞Na，則元素的電負(fù)性：H＞B＞Na；(5)該晶胞中陰陽(yáng)離子之間存在離子鍵，B和O原子之間存在共價(jià)鍵和配位鍵，水分子之間存在分子間作用力(或范德華力)和氫鍵，所以該物質(zhì)中不含金屬鍵，故合理選項(xiàng)是D；(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知：晶胞中B原子處于晶胞頂點(diǎn)與面心上，B原子為面心立方最密堆積，晶胞中B、P原子個(gè)數(shù)比為1：1，P原子與周圍的4個(gè)B原子形成的是正四面體結(jié)構(gòu)，P原子處于正四面體的中心，根據(jù)圖示坐標(biāo)系可知N處的P原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，)；P原子與周圍的4個(gè)B原子最近且形成正四面體結(jié)構(gòu)，二者連線處于體對(duì)角線上，為體對(duì)角線的，硼原子和磷原子之間的最近核間距為a pm，則立方體對(duì)角線為4a pm，假設(shè)立方體的邊長(zhǎng)為x pm，則x=4a pm，所以x==1010 cm?！军c(diǎn)睛】本題考查了原子核外電子排布、原子的雜化、元素電負(fù)性大小比較、作用力連線的判斷、晶胞計(jì)算等，(6)中晶胞計(jì)算時(shí)要利用均攤法解答，注意原子的相對(duì)位置，利用原子之間的距離與晶胞關(guān)系分析。試題考查了學(xué)生的空間想象力、計(jì)算能力和應(yīng)用能力。6．D解析：X射線衍射（XRD） V型 和 6 價(jià)層電子對(duì)互斥理論（VSEPR） 155 是分子晶體，分子晶體的熔沸點(diǎn)一般低于離子晶體 【解析】【分析】（1）從外觀上無(wú)法直接區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體，因此只能用X射線衍射（XRD）的方法來(lái)鑒別三者；（2）銅是29號(hào)元素，注意其的特殊排布；（3）我們可以使用價(jià)層電子對(duì)互斥理論判斷空間構(gòu)型，用替代法來(lái)書寫等電子體；（