【文章內(nèi)容簡介】 到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大 H8Cu3Au 平面正三角形 CO32 硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點比較低 c 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.（1）銅元素在周期表的位置是第四周期第ⅠB族。故答案為：第四周期第ⅠB族；（2）氨分子中有孤電子對，孤電子對對成鍵電子對作用力大，NH3和[Cu(NH3)2]2+中HNH鍵角的大?。篘H3＜[Cu(NH3)2]2+，理由：因為NH3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后，NH成鍵電子對受到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大。故答案為：＜ ；因為NH3提供孤對電子與Cu2+形成配位鍵后，NH成鍵電子對受到的排斥力減小，所以HNH鍵角增大；（3）銅金合金是一種儲氫材料，晶胞參數(shù)anm，面心立方堆積，銅原子在晶胞的面心位置，金原子在晶胞的頂點位置。該晶胞中Au原子個數(shù)=8=1，Cu原子個數(shù)=6=3，所以該合金中Au原子與Cu原子個數(shù)之比=1：3，晶胞體積V=（a1010cm）3，每個晶胞中銅原子個數(shù)是Au原子個數(shù)是1，則ρ= gcm－3=gcm－3；晶胞中Cu原子處于面心，Au原子處于頂點位置，Au原子為3個面的頂點，晶胞中Au原子與面心Cu原子構(gòu)成8個四面體空隙，氫原子進入到銅原子和金原子構(gòu)成的四面體的空隙中，該材料儲滿氫后的化學(xué)式為H8Cu3Au。故答案為：；H8Cu3Au；（4）根據(jù)如圖1，N原子最外層5個電子，其中2個電子與碳形成碳碳雙鍵，1個電子與碳形成單鍵，孤電子對進入V的空軌道，形成配位鍵，在圖中畫出由釩離子形成的配合物中的配位鍵，如圖。故答案為：；Ⅱ.（5）NO3的中心原子價層電子對=3+=3，sp2雜化，立體構(gòu)型的名稱是平面正三角形，NO3的一種等電子體為CO3SO3等。故答案為：平面正三角形 ；CO32 ；（6）硫酸和硝酸都是常見的強酸，但性質(zhì)差異明顯，從氫鍵的角度解釋原因：硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點比較低。故答案為：硫酸易形成分子間氫鍵，所以比較粘稠、沸點高；硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵，所以沸點比較低；（7）由氫鍵的形成條件及成鍵元素（N、O、F、H）可知，本題中嵌入某微粒分別與4個N原子形成4個氫鍵，由成鍵元素及數(shù)目可知為NH4＋。故答案為：c。4．F解析：F＞O＞B 1s22s22p63s23p6或[Ar] 正四面體 sp3 ac 3 前三種為離子晶體，晶格能依次增大，后三種為分子晶體，分子間力依次增大 【解析】【分析】(1)氟代硼酸鉀中非金屬元素有F、O、B，元素的非金屬性越強，電負(fù)性越大；基態(tài)K+核外電子總數(shù)為18；(2)BH4的中心原子B原子孤電子對數(shù)==0，價層電子對數(shù)=0+4=0，微?？臻g構(gòu)型與VSEPR模型相同；Na+與BH4之間形成離子鍵，B原子有3個價電子，H有空軌道，而BH4中形成4個BH鍵，故BH4中含有1個配位鍵、3個σ鍵；(3)雙聚分子為Be2Cl4，Be原子價電子數(shù)為2，形成2個BeCl鍵，Be原子有空軌道、Cl原子有孤電子對，每個BeCl2分子中的1個Cl原子另外分子中Be原子之間形成1個配位鍵；(4)氟化物的熔點與晶體類型，離子晶體的熔點較高，分子晶體的熔點較低；離子半徑越小、電荷越大，晶格能越大，離子晶體的熔沸點越高。而相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，分子晶體的熔沸點越高；(5)晶胞中白色球數(shù)目為黑色球數(shù)目為1+8+6+12=8，結(jié)合化學(xué)式可知，白色球代表Ca2+、黑色球代表F，Ca2+占據(jù)F形成的立方體的體心，晶胞中F形成8個小立方體，只有4個Ca2+占據(jù)；處于晶胞中F形成的小立方體體心的Ca2+與小立方體頂點F緊密相鄰，若r(F)=xpm，r(Ca2+)=ypm，則小立方體棱長=pm，故晶胞棱長=pm，計算晶胞中微?？傎|(zhì)量，即為晶胞質(zhì)量，晶體密度=晶胞質(zhì)量247。晶胞體積。【詳解】(1)氟代硼酸鉀中非金屬元素有F、O、B，非金屬性強弱順序為F＞O＞B，電負(fù)性大小順序為F＞O＞B；基態(tài)K+核外電子總數(shù)為18，則電子排布式為1s22s22p63s23p6或[Ar]；(2)BH4的中心原子B原子孤電子對數(shù)==0，價層電子對數(shù)=0+4=0，微粒空間構(gòu)型與VSEPR模型相同為正四面體形，B原子采取sp3雜化；Na+與BH4之間形成離子鍵，B原子有3個價電子，H有空軌道，而BH4中形成4個BH鍵，故BH4中含有1個配位鍵、3個σ鍵，沒有氫鍵與π鍵，故答案為ac；(3)雙聚分子為Be2Cl4，Be原子價電子數(shù)為2，形成2個BeCl鍵，Be原子有空軌道、Cl原子有孤電子對，每個BeCl2分子中的1個Cl原子另外分子中Be原子之間形成1個配位鍵，BeCl2的結(jié)構(gòu)式為，其中Be的配位數(shù)為3；(4)NaF、MgF2和AlF3為離子晶體，晶格能依次增大，熔點依次升高，而SiFPF5和SF6為分子晶體，分子間力依次增大，熔點依次增大； (5)晶胞中白色球數(shù)目為黑色球數(shù)目為1+8+6+12=8，結(jié)合化學(xué)式可知，白色球代表Ca2+、黑色球代表F，Ca2+占據(jù)F形成的立方體的體心，晶胞中F形成8個小立方體，只有4個Ca2+占據(jù)，可知Ca2+占據(jù)F形成的空隙占有率為50%；處于晶胞中F形成的小立方體體心的Ca2+與小立方體頂點F緊密相鄰，若r(F)=xpm，r(Ca2+)=ypm，則小立方體棱長=pm，故晶胞棱長=pm，晶胞相當(dāng)于含有4個“CaF2”，晶胞質(zhì)量=4g，晶體密度g?cm3?！军c睛】價層電子對互斥模型(簡稱VSEPR模型)，根據(jù)價電子對互斥理論，價層電子對個數(shù)=σ鍵個數(shù)+孤電子對個數(shù)．σ鍵個數(shù)=配原子個數(shù)，孤電子對個數(shù)=(axb)，a指中心原子價電子個數(shù)，x指配原子個數(shù)，b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個數(shù)；分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布，不包括中心原子未成鍵的孤對電子；實際空間構(gòu)型要去掉孤電子對，略去孤電子對就是該分子的空間構(gòu)型。5．A解析：1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1) N原子和B原子的半徑比硅原子小，BN鍵長比SiSi短，鍵能BN＞SiSi鍵 sp2 B原子最外電子層為L層，無d軌道，而Si原子最外層為M層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6 H＞B＞Na D 正四面體 (，) 1010 【解析】【分析】【詳解】(1)Ga是31號元素，原子核外有31個電子，根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Ga原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p1，或簡寫為[Ar]3d104s24p1；(2)氮化硼、晶體硅都是原子晶體，其硬度與原子半徑、鍵長成反比。由于N原子和B原子的半徑比硅原子小，BN鍵長比SiSi短，BN鍵的鍵能比SiSi鍵的鍵能大，所以氮化硼(BN)比晶體硅具有更高硬度和耐熱性；(3)在BF3分子中B原子的價層電子對等于3，且沒有孤電子對，所以中心原子的雜化軌道類型是sp2雜化；B原子最外電子層為L層，無d軌道，而Si原子最外層為M層，有d軌道，可參與雜化，使Si配位數(shù)增加至6；(4)NaBH4是離子化合物，Na+與BH4通過離子鍵結(jié)合，BH4中B與H通過共價鍵結(jié)合，所以NaBH4的電子式為：；在NaBH4中含有Na、B、H三種元素，由于元素的非金屬性越強，其電負(fù)性就越大，元素的非金屬性：H＞B＞Na，則元素的電負(fù)性：H＞B＞Na；(5)該晶胞中陰陽離子之間存在離子鍵，B和O原子之間存在共價鍵和配位鍵，水分子之間存在分子間作用力(或范德華力)和氫鍵，所以該物質(zhì)中不含金屬鍵，故合理選項是D；(6)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)可知：晶胞中B原子處于晶胞頂點與面心上，B原子為面心立方最密堆積，晶胞中B、P原子個數(shù)比為1：1，P原子與周圍的4個B原子形成的是正四面體結(jié)構(gòu)，P原子處于正四面體的中心，根據(jù)圖示坐標(biāo)系可知N處的P原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(，)；P原子與周圍的4個B原子最近且形成正四面體結(jié)構(gòu)，二者連線處于體對角線上，為體對角線的，硼原子和磷原子之間的最近核間距為a pm，則立方體對角線為4a pm，假設(shè)立方體的邊長為x pm，則x=4a pm，所以x==1010 cm?！军c睛】本題考查了原子核外電子排布、原子的雜化、元素電負(fù)性大小比較、作用力連線的判斷、晶胞計算等，(6)中晶胞計算時要利用均攤法解答，注意原子的相對位置，利用原子之間的距離與晶胞關(guān)系分析。試題考查了學(xué)生的空間想象力、計算能力和應(yīng)用能力。6．D解析：X射線衍射（XRD） V型 和 6 價層電子對互斥理論（VSEPR） 155 是分子晶體，分子晶體的熔沸點一般低于離子晶體 【解析】【分析】（1）從外觀上無法直接區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體，因此只能用X射線衍射（XRD）的方法來鑒別三者；（2）銅是29號元素，注意其的特殊排布；（3）我們可以使用價層電子對互斥理論判斷空間構(gòu)型，用替代法來書寫等電子體；（