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正文內(nèi)容

高二化學(xué)晶胞的相關(guān)計(jì)算專(zhuān)項(xiàng)訓(xùn)練單元學(xué)能測(cè)試試卷(更新版)

  

【正文】 O2)+2r(Ba2+)=a pm,r(Ba2+)=pm。Ni原子形成的4個(gè)配位鍵屬于σ鍵,CO與N2互為等電子體,CO分子結(jié)構(gòu)式為C≡O(shè),CO分子中含有1個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵,故Ni(CO)4中含有8個(gè)σ鍵、8個(gè)π鍵,1 mol 該配合物分子中σ 鍵數(shù)目為8NA;(3)①1molClO4﹣離子中有4molσ鍵,其雜化方式為sp3,VSEPR 模型是正四面體;②原子總數(shù)相同、價(jià)層電子對(duì)總數(shù)相等的粒子互為等電子體,1molClO4﹣離子有5mol原子,價(jià)電子為32,其等電子體為CCl4或SiF4等;(4)碳酰肼中氮原子有一對(duì)孤電子對(duì),每個(gè)N原子形成3個(gè)σ鍵,故雜化方式為sp3.碳原子形成3個(gè)σ鍵,雜化方式為sp2;(5)①HClO4中非羥基氧數(shù)目比HClO的多,HClO4中Cl的正電性更高,導(dǎo)致Cl﹣O﹣H中O的電子向Cl的偏移程度比HClO的大,HClO4更易電離出H+,酸性越強(qiáng);②以頂點(diǎn)Ni2+為參照,其周?chē)染嗲易罱难蹼x子處于棱心,可知Ni2+的配位數(shù)為38=6.若晶胞中Ni2+距離最近的O2﹣之間的距離為a pm,則晶胞參數(shù)為2a pm=2a10﹣10cm,晶胞體積V=(2a10﹣10)3cm3.晶胞中Ni2+數(shù)目為8+4=4,O2﹣數(shù)目為12+1=4,則晶胞的質(zhì)量m=,故晶胞密度ρ==g?cm﹣3。5.A解析:1s22s22p63s23p63d104s24p1(或[Ar]3d104s24p1) N原子和B原子的半徑比硅原子小,BN鍵長(zhǎng)比SiSi短,鍵能BN>SiSi鍵 sp2 B原子最外電子層為L(zhǎng)層,無(wú)d軌道,而Si原子最外層為M層,有d軌道,可參與雜化,使Si配位數(shù)增加至6 H>B>Na D 正四面體 (,) 1010 【解析】【分析】【詳解】(1)Ga是31號(hào)元素,原子核外有31個(gè)電子,根據(jù)構(gòu)造原理可知基態(tài)Ga原子核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d104s24p1,或簡(jiǎn)寫(xiě)為[Ar]3d104s24p1;(2)氮化硼、晶體硅都是原子晶體,其硬度與原子半徑、鍵長(zhǎng)成反比。故答案為:平面正三角形 ;CO32 ;(6)硫酸和硝酸都是常見(jiàn)的強(qiáng)酸,但性質(zhì)差異明顯,從氫鍵的角度解釋原因:硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點(diǎn)高;硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點(diǎn)比較低。3.B解析:第四周期第ⅠB族 < 因?yàn)镹H3提供孤對(duì)電子與Cu2+形成配位鍵后,NH成鍵電子對(duì)受到的排斥力減小,所以HNH鍵角增大 H8Cu3Au 平面正三角形 CO32 硫酸易形成分子間氫鍵,所以比較粘稠、沸點(diǎn)高;硝酸能夠形成分子內(nèi)氫鍵,所以沸點(diǎn)比較低 c 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.(1)銅元素在周期表的位置是第四周期第ⅠB族。故答案為:Li、F;Ⅱ.(2)硼酸分子以范德華力、共價(jià)鍵和氫鍵形成環(huán)狀結(jié)構(gòu),每個(gè)環(huán)含有2個(gè)B原子,每個(gè)B被3個(gè)環(huán)分?jǐn)?,每個(gè)含有B原子的環(huán)中平均含有B原子的個(gè)數(shù)為2=個(gè)。(2)A有兩種同素異形體,其中沸點(diǎn)最高的是___,原因是___。(2)[Co(NO3-)4]2-中Co2+的配位數(shù)為4,配體中N的雜化方式為_(kāi)_,該配離子中各元素的第一電離能由小到大的順序?yàn)開(kāi)__(填元素符號(hào)),1mol該配離子中含σ鍵數(shù)目為_(kāi)__NA。①BaCO3中陰離子的立體構(gòu)型為 ________。(5)單質(zhì)鐵有δ、γ、α三種同素異形體,三種晶胞中Fe原子的配位數(shù)之比為_(kāi)__,δ、γ、α三種晶胞的邊長(zhǎng)之比為_(kāi)__。9.過(guò)渡元素Ti、Mn、Fe、Cu等可與C、H、O形成多種化合物。①高氯酸的酸性強(qiáng)于次氯酸的原因是___。(列出計(jì)算式即可)7.高氯酸三碳酰肼合鎳{[Ni(CHZ)3](ClO4)2}是一種新型的起爆藥。(5)SF6被廣泛用于高壓電器設(shè)備的絕緣介質(zhì)。(5)自然界中含硼元素的鈉鹽是一種天然礦藏,其化學(xué)式寫(xiě)作 Na2B4O7?10H2O,實(shí)際上它的結(jié)構(gòu)單元是由兩個(gè)H3BO3和兩個(gè)B(OH)4](合而成的雙六元環(huán),應(yīng)該寫(xiě)成 Na2[B4O5(OH)4]?8H2O,其結(jié)構(gòu)如圖所示,它的陰離子可形成鏈狀結(jié)構(gòu),則該晶體中不存在的作用力是______________(填字母)。cm3(列出計(jì)算表達(dá)式)?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)氟代硼酸鉀中非金屬元素原子的電負(fù)性大小順序是__。已知阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為NA,銅、金的摩爾質(zhì)量分別為M(Cu)、M(Au),該晶體的密度為_(kāi)_____g/cm3;氫原子可以進(jìn)入到銅原子和金原子構(gòu)成的四面體的空隙中,該材料儲(chǔ)滿(mǎn)氫后的化學(xué)式為_(kāi)_____。(8)LiAlH4也是一種特殊的還原劑,可將羧酸直接還原成醇:CH3COOHCH3CH2OH,CH3COOH分子中鍵角2______鍵角1(填“>”、“<”或“=”)。(2)硼酸分子以范德華力、共價(jià)鍵和氫鍵形成環(huán)狀結(jié)構(gòu),每個(gè)含有B原子的環(huán)中平均含有B原子的個(gè)數(shù)為_(kāi)_____個(gè)。Ⅱ.硼酸(H3BO3)是白色片狀晶體(層狀結(jié)構(gòu)如圖1),有滑膩感,在冷水中溶解度很小,加熱時(shí)溶解度增大。(7)若硼氫化鈉晶胞上下底心處的Na+被Li+取代,得到的晶體的化學(xué)式為_(kāi)_____。(3)銅金合金是一種儲(chǔ)氫材料,晶胞參數(shù)anm,面心立方堆積,銅原子在晶胞的面心位置,金原子在晶胞的頂點(diǎn)位置。 + 4.氟代硼酸鉀(KBe2BO3F2)是激光器的核心材料,我國(guó)化學(xué)家在此領(lǐng)域的研究走在了世界的最前列。Ca2+占據(jù)F形成的空隙,若r(F)=xpm,r(Ca2+)=ypm,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則CaF2的密度ρ=__g(4)NaBH4被認(rèn)為是有機(jī)化學(xué)中的“萬(wàn)能還原劑”,NaBH4的電子式為_(kāi)________,其中三種元素的電負(fù)性由大到小的順序是_______________。(各舉一例)(4)SF6中含____個(gè)σ鍵,根據(jù)____ 理論,可判斷出其空間構(gòu)型為正八面體,其中S的雜化方式為_(kāi)____。②已知NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值,立方CuF晶胞結(jié)構(gòu)如圖b,則CuF的晶胞參數(shù)a= ____nm。(5)高氯酸三碳酰肼合鎳可由NiO、高氯酸及碳酰肼化合而成。則D原子的坐標(biāo)參致為_(kāi)_____,它代表______原子(填元素符號(hào));已知金屬銅的堆積方式是面心立方最密堆積,則晶體中銅原子的配位數(shù)是12,Cu原子的空間利用率是______。②與CN互為等電子體微粒的化學(xué)式為_(kāi)__(寫(xiě)出一種即可)。(5)TiO2與BaCO3一起熔融可制得鈦酸鋇?;鶓B(tài)Co原子核外電子排布式為_(kāi)__,基態(tài)磷原子中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為_(kāi)__;該能層能量最高的電子云在空間有___個(gè)伸展方向,原子軌道呈___形。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)基態(tài)B原子的核外電子排布式為_(kāi)__。2.F解析:Li、F sp2 加熱破壞了硼酸分子之間的氫鍵,增大了硼酸與水形成氫鍵的幾率 H3BO3+H2O[B(OH)4]+H+ 8 Na3Li(BH4)4 < MgB2 【解析】【分析】【詳解】Ⅰ.(1)B的基態(tài)原子電子排布式為 1s22s22p1,與B的基態(tài)原子電子排布式中成單電子數(shù)相同的第二周期元素還有Li和F,兩種元素最外層只有1個(gè)單電子?!军c(diǎn)睛】本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)知識(shí),涉及到價(jià)電子排布,配位鍵的形成,氫鍵的性質(zhì),雜化軌道理論,晶胞的簡(jiǎn)單計(jì)算,難點(diǎn)(7)認(rèn)真觀察結(jié)構(gòu)圖,找出粒子數(shù)之間的關(guān)系。故答案為:;Ⅱ.(5)NO3的中心原子價(jià)層電子對(duì)=3+=3,sp2雜化,立體構(gòu)型的名稱(chēng)是平面正三角形,NO3的一種等電子體為CO3SO3等。【點(diǎn)睛】?jī)r(jià)層電子對(duì)互斥模型(簡(jiǎn)稱(chēng)VSEPR模型),根據(jù)價(jià)電子對(duì)互斥理論,價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對(duì)個(gè)數(shù).σ鍵個(gè)數(shù)=配原子個(gè)數(shù),孤電子對(duì)個(gè)數(shù)=(axb),a指中心原子價(jià)電子個(gè)數(shù),x指配原子個(gè)數(shù),b指配原子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)需要的電子個(gè)數(shù);分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對(duì)電子;實(shí)際空間構(gòu)型要去掉孤電子對(duì),略去孤電子對(duì)就是該分子的空間構(gòu)型。【詳解】(1)Ni元素原子核外有28個(gè)電子,原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d84s2,外圍電子排布圖為;(2)電負(fù)性O(shè)>C,O原子不易給出孤電子對(duì),配體CO中提供孤電子對(duì)的是C原子。10.C解析: 啞鈴型 TiCl4的相對(duì)分子質(zhì)量大于CCl4,分子間作用力更大 AB HCHO sp2 平面三角形 BaTiO3 【解析】【分析】(1)根據(jù)元素核外電子排布規(guī)律書(shū)寫(xiě)電子排布式,根據(jù)電子排布式判斷最高能級(jí)及電子云輪廓;(2)分子晶體的熔沸點(diǎn)與分子間作用力有關(guān),根據(jù)相對(duì)分子質(zhì)量分析判斷;(3)結(jié)合晶體轉(zhuǎn)化反應(yīng)過(guò)程,和物質(zhì)類(lèi)別判斷分析化學(xué)鍵的種類(lèi); (4)根據(jù)有機(jī)物中碳原子的成鍵方式,判斷空間構(gòu)型,進(jìn)而判斷碳原子雜化方式;(5)①應(yīng)用雜化軌道理論計(jì)算中心原子的價(jià)電子對(duì)數(shù)確定雜化方式分析確定立體構(gòu)型;②結(jié)合晶胞圖示計(jì)算晶胞中各原子的個(gè)數(shù)書(shū)寫(xiě)其分子式,再結(jié)合晶胞微粒的相互位置關(guān)系計(jì)算微粒的半徑。
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