【正文】 ”，當(dāng)中 斷服務(wù)程序執(zhí)行完 返回主程序時，便 產(chǎn)生了錯誤的中斷。 RC7~RC0輸出必須將方向寄存器 TRISC所對應(yīng)的位設(shè)置為 0（輸出為輸出數(shù)據(jù)鎖存器中的狀態(tài)）； TRISC所對應(yīng)的位設(shè)置為“ 1”，則對應(yīng)位工作為輸入。 RC0/T1OSO/T1CKI RC1/CCP2/T1OSI T1OSCEN T1OSC 3． RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu) ? RC RC3 I/O電路結(jié)構(gòu)是在 RC7~RC RC2～ RC0 I/O電路結(jié)構(gòu)基本上，為擴大對外圍輸入信號的兼容，通過對同步串行狀態(tài)寄存器D6位 CKE的設(shè)置，增加一個 SMBUS電平的信號。 ? RC4工作在輸入時：當(dāng)無 K1未按下時，輸入為高電平；當(dāng) K1按下時，輸入為低電平。 SMBUS（ system Management BUS）詳見 I2C總線 端口數(shù)據(jù) /外圍設(shè)備數(shù)據(jù)選擇 0 1 ∨ ∧ ∨ 外圍設(shè)備輸出允許 外圍設(shè)備輸入 0 1 CKE SSPSTAT（ 6） SMBUS P N SMBUS是兩線雙向同步串行總線，他首先由 INTEL提出，與 I2總線兼容， I2是PHILIP提出。 端口數(shù)據(jù) /外圍設(shè)備數(shù)據(jù)選擇 OE 0 1 + amp。 ?RBUF=0 允許上拉、 RBUF=1禁止上拉 ?因此在設(shè)置各端口的輸入 /輸出方式時，必須注意體的選擇。 amp。 例： RB0/INT中斷初始化 BSF SATAUS ， RP0 ；設(shè)置 RP0為“ 1”，選擇體 1。 Q D U4 EN 異 或 ： RD PORT Q3 Q1 RB7： RB6串行編程模式 設(shè)置 RBIF 狀 態(tài) 鎖 存 器 A B 電平變化中斷 Q1 Q2 Q3 Q4 PC1 PC PC+1 004H 時鐘 INTIF標(biāo)志 GIE CPU檢測到 RB7~RB4 =1的 下一個周期的 Q2將 GIE置“ 0” Q1 Q2 RB7~RB4 PC+1 只要“異或”電路輸出為“ 1”， RBIF即為“ 1”。 所謂弱上拉，即引腳 內(nèi)部的 P型場效應(yīng)管， 當(dāng) RBPU的設(shè)置為 “ 0” 時， P型場效應(yīng)管相當(dāng)于 是一個大阻值電阻。 TRISA方向寄存器在體 2（ 85H）中。 電磁兼容原理與設(shè)計技術(shù) 楊克俊 郵電出版社 P206 ? 1976年科克（ Kirk）等人提出的測量方法具有代表意義。因此對一個 I/O端口執(zhí)行寫操作后，接著執(zhí)行讀操作，必須注意要等到 I/O端口的狀態(tài)穩(wěn)定后才能執(zhí)行讀操作，否則可能讀入的是前一個狀態(tài)，不是當(dāng)前新的狀態(tài)。 解決 T1導(dǎo)通 BE為 題是在基極加電阻。 BSF PORTA， 3 第一條指令執(zhí)行后， RA3輸出高電平使 T1導(dǎo)通，由于 T1導(dǎo)通，因此 be端電壓為 。 ? D Q CK Q D Q CK Q + ∧ ∧ Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT TO AD RD TRIS Analog Input Mode TTL Input bufer P N U1 U2 U3 T1 T2 I/O位 方向寄存器 TRISA 輸入數(shù)據(jù)鎖存器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 I/O端口鉗位二極管保護 讀 寫 1 3 注意：即使是寫 一位，首先也是 對一個端口執(zhí)行 讀操作。 TRISA地址 =85H ** ADCON1和 TRISA寄存器在體 1 ； PORTA寄存器在體 0 ? RA RA3～ RA0 I/O電路結(jié)構(gòu) D Q CK Q D Q CK Q + amp。 數(shù)字 I/O懸空時將使內(nèi)部電路功耗加大 。 例： 若繼電器壽命為 5000萬次，通道數(shù)為 100，若各通道每 10S吸合一次，則無故障時間為： 繼電器壽命 *10mS 5000萬次 *10mS 繼電器個數(shù) *3600S*24小時 100*3600S*24小時 = 58日 即 58天后，就會出現(xiàn)觸點粘接。 因此必須將保護電路同繼電 器緊緊放在一起。 PNP NPN VCC PIC 16F877 I/O的驅(qū)動能力為： 每一位 I/O位輸出高電平時輸出 20mA電流（拉流） 每一位 I/O位輸出低電平時輸入 25mA電流（灌流） 每個端口 總的驅(qū)動電流為 60~70mA 5個端口 總的驅(qū)動電流為 200mA IOH=∑IiH n i=1 IOL=∑IiL n i=1 16F877 I/O 注意：雖然 PIC每一位 I/O輸出 /輸入電流是 20mA/25mA，注意 僅能驅(qū)動純阻抗或容性負載， 不能直接驅(qū)動感性負載 。 D Q CK Q D Q CK Q amp。 OUT IN 輸入端的處理： PORTA 具有 RAi /ANi /VREF這些模擬功能的 I/O位，在單片機復(fù)位后，均自動工作在 模擬信號輸入的狀態(tài)下 ，而不是工作在數(shù)字信號的輸入狀態(tài)。 上拉電阻一般為 3~10KΩ Z0 R R=Z0 并聯(lián)阻抗匹配 入 射 波 終 端 匹 配 法 Z0 V R1 R2 Z0=R1//R2 并聯(lián)阻抗匹配 Z0 R C RC傳輸線時延的兩倍 當(dāng) RC信號周期時， RC終 端匹配比分路終端法功耗小 R=Z0 入 射 波 終 端 匹 配 法 Td = L（ √ε ） C ； Td 是信號通過長度為 L的傳輸線所產(chǎn)生的時延 2。 VOL 注意：對同一型號不同廠 家及不同批次的 IC，其上 拉和下拉電阻值可能不同。 計數(shù)器 RA4/TOCKI 上拉 /下拉電阻 VD IOL IIL R IOL =（ VD / R） + IiL I/O 上拉電阻最小值： 上拉電阻最小值將由輸出低電平時 的電流 IOL決定，它是上拉電阻提供的 電流 VD/R和負載 IiL的灌流電流和。 注意：電阻必須同 IC輸入端緊緊相連 ? RA4 I/O電路結(jié)構(gòu) D Q CK Q D Q CK Q + Q D EN DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT TMR0時鐘輸入 RD TRIS N U1 U2 U3 RA4輸出為 OC 結(jié)構(gòu)，因此若作 為輸出使用， RA4必須外接一 個上拉電阻和二 極管。 2。 端口驅(qū)動能力 +4行 PIC單片機端口引腳可以 直接驅(qū)動小型繼電器 等， ?。?！ 一． PORTA端口和 PORTA有關(guān)的寄存器 1． PORTA可實現(xiàn)的功能 ● 6個 I/O位 ● ADC模擬信號輸入 /ADC參考電壓輸入 ● TMR0外部時鐘輸入 ● SSP從動選擇（串行通信） PORTA端口功能說明 I/O位 輸入 輸出 RA0/AN0 TTL CMOS驅(qū)動 RA1/AN1 TTL CMOS驅(qū)動 RA2/AN2/VREF TTL CMOS驅(qū)動 RA3/AN3/VREF+ TTL CMOS 驅(qū)動 RA4/TOCKI 輸入 ST（施密特觸發(fā)器） 輸出 OC CMOS驅(qū)動 RA5/SS/AN4 TTL CMOS驅(qū)動 RA5~RA0輸入 /輸出。 ∧ Q D EN VDD DATA BUS WR PORT WR TRIS RD PORT TO AD RD TRIS Analog Input Mode TTL Input bufer P N U1 U2 U3 T1 T2 輸入 ：方向寄存器 TRISA=1 U2Q=1 T1截止 U2Q=0 T2截止 I/O端口為 高阻 ，此時工作在 輸入。保護二極管最大輸入電流為 177。 方向寄存器 輸入數(shù)據(jù)鎖存器 輸出數(shù)據(jù)鎖存器 （ ） I/O位 （ ） 0V RA4內(nèi)部 接了下鉗 位二極管， 所以只需 外接上鉗 位二極管 。 R VD IIH IOH I/O VOH=VD—（ IIH+IOH） R 上拉電阻最大值取決于 RA4輸出電 壓的上升速度，阻值越小 RA4輸出電 壓上升越快。 RA0 CPU RS485 RE DE TX RX 圖中 SP/EN接上拉電阻使 8259在初始化時 SP/EN為高電平，確保 CPU通過數(shù)據(jù)總線對 8259執(zhí)行正確的寫操作。 因此在設(shè)置各端口的輸入 /輸出方式時，必須注意體 的選擇。 PORTA所對應(yīng)的 I/O位工作為輸入時，各輸入寄存器鎖存的是所對應(yīng) I/O引腳上的邏輯狀態(tài)。 PORTA輸出端口性能 R1 R2 K1 K2 充電 VOUT = VDD I充 R1 放電 VOUT = I放 R2 負 載 T1 =R K1 “P” T2=R K2 “N” U4 VDD + I/O端口鉗位二極管保護 K1閉合， K2截止， VDD通過 R1給負載 R和 C充電， 浪涌電流 在電阻 R1上消耗能量。 若反向電動勢較大，則導(dǎo)致 內(nèi)部鉗位二極管的損壞，I=V/R最后導(dǎo)致 IC的損壞。 事業(yè)不可浮，文章不可虛。 RA端口若用戶希望工作在數(shù)字 I/O，則必須在程序初始化時通過對 ADCON1寄存器 ((9FH)=07H） 的設(shè)置，使這些 I/O位工作在數(shù)字的 I/O狀態(tài)，否則用戶無法讀到各引腳的邏輯狀態(tài)（“ 0”和“ 1”）。 例：初始化 PORTA端口 BCF STATUS， RP0 BCF STATUS， RP1 ；選體 0 CLRF PORTA ；將輸出數(shù)字鎖存器置“ 0” ； PORTA 地址 = 05H BSF STATUS， RP0 ；選體 1，以便對 TRISA寄存器進行設(shè)置。 當(dāng) TRISA i設(shè)置為 “ 0”，表示所對應(yīng)的 PORTAi端口工作為 輸出 ； 所有寫 I/O引腳的操作，其執(zhí)行過程為 “ 讀 修改 寫 ” 。指定位 在 ALU 中修改 3。若 CPU的工作時鐘頻率足夠高（ 20MHz = ，執(zhí)行一條指令所需要的時間為 * 4 = ），由于指令執(zhí)行所需的時間非常小，此時若導(dǎo)線足夠長和導(dǎo)線截面積較小，當(dāng)由導(dǎo)線產(chǎn)生的 C1分布電容較大時，由 RA4輸出的邏輯“ 1”通過導(dǎo)線對 C1進行充電（ 邏輯“ 1