加工工藝3_xxxx(文件)
【正文】 蝕 ? Physical etching ? Chemical etching 半導(dǎo)體加工 秦明 濕法腐蝕 ? Anisotropy ? 工藝簡(jiǎn)單 ? 高選擇比 ? 無(wú)襯底損傷 ? 非各向異性 ? 工藝控制差 ? 沾污 半導(dǎo)體加工 秦明 腐蝕過(guò)程 ? 1 反應(yīng)劑傳輸?shù)奖砻? ? 2 化學(xué)反應(yīng) ? 3 生成物離開(kāi)表面 半導(dǎo)體加工 秦明 常見(jiàn)材料的腐蝕 ? SiO2 的腐蝕 ? 6:1 = HF ? Thermal silicon dioxide , 1200 197。 ?氣相顆粒淀積 ?襯底上可能有金屬雜質(zhì) ? 物理?yè)p傷和雜質(zhì) drive in ?含 C的 RIE刻蝕 ?30300A硅碳化合物和損傷 ?SiH鍵缺陷 損傷 半導(dǎo)體加工 秦明 HDP刻蝕 ? 磁場(chǎng)的存在，電子的路徑被延長(zhǎng)了很多，碰撞幾率增大，導(dǎo)致離子密度和自用基的密度很大。 02:47:4602:47:4602:473/23/2023 2:47:46 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 47分 46秒 02:47: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 上午 2時(shí) 47分 46秒 上午 2時(shí) 47分 02:47: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 02:47:4602:47:4602:47Thursday, March 23, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 3月 上午 2時(shí) 47分 :47March 23, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 02:47:4602:47:4602:473/23/2023 2:47:46 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :47:4602:47:46March 23, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 上午 2時(shí) 47分 46秒 上午 2時(shí) 47分 02:47: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感謝您的下載觀看 專(zhuān)家告訴 。 2023年 3月 上午 2時(shí) 47分 :47March 23, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 02:47:4602:47:4602:47Thursday, March 23, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 上午 2時(shí) 47分 46秒 上午 2時(shí) 47分 02:47: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 47分 46秒 02:47: ? 1楚塞三湘接，荊門(mén)九派通。 02:47:4602:47:4602:473/23/2023 2:47:46 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 3月 上午 2時(shí) 47分 :47March 23, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 02:47:4602:47:4602:47Thursday, March 23, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 半導(dǎo)體加工 秦明 PECVD 半導(dǎo)體加工 秦明 PECVD ? ECR ? N2 ? 2N ? N與 Silane反應(yīng)形成 SixNy ? HDP(High Density Plasma)的低壓強(qiáng) Torr導(dǎo)致長(zhǎng)的平均自由程 ?step coverage差 若系統(tǒng)設(shè)計(jì)成有一定的離子轟擊，可以改善臺(tái)階 ? PECVD Silicon nitride ? final passivation or scratch protection layer ? 300 – 400℃ , Ar or He SiH4 NH3 or N2 半導(dǎo)體加工 秦明 PECVD 半導(dǎo)體加工 秦明 PECVD ? Si3N4 PECVD Growth rate density atomic content ? PECVD silicon nitride用于 metal interconnect的隔離層 半導(dǎo)體加工 秦明 PECVD(PlasmaEnhanced CVD) 氧化物淀積 氮氧化硅 半導(dǎo)體加工 秦明 Metal CVD ? 濺射的臺(tái)階覆蓋不好 ? 過(guò)去的技術(shù)： ?“釘頭”降低了布線密度 ? 金屬 CVD可以填充接觸孔 半導(dǎo)體加工 秦明 Metal CVD ? Wu CVD 400oC ? TiN黏附層 半導(dǎo)體加工
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