【正文】 能量分辨本領(lǐng)為 ，相當(dāng)于 510eV，可見 WDS的成分分辨本領(lǐng)高。但 WDS的定量分析誤差（ 15%）遠(yuǎn)小于 EDS的定量分析誤差（ 210%）。v 三、電子探針的分析方法 1 、點(diǎn)分析 用于測定樣品上某個(gè)指定點(diǎn)的化學(xué)成分。 將 WDS， EDS固定在信號位置上，電子束在樣品表面做二維光柵掃描，便可得到該元素的面分布圖像。SrTiO3Sifromcontamination.分析數(shù)據(jù)的處理 晶體化學(xué)式的計(jì)算v 步驟：1列出分析數(shù)據(jù) a； 剔除雜質(zhì)，求 Σa， 按 100%修正得數(shù)據(jù) b， b=100a/ Σa。v 5 求陽離子數(shù)比例和陰離子數(shù)比例 g, h。 FeO MgO Na2O ∑ 4 Al2O3 impurity100.04 它對原子的檢測深度 1－ 2個(gè)原子層，對樣品無破壞。onworkwidth Whenbycurrentone）constant.onglass第七節(jié)原子力顯微鏡 (AFM)v Dr G. Binning developed AFM in 1986v 可測量表面原子間的力（可測量最小位移 102104 197。resolutiononresolutiondomainBaFe12O19Ferroelectric[001]， [110]晶帶的單晶電子衍射圖 ,thecrystalNaCl [110],mmeventhe 30kv(即電子束 ∥ c),7mm, 30kv totheobtainedzoneRlatticed=*800/7=v a=d/sin120=金屬 Pb為 FCC結(jié)構(gòu)， a=,v MetalcubicfacedupOh5Fm3m,number(Z)isatomand(R).v R=v D=MZA/Vv M=DV/AZ=**103*4=.v 5為立方原始格子 ,Fe,v to a=, for ,give的 SG=C6h2P63/m,Z=2,試求 (Ca5(PO4)3OH) a=,atomisatomis解釋電子探針分析中點(diǎn)分析、線掃描、面掃描的含義。 point area固體材料在高能電子束作用下能得到哪些物理信息？v What be solida解釋下列術(shù)語的的含義：二次電子；背散射電子；俄歇電子； EDS， theelectron。electron。WDS,Augerbackterms:v probestruck from for linearexplainoftofor D=, hexagonal,原子量 c=,Z=***103==4.v 6磷灰石 respectively, Satomstructure, (FeS2),a=,metalofto4,athespacegroupclosebelongsPb的原子量 M4, 空間群SG= a=2*=.No Ri d=K/RN=1/d2 Ni/N1 *3 hkl1 1 3 1112 4 2003 4 8 2204 6 11 3115 12 2226 16 400v 4)a=?v 7mm,axis,),[0001]pattern hexagonal probe試求晶胞參數(shù) R[0001]2220v 2occurallodd L=800mm, crystalpatternofL=800mm,分別作出 NaClcrystalWritingoncarbonMaterialsAFM原理 The cantilever（ 顯微懸臂） , which is extremely sensitive to weak force, is fixed at one end。carbon（可用于非導(dǎo)體）v 橫向分辨率 ， 縱向分辨率為 。filmFeatures of STM resolutionHorizontal (xy direction ): Vertical (z direction): 1nm detection depth: 12 atomic layer (no damage on the specimen)Can work in air, solution, vacuumcan only be used for conductor and semiconductorAtomicisofincreasesThespotentials? Atomic第六節(jié) 掃描隧道顯微鏡 (STM)v 主要用于表面原子成象（導(dǎo)體）v STM的橫向分辨率高達(dá) 1197。 TiO2 a b c d e f G=e/YhSiO2 7 K2O CaO MnO 6 進(jìn)行電荷平衡計(jì)算。3列出陽、陰離子數(shù)欄 e, f, 用固定陽離子數(shù)或陰離子數(shù)法求 Σe 或 Σf。samplespuriousCu,Cspectrum 將 WDS， EDS固定在所要測量的某元素特征 X射線信號（波長或能量）的位置上，把電子束沿著指定的方向做直線掃描，便可得到該元素沿直線特征 X射線強(qiáng)度的變化，從而反映了該元素沿直線的濃度分布情況。 EDS對樣品表面無特殊要求，適合于粗糙表面的成分分析。 5 分析元素的范圍 WDS可以測量鈹 (Be)鈾 (U)之間的所有元素，而 EDS中 Si(Li)檢測器的鈹窗口吸收超輕元素的 X射線，只能分析Na以上的元素。 2 空間分析能力 EDS可在較小的電子束流下工作，使束斑直徑減小，空間分析能力提高。每個(gè) X光子能量被硅晶體吸收將在晶體內(nèi)產(chǎn)生電子空穴對。顯然，對于任意一個(gè)給定的入射角 θ 僅有一個(gè)確定的波長 λ 滿足衍射條件。 X射線譜儀 電子束轟擊樣品表面將產(chǎn)生特征 X射線，不同的元素有不同的 X射線特征波長和能量。 二 、儀器構(gòu)造 電子探針主要由電子光學(xué)系統(tǒng)（鏡筒）， X射線譜儀和信息記錄顯示系統(tǒng)組成。SEI)拉長狀生物二氧化硅（ SEM照片 （ Vulcano， Italy,v 吸收電子（ AE） 像 吸收電子也是對樣品中原子序數(shù)敏感的一種物理信號。 v 背射電子（ BE） 像 同樣 有形貌襯度 和 成分襯度 。v 四、掃描電子顯微鏡的幾種電子像二次電子（ SE） 像 v 1） SE產(chǎn)額 v 與形貌、 原子序數(shù)、加速電壓有關(guān)。一般 SE的分辨率約為 510nm， BE的分辨率約為 50200nm。 v 分辨率 分辨率是掃描電鏡的主要性能指標(biāo)。electronv 信號檢測放大系統(tǒng) 作用是檢測樣品在入射電子作用下產(chǎn)生的物理信號，然后經(jīng)視頻放大作為顯像系統(tǒng)的調(diào)制信號。目前大多數(shù)掃描電鏡采用熱陰極電子槍。這些信號分別被不同的接收器接收而成像。JSM6301F場發(fā)射槍掃描電鏡SEM image (beetle)掃描電鏡（ SEM）－ 食鹽的融化和結(jié)晶(dry)17mbar6mbar(dry)水蒸汽環(huán)境Danilatos, . (1986) Environmental scanning electron microscopy in colour. J. Microsc. 142:317325.v 掃描電鏡的優(yōu)點(diǎn)是， 1 有較高的放大倍數(shù)， 2020萬倍之間連續(xù)可調(diào)； 2有很大的景深，視野大，成像富有立體感，可直接觀察各種試樣凹凸不平表面的細(xì)微結(jié)構(gòu)； 3試樣制備簡單； 4可同時(shí)進(jìn)行顯微形貌觀察和微區(qū)成分分析。realA 4 200 002B 1 3 111 111C 8 220 220v第四節(jié) 掃描電鏡v 由于透射電鏡是 TE進(jìn)行成像的，這就要