電子顯微鏡 第五章 掃描電子顯微術(文件)
【正文】 子被晶體中原子點陣的散射幾率并不是各向同性的 。 r1 (b) ? =45176。 第六節(jié) 掃描電鏡襯度像 ? 形貌襯度的形成：二次電子產額強烈依賴于入射束與試樣表面法線間的夾角 ? 。 如果試樣表面是凸凹不平的話 ， 法線與入射束夾角 ?大的面發(fā)射的二次電子多；反之則少 。 r2 ? ? r3 (c) ? =65176。 當 γθB時 ， 入射電子被背向散射 (即散射角大于90176。 采用角光柵掃描方式可獲通道花樣。 )的幾率 ， 意味著這些入射方向是不利于進入晶體的禁道；而當 γθB時 ， 入射電子的前向散射幾率大于背向散射幾率 ， 意味著這些入射方向是易于進入到晶體中去的通道 ，這種物理現(xiàn)象稱為電子通道效應 。深度內
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