【正文】 NAND閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)、應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目第一章 總說(shuō)明一、項(xiàng)目名稱NAND 閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)、應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。二、編制依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展第十二個(gè)五年規(guī)劃綱要》（2011）《“十二五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（2012）《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（20062020年）》《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》（國(guó)發(fā)〔2011〕4號(hào)）《“十二五”產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新規(guī)劃》（2011）《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》（2009）《工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)規(guī)劃（2011—2015年）》（2011）《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃（20112015年）》《軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》（2012）《20062020年國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略》《產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移指導(dǎo)目錄（2012年本）》1《北京市“十二五”時(shí)期電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》(2011)1《北京市軟件和信息服務(wù)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》（2011）1《我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的關(guān)鍵技術(shù)和重要產(chǎn)品目錄》（2007）1《國(guó)家鼓勵(lì)的集成電路企業(yè)認(rèn)定管理辦法（試行）》（發(fā)改高技[2005]2136號(hào)）1XXX公司提供的各項(xiàng)基礎(chǔ)資料1中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)研究院和賽迪顧問(wèn)股份有限公司提供的相關(guān)資料1國(guó)家現(xiàn)行的其他有關(guān)法規(guī)、標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范等三、項(xiàng)目概要（一）項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容通過(guò)本項(xiàng)目，開(kāi)發(fā)2x nm及以上先進(jìn)制程 NAND Flash產(chǎn)品，設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)功能和性能強(qiáng)大的NAND Flash系列芯片，及NAND Flash綜合應(yīng)用解決方案，服務(wù)小容量快閃存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)需求，同時(shí)瞄準(zhǔn)eMMC、SSD等應(yīng)用市場(chǎng)，滿足智能化產(chǎn)品和大容量市場(chǎng)需求。本項(xiàng)目采用2x nm及以上先進(jìn)制程N(yùn)AND Flash，也是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的工藝，開(kāi)發(fā)高傳輸速率和高可靠性的系列產(chǎn)品，芯片最大工作頻率為133MHz、最大數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到532Mbps，支持SPI和ONFI多種接口，滿足系統(tǒng)對(duì)多種讀寫(xiě)擦的要求，實(shí)行存儲(chǔ)區(qū)的靈活保護(hù)。采用多種技術(shù)提高Flash的耐寫(xiě)能力，達(dá)到甚至超過(guò)10萬(wàn)次擦除/編程，并實(shí)現(xiàn)125度下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá)10年。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的突破，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。，，；，包括：，，；，包括基本預(yù)備費(fèi)和漲價(jià)預(yù)備費(fèi)；。（二）項(xiàng)目建設(shè)目標(biāo)為降低項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)，優(yōu)化項(xiàng)目流程，本項(xiàng)目計(jì)劃分三期進(jìn)行投入。第一年在原有芯片、軟件、系統(tǒng)設(shè)備的基礎(chǔ)上，引入研發(fā)設(shè)備；同時(shí)通過(guò)內(nèi)部調(diào)撥和外部招聘兩種方式配置研發(fā)人員，完成人員的培訓(xùn)；著手對(duì)NAND Flash進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)。第二年繼續(xù)引入研發(fā)設(shè)備和研發(fā)人員，繼續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)；加大市場(chǎng)推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，擴(kuò)大市場(chǎng)銷售收入。第三年在繼續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)的基礎(chǔ)上，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，加大市場(chǎng)推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，同時(shí)開(kāi)拓新市場(chǎng)，擴(kuò)大市場(chǎng)銷售收入。本項(xiàng)目需購(gòu)置一處909平米左右的研發(fā)基地，主要是芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash的技術(shù)改造，用于開(kāi)發(fā)、測(cè)試NAND Flash。設(shè)備包括開(kāi)發(fā)PC機(jī)、工作站和EDA開(kāi)發(fā)工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、信號(hào)源等軟硬件設(shè)備。辦公區(qū)主要用于日常辦公與編寫(xiě)代碼，以工位、過(guò)道、綠化等必要辦公設(shè)施為主。會(huì)議室分別為可容納50人的大會(huì)議室和可容納10人的小會(huì)議室，主要用于接待客戶、日常工作會(huì)議以及項(xiàng)目組討論等。實(shí)驗(yàn)室分別為芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和軟件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash芯片的技術(shù)改造，用于開(kāi)發(fā)、測(cè)試NAND Flash芯片；硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術(shù)改造，核心模塊的電路設(shè)計(jì)、仿真、測(cè)試；軟件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作芯片產(chǎn)品軟件算法開(kāi)發(fā)。（三）項(xiàng)目建設(shè)方式項(xiàng)目辦公場(chǎng)地將采取購(gòu)置形式，項(xiàng)目所需設(shè)備、軟件擬采用購(gòu)買(mǎi)的方式，項(xiàng)目的研發(fā)采用自主研發(fā)的方式，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)成員擬采用社會(huì)招聘與企業(yè)內(nèi)部招聘相結(jié)合，項(xiàng)目所需資金擬采用IPO方式募集。四、研究結(jié)論（一）主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)表11項(xiàng)目主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目金額一項(xiàng)目新增總投資 二年均利潤(rùn)總額 三內(nèi)部收益率%四凈現(xiàn)值 五投資回收期 六投資利潤(rùn)率%七毛利率%八凈利率%數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn)整理2012，10（二）研究結(jié)論通過(guò)對(duì)于中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)的深入研究，以及對(duì)XXX公司拓展NAND Flash業(yè)務(wù)在技術(shù)和經(jīng)濟(jì)方面所做的謹(jǐn)慎分析，可以得出結(jié)論，XXX公司拓展NAND Flash業(yè)務(wù)，并為此實(shí)施的NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目是具有必要性和可行性的，這是基于：從宏觀政策層面分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目具備有利的政策環(huán)境從宏觀政策層面分析，該項(xiàng)目屬于國(guó)家重點(diǎn)扶持的集成電路行業(yè)，符合國(guó)家政策導(dǎo)向。2000年國(guó)務(wù)院發(fā)布《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，從戰(zhàn)略布局上明確了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑；2005年，財(cái)政部制定了《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開(kāi)發(fā)專項(xiàng)資金管理暫行辦法》，進(jìn)一步支持中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；2008年1月，財(cái)政部和國(guó)家稅務(wù)總局發(fā)布了《關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策的通知》，給予集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造企業(yè)稅收政策優(yōu)惠；2009年，《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃》明確了完善集成電路產(chǎn)業(yè)體系；2011年2月9日，國(guó)務(wù)院辦公廳發(fā)布《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》，對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的所得稅優(yōu)惠范圍加大。從中觀行業(yè)層面分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目面向廣闊的市場(chǎng)空間從中觀行業(yè)層面分析，在迅速增長(zhǎng)的數(shù)碼相機(jī)、SD卡、USB、智能手機(jī)、平板電腦、SSD等消費(fèi)電子類產(chǎn)品產(chǎn)量拉動(dòng)下， NAND Flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模也在逐年迅速擴(kuò)大。從國(guó)際市場(chǎng)來(lái)看，隨著SSD的強(qiáng)勢(shì)推廣和以蘋(píng)果iPhone和iPad產(chǎn)品為代表的智能手機(jī)、平板電腦需求量激增，NAND Flash芯片的市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)張；從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看，我國(guó)智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、SD卡的市場(chǎng)快速成長(zhǎng)直接推動(dòng)了國(guó)產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)芯片的需求。因此，本項(xiàng)目預(yù)計(jì)研發(fā)的NAND Flash存儲(chǔ)芯片面向廣闊的市場(chǎng)空間。從微觀公司層面分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目具有堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)與管理經(jīng)驗(yàn)從微觀公司層面分析，公司已成功開(kāi)發(fā)NOR Flash產(chǎn)品，技術(shù)實(shí)力雄厚、核心團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定，在自主創(chuàng)新、產(chǎn)品化、本地化服務(wù)、知識(shí)管理等方面有突出表現(xiàn)，能針對(duì)市場(chǎng)變化快速推出符合客戶要求的芯片與整體解決方案，并為客戶提供本地化的技術(shù)支持與定制化設(shè)計(jì)，具備完成項(xiàng)目的技術(shù)基礎(chǔ)與服務(wù)經(jīng)驗(yàn)。公司構(gòu)建了較為完善的知識(shí)體系，將技術(shù)管理模塊化、平臺(tái)化。高集成度、低功耗、穩(wěn)定性強(qiáng)的芯片研發(fā)難度較高，一般要較長(zhǎng)時(shí)間的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的開(kāi)發(fā)和積累才能完成。公司把核心技術(shù)的自主創(chuàng)新作為長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略，在芯片設(shè)計(jì)中將積累的豐富經(jīng)驗(yàn)規(guī)?；?、體系化、平臺(tái)化，建立了良好的知識(shí)管理、知識(shí)分享體系，便于技術(shù)經(jīng)驗(yàn)在研發(fā)過(guò)程中的延續(xù)。從項(xiàng)目可行角度分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目在經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益上具備可行性通過(guò)對(duì)XXX公司實(shí)施NAND Flash開(kāi)發(fā)項(xiàng)目相關(guān)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)進(jìn)行謹(jǐn)慎測(cè)算，其內(nèi)部收益率高于社會(huì)基準(zhǔn)折現(xiàn)率，說(shuō)明項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益較好，盈利能力較強(qiáng)；該項(xiàng)目是國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的項(xiàng)目之一，項(xiàng)目建成后，社會(huì)效益明顯。本項(xiàng)目實(shí)施以后，對(duì)北京市以及我國(guó)的快閃存儲(chǔ)器的整體發(fā)展水平有很大幫助。初步打通北京市存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)、制造、終端應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈，實(shí)現(xiàn)整體聯(lián)合優(yōu)勢(shì)，為刺激本地經(jīng)濟(jì)做出貢獻(xiàn)。本項(xiàng)目以存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈核心存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)為研發(fā)目標(biāo)，項(xiàng)目建成后將促進(jìn)國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，加快核心技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化，為產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)一批高科技的技術(shù)市場(chǎng)人才。從經(jīng)濟(jì)效益分析和社會(huì)效益分析來(lái)看，該項(xiàng)目是可行的。第二章 項(xiàng)目背景及投資必要性一、項(xiàng)目建設(shè)背景（一）大容量NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化可以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，增強(qiáng)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力今天市場(chǎng)上最為熱門(mén)的智能手機(jī)、平板電腦都使用了NAND存儲(chǔ)器。然而，國(guó)際企業(yè)壟斷了NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)，包括三星電子、美光科技、東芝、海力士等，市場(chǎng)占有率超過(guò)60%。而我國(guó)在NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域尚未有突破。NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化對(duì)于國(guó)內(nèi)下游企業(yè)來(lái)說(shuō)，顯得非常重要。因?yàn)椋瑥某杀緛?lái)說(shuō)，NAND存儲(chǔ)器作為重要部件在智能手機(jī)、平板電腦成本中占比約為15%，國(guó)產(chǎn)化有利于提升這些整機(jī)企業(yè)的毛利率；從市場(chǎng)容量來(lái)看，只有實(shí)現(xiàn)了NAND存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)化，中國(guó)快閃存儲(chǔ)器才是真正的國(guó)產(chǎn)化。從產(chǎn)業(yè)來(lái)看，NAND存儲(chǔ)器是IC產(chǎn)業(yè)重要的一環(huán)。國(guó)際企業(yè)在NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)先好幾代產(chǎn)品。在我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求大幅增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化具有緊迫性。因此。NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化，可以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，有效化解潛在NAND存儲(chǔ)器供給風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)增強(qiáng)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)于加強(qiáng)我們信息產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略基礎(chǔ)，具有十分重要的作用。（二）智能手機(jī)等移動(dòng)終端多種應(yīng)用、娛樂(lè)需求，要求配備大容量存儲(chǔ)器，使得大容量的NAND具有廣泛的應(yīng)用前景隨著越來(lái)越多的移動(dòng)終端向多媒體應(yīng)用發(fā)展，移動(dòng)終端通話功能主導(dǎo)消費(fèi)者選擇的作用逐漸減弱，移動(dòng)終端的外形時(shí)尚化、娛樂(lè)多樣化、智能便捷化成為消費(fèi)者選擇手機(jī)的新三大標(biāo)準(zhǔn)。聽(tīng)音樂(lè)、視頻、上網(wǎng)、游戲、看電視、手機(jī)錢(qián)包、手機(jī)衛(wèi)星導(dǎo)航等多媒體功能也逐漸成為未來(lái)手機(jī)的必備。娛樂(lè)多樣化、智能便捷化要求移動(dòng)終端具有更加強(qiáng)大、更加快速的處理能力，以及更大容量的閃存。另一方面，由于NAND Flash閃存單元的大小比NOR Flash要小，因此，相同面積的NAND Flash閃存容量比NOR Flash更大，能夠?yàn)楫?dāng)今的低成本消費(fèi)市場(chǎng)提供存儲(chǔ)容量更大的閃存產(chǎn)品。總體來(lái)看，智能手機(jī)等移動(dòng)終端多種應(yīng)用、娛樂(lè)需求，要求配備大容量存儲(chǔ)器。目前NOR Flash容量較小，并且在提升容量方面遭遇技術(shù)復(fù)雜難度提高和成本大幅升級(jí)的困境，不能滿足移動(dòng)終端多種應(yīng)用、娛樂(lè)需求。因此，容量更大、功耗更低、重量更輕和性能更佳的NAND Flash可以適應(yīng)移動(dòng)終端多應(yīng)用、娛樂(lè)化的發(fā)展趨勢(shì)，具有廣泛的應(yīng)用前景。（三）技術(shù)進(jìn)步使得國(guó)際大廠紛紛由NOR Flash轉(zhuǎn)向NAND Flash市場(chǎng)從主流快閃存儲(chǔ)器企業(yè)發(fā)展歷程來(lái)看，國(guó)際大廠剛開(kāi)始以研發(fā)生產(chǎn)NOR Flash為主，當(dāng)技術(shù)積累和創(chuàng)新能力達(dá)到一定程度之后，便紛紛轉(zhuǎn)向NAND Flash的研發(fā)和生產(chǎn)。其主要原因是：從技術(shù)上講，NOR Flash比NAND Flash簡(jiǎn)單，較易實(shí)現(xiàn)，而NAND Flash需要一定的技術(shù)積淀；從產(chǎn)品特點(diǎn)來(lái)看，NOR Flash容量較少，要實(shí)現(xiàn)更大容量，成本急劇增加，而NAND容量較大；從市場(chǎng)上來(lái)講，NAND Flash市場(chǎng)容量是NOR Flash的10倍。具體來(lái)說(shuō)，NAND Flash現(xiàn)在的主流工藝是20nm，產(chǎn)品品種由以前1 Bit/Cell的 SingleLevelCell（SLC）向2 Bit/Cell 的Mlutilevelcell（MLC)過(guò)渡，以及更進(jìn)一步發(fā)展到現(xiàn)在的3 Bit/Cell的 Triplelevelcell (TLC)和未來(lái)將出現(xiàn)的16Bit/Cell，容量增大和成本降低的背后是不斷的技術(shù)更新。而NOR Flash的工藝開(kāi)發(fā)比較復(fù)雜，目前全球最先進(jìn)的制程才45nm，繼續(xù)使用更先進(jìn)的制程做難度大、成本高。同樣容量的NOR Flash比NAND Flash的價(jià)格要高很多，產(chǎn)品不具有價(jià)格優(yōu)勢(shì)。由于NAND Flash在容量、工藝可實(shí)施性上全面超越NOR Flash，使得國(guó)際大廠紛紛由NOR Flash轉(zhuǎn)向NAND Flash市場(chǎng)。（四）智能化電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、智能家電等市場(chǎng)提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的要求，需要大容量存儲(chǔ)器同步協(xié)同隨著智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、智能家居等智能化系統(tǒng)和產(chǎn)品被消費(fèi)者認(rèn)可，消費(fèi)電子產(chǎn)品逐漸出現(xiàn)智能化趨勢(shì)。智能化設(shè)備要求系統(tǒng)對(duì)客戶操作具有較快的響應(yīng)速度，提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的要求，滿足系統(tǒng)對(duì)性能和可靠性的要求,需要大容量存儲(chǔ)器同步協(xié)同。NAND Flash存儲(chǔ)容量和響應(yīng)速度可以滿足智能化產(chǎn)品對(duì)處理速度和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的要求。從單位面積存儲(chǔ)單元數(shù)量來(lái)看，NOR Flash各個(gè)存儲(chǔ)單元并聯(lián)在位線上，這一方面增大了存儲(chǔ)單元的面積，另一方面增加了外圍驅(qū)動(dòng)電路所占面積。目前NOR Flash主流線寬為45nm，如果要做更小的線寬，則將面臨較高的實(shí)現(xiàn)難度，成本將變得不為市場(chǎng)接受。而NAND Flash是把個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)接在位線上，這樣一方面可以縮小存儲(chǔ)單元所需要的面積，另一方面可以極大減少外圍驅(qū)動(dòng)電路，降低芯片面積，從而節(jié)約芯片成本。因此，NAND Flash可以做到更小線寬，單位面積上存儲(chǔ)單元比NOR Flash，從而使得其容量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于NOR Flash。（五）eMMC、SSD應(yīng)用前景為NAND Flash帶來(lái)巨大的增長(zhǎng)空間由于NAND Flash芯片來(lái)自于三星、東芝、海力士、美光等不同廠商。過(guò)去，手機(jī)廠商需要根據(jù)每家公司的產(chǎn)品和技術(shù)特性來(lái)重新設(shè)計(jì)。另外，手機(jī)廠商需要根據(jù)每次NAND Flash制程技術(shù)改朝換代，來(lái)重新設(shè)計(jì)終端。這樣將極大增加手機(jī)廠商的設(shè)計(jì)難度和成本。eMMC把所有存儲(chǔ)器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1顆MCP上，可以簡(jiǎn)化手機(jī)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)。手機(jī)廠商只需要采購(gòu)eMMC芯片，放進(jìn)新手機(jī)中，不需處理其它繁復(fù)的NAND Flash兼容性和管理問(wèn)題，大大縮短新產(chǎn)品的上市周期和研發(fā)成本，加速產(chǎn)品的推陳出新速度。因此，eMMC移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案帶動(dòng)了NAND Flash在移動(dòng)終端上的廣泛應(yīng)用。隨著移動(dòng)終端的快速增長(zhǎng)，NAND Flash也出現(xiàn)巨大的增長(zhǎng)空間。此外，以集成電路形式的NAND Flash(與非門(mén)閃存)芯片作為存儲(chǔ)介質(zhì)的固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Disk，SSD)成為目前應(yīng)用最