【正文】 受。（四）智能化電子產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)、智能家電等市場(chǎng)提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的要求，需要大容量存儲(chǔ)器同步協(xié)同隨著智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、智能家居等智能化系統(tǒng)和產(chǎn)品被消費(fèi)者認(rèn)可，消費(fèi)電子產(chǎn)品逐漸出現(xiàn)智能化趨勢(shì)。具體來(lái)說(shuō)，NAND Flash現(xiàn)在的主流工藝是20nm，產(chǎn)品品種由以前1 Bit/Cell的 SingleLevelCell（SLC）向2 Bit/Cell 的Mlutilevelcell（MLC)過(guò)渡，以及更進(jìn)一步發(fā)展到現(xiàn)在的3 Bit/Cell的 Triplelevelcell (TLC)和未來(lái)將出現(xiàn)的16Bit/Cell，容量增大和成本降低的背后是不斷的技術(shù)更新。目前NOR Flash容量較小，并且在提升容量方面遭遇技術(shù)復(fù)雜難度提高和成本大幅升級(jí)的困境，不能滿足移動(dòng)終端多種應(yīng)用、娛樂(lè)需求。聽音樂(lè)、視頻、上網(wǎng)、游戲、看電視、手機(jī)錢包、手機(jī)衛(wèi)星導(dǎo)航等多媒體功能也逐漸成為未來(lái)手機(jī)的必備。在我國(guó)存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求大幅增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化具有緊迫性。NAND存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化對(duì)于國(guó)內(nèi)下游企業(yè)來(lái)說(shuō)，顯得非常重要。從經(jīng)濟(jì)效益分析和社會(huì)效益分析來(lái)看，該項(xiàng)目是可行的。從項(xiàng)目可行角度分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開發(fā)項(xiàng)目在經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益上具備可行性通過(guò)對(duì)XXX公司實(shí)施NAND Flash開發(fā)項(xiàng)目相關(guān)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)進(jìn)行謹(jǐn)慎測(cè)算，其內(nèi)部收益率高于社會(huì)基準(zhǔn)折現(xiàn)率，說(shuō)明項(xiàng)目的經(jīng)濟(jì)效益較好，盈利能力較強(qiáng)；該項(xiàng)目是國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的項(xiàng)目之一，項(xiàng)目建成后，社會(huì)效益明顯。從微觀公司層面分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開發(fā)項(xiàng)目具有堅(jiān)實(shí)的技術(shù)基礎(chǔ)與管理經(jīng)驗(yàn)從微觀公司層面分析，公司已成功開發(fā)NOR Flash產(chǎn)品，技術(shù)實(shí)力雄厚、核心團(tuán)隊(duì)穩(wěn)定，在自主創(chuàng)新、產(chǎn)品化、本地化服務(wù)、知識(shí)管理等方面有突出表現(xiàn)，能針對(duì)市場(chǎng)變化快速推出符合客戶要求的芯片與整體解決方案，并為客戶提供本地化的技術(shù)支持與定制化設(shè)計(jì)，具備完成項(xiàng)目的技術(shù)基礎(chǔ)與服務(wù)經(jīng)驗(yàn)。2000年國(guó)務(wù)院發(fā)布《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》，從戰(zhàn)略布局上明確了集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展路徑；2005年，財(cái)政部制定了《集成電路產(chǎn)業(yè)研究與開發(fā)專項(xiàng)資金管理暫行辦法》，進(jìn)一步支持中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展；2008年1月，財(cái)政部和國(guó)家稅務(wù)總局發(fā)布了《關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策的通知》，給予集成電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、制造企業(yè)稅收政策優(yōu)惠；2009年，《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃》明確了完善集成電路產(chǎn)業(yè)體系；2011年2月9日，國(guó)務(wù)院辦公廳發(fā)布《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》，對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)的所得稅優(yōu)惠范圍加大。實(shí)驗(yàn)室分別為芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室、硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和軟件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室。芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash的技術(shù)改造，用于開發(fā)、測(cè)試NAND Flash。第一年在原有芯片、軟件、系統(tǒng)設(shè)備的基礎(chǔ)上，引入研發(fā)設(shè)備；同時(shí)通過(guò)內(nèi)部調(diào)撥和外部招聘兩種方式配置研發(fā)人員，完成人員的培訓(xùn)；著手對(duì)NAND Flash進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)。采用多種技術(shù)提高Flash的耐寫能力，達(dá)到甚至超過(guò)10萬(wàn)次擦除/編程，并實(shí)現(xiàn)125度下數(shù)據(jù)存儲(chǔ)長(zhǎng)達(dá)10年。NAND閃存技術(shù)開發(fā)、應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目第一章 總說(shuō)明一、項(xiàng)目名稱NAND 閃存技術(shù)開發(fā)、應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。本項(xiàng)目的成功實(shí)施，將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)閃存芯片設(shè)計(jì)企業(yè)在NAND Flash領(lǐng)域的突破，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。第二年繼續(xù)引入研發(fā)設(shè)備和研發(fā)人員，繼續(xù)對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)和研發(fā)；加大市場(chǎng)推廣力度，盡可能的利用現(xiàn)有產(chǎn)品渠道，擴(kuò)大市場(chǎng)銷售收入。設(shè)備包括開發(fā)PC機(jī)、工作站和EDA開發(fā)工具、版本管理軟件、高速示波器、頻譜分析儀、信號(hào)源等軟硬件設(shè)備。芯片研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash芯片的技術(shù)改造，用于開發(fā)、測(cè)試NAND Flash芯片；硬件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作NAND Flash硬件解決方案的技術(shù)改造，核心模塊的電路設(shè)計(jì)、仿真、測(cè)試；軟件研發(fā)實(shí)驗(yàn)室主要用作芯片產(chǎn)品軟件算法開發(fā)。從中觀行業(yè)層面分析，XXX公司實(shí)施NAND Flash開發(fā)項(xiàng)目面向廣闊的市場(chǎng)空間從中觀行業(yè)層面分析，在迅速增長(zhǎng)的數(shù)碼相機(jī)、SD卡、USB、智能手機(jī)、平板電腦、SSD等消費(fèi)電子類產(chǎn)品產(chǎn)量拉動(dòng)下， NAND Flash存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模也在逐年迅速擴(kuò)大。公司構(gòu)建了較為完善的知識(shí)體系，將技術(shù)管理模塊化、平臺(tái)化。本項(xiàng)目實(shí)施以后，對(duì)北京市以及我國(guó)的快閃存儲(chǔ)器的整體發(fā)展水平有很大幫助。第二章 項(xiàng)目背景及投資必要性一、項(xiàng)目建設(shè)背景（一）大容量NAND存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)化可以填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白，增強(qiáng)我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)力今天市場(chǎng)上最為熱門的智能手機(jī)、平板電腦都使用了NAND存儲(chǔ)器。因?yàn)?，從成本?lái)說(shuō)，NAND存儲(chǔ)器作為重要部件在智能手機(jī)、平板電腦成本中占比約為15%，國(guó)產(chǎn)化有利于提升這些整機(jī)企業(yè)的毛利率；從市場(chǎng)容量來(lái)看，只有實(shí)現(xiàn)了NAND存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)化，中國(guó)快閃存儲(chǔ)器才是真正的國(guó)產(chǎn)化。因此。娛樂(lè)多樣化、智能便捷化要求移動(dòng)終端具有更加強(qiáng)大、更加快速的處理能力，以及更大容量的閃存。因此，容量更大、功耗更低、重量更輕和性能更佳的NAND Flash可以適應(yīng)移動(dòng)終端多應(yīng)用、娛樂(lè)化的發(fā)展趨勢(shì)，具有廣泛的應(yīng)用前景。而NOR Flash的工藝開發(fā)比較復(fù)雜，目前全球最先進(jìn)的制程才45nm，繼續(xù)使用更先進(jìn)的制程做難度大、成本高。智能化設(shè)備要求系統(tǒng)對(duì)客戶操作具有較快的響應(yīng)速度，提高了產(chǎn)品的處理速度和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的要求，滿足系統(tǒng)對(duì)性能和可靠性的要求,需要大容量存儲(chǔ)器同步協(xié)同。而NAND Flash是把個(gè)存儲(chǔ)單元串聯(lián)接在位線上，這樣一方面可以縮小存儲(chǔ)單元所需要的面積，另一方面可以極大減少外圍驅(qū)動(dòng)電路，降低芯片面積，從而節(jié)約芯片成本。另外，手機(jī)廠商需要根據(jù)每次NAND Flash制程技術(shù)改朝換代，來(lái)重新設(shè)計(jì)終端。因此，eMMC移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案帶動(dòng)了NAND Flash在移動(dòng)終端上的廣泛應(yīng)用。 二、項(xiàng)目投資必要性（一）從政策角度看，本項(xiàng)目投資符合中國(guó)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)、彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)外閃存芯片設(shè)計(jì)技術(shù)差距的需要經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)實(shí)力都得到顯著提升，然而，芯片設(shè)計(jì)行業(yè)企業(yè)實(shí)力分散，與整機(jī)企業(yè)脫節(jié)；芯片設(shè)計(jì)與軟件及應(yīng)用開發(fā)，至增值服務(wù)開發(fā)的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)環(huán)境建設(shè)落后，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)發(fā)展質(zhì)量難以提升。發(fā)展中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)，亟待需要培育本土高端集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的創(chuàng)新能力，調(diào)節(jié)市場(chǎng)杠桿，改變由跨國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)壟斷市場(chǎng)的局面，彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)外高端閃存芯片設(shè)計(jì)技術(shù)的差距。國(guó)家政策對(duì)高性能集成電路產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)，是NAND Flash項(xiàng)目能夠得到順利實(shí)施的重要因素?？扉W存儲(chǔ)器存取速度比 DRAM略慢，經(jīng)改進(jìn)，目前存取速度已突破了 30ns 或更高。這些成本降低的背后是不斷的技術(shù)更新，促使國(guó)際大廠紛紛由NOR Flash 轉(zhuǎn)向NAND Flash市場(chǎng)，本項(xiàng)目規(guī)劃的NAND Flash芯片產(chǎn)品，完善了NAND Flash技術(shù)應(yīng)用的各項(xiàng)指標(biāo)，提高了公司快閃存儲(chǔ)器技術(shù)水平。例如，現(xiàn)在的低端智能機(jī)、高端功能機(jī)通常需要1G的快閃存儲(chǔ)器，如果使用價(jià)格較貴的NOR Flash，則成本較高，因此，需要使用1G的 NAND Flash來(lái)代替，存儲(chǔ)程序。從快閃存儲(chǔ)器的發(fā)展歷史來(lái)看，是首先發(fā)展了NOR Flash，再研發(fā)了NAND Flash；從快閃存儲(chǔ)器國(guó)際大廠的發(fā)展歷史來(lái)看，也是先生產(chǎn)NOR Flash產(chǎn)品，再逐漸向生產(chǎn)NAND Flash過(guò)渡，最終占據(jù)大容量NAND Flash市場(chǎng)。第三章 項(xiàng)目的市場(chǎng)分析一、市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀（一）市場(chǎng)規(guī)模經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，中國(guó)已經(jīng)成為全球最大的NAND Flash市場(chǎng)，這得益于其全球電子信息制造業(yè)中心地位。圖31 20072011年中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)（按銷售額）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn) 2012，10（二）基本特點(diǎn)終端帶動(dòng)NAND Flash需求出現(xiàn)快速增長(zhǎng)近年來(lái)，隨著3G、4G等概念的不斷深入，大眾越來(lái)越青睞智能手機(jī)、平板電腦等消費(fèi)電子產(chǎn)品，其銷售的快速增長(zhǎng)也帶動(dòng)了其中主要芯片NAND Flash的爆發(fā)性增長(zhǎng)，同時(shí)NAND Flash價(jià)格的持續(xù)走低又起到一定的推波助瀾作用。（三）應(yīng)用結(jié)構(gòu)在中國(guó)市場(chǎng)，NAND Flash主要用于Flash Card、USB、Handset、Tablet等領(lǐng)域。預(yù)計(jì)到2014年。圖35 20122014年中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)（按銷售額，單位：億元）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn) 2012，10圖36 20122014年中國(guó)NAND Flash市場(chǎng)應(yīng)用結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)（按銷售額，單位：億元）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn) 2012，10（二）產(chǎn)品結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)未來(lái)三年，MLC、TLC仍將是NAND Flash市場(chǎng)發(fā)展的主要推動(dòng)力，由于中國(guó)NAND Flash主要用于Flash Card、手機(jī)和平板電腦等消費(fèi)市場(chǎng)，TLC的增長(zhǎng)尤其明顯。隨著工藝制程由25nm轉(zhuǎn)向20nm，單顆芯片的體積減少約三分之一，從而導(dǎo)致芯片價(jià)格大幅降低。高集成度的NAND Flash產(chǎn)品將使手機(jī)更輕、更薄，這就為增加手機(jī)設(shè)計(jì)靈活性提供了可能，為大幅提高用戶的良好體驗(yàn)創(chuàng)造了空間。公司產(chǎn)品有來(lái)自第三方國(guó)際上著名的代工企業(yè)SMIC、封裝測(cè)試企業(yè)日月光集團(tuán)等企業(yè)在先進(jìn)生產(chǎn)線和強(qiáng)大的產(chǎn)能支持，持續(xù)提升生產(chǎn)工藝和封裝測(cè)試等方面的技術(shù)水平。在中國(guó)大陸NOR Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)占有率第一，國(guó)際SPI NOR Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)域排名第三，在全球的NOR Flash存儲(chǔ)器領(lǐng)域排名第五位，市場(chǎng)占有率高于10%。IP與技術(shù)專利：、90nm、65nm等多代SPI NOR Flash存儲(chǔ)器芯片，擁有SPI NOR Flash從芯片布圖設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)等150多項(xiàng)專利，具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。公司把核心技術(shù)的自主創(chuàng)新作為長(zhǎng)期發(fā)展戰(zhàn)略，將在芯片設(shè)計(jì)中積累的豐富經(jīng)驗(yàn)規(guī)?；Ⅲw系化、平臺(tái)化，建立了良好的知識(shí)管理、知識(shí)分享體系，便于技術(shù)經(jīng)驗(yàn)在研發(fā)過(guò)程中的延續(xù)。自成立至今，公司建立了科學(xué)的管理體制和人才激勵(lì)機(jī)制，擁有來(lái)自于清華大學(xué)、北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院等著名的IC設(shè)計(jì)名校專業(yè)人才48人，建立了一支精干、高效、團(tuán)結(jié)的隊(duì)伍，為公司長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的人才基礎(chǔ)。被北京市授予“特聘專家”稱號(hào)。高性價(jià)比使公司產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有非常強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，對(duì)于芯片這種數(shù)量級(jí)較大的產(chǎn)品，價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)使得公司取得了較高的占有率和良好的客戶聲譽(yù)。隨著NOR Flash芯片應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，客戶對(duì)芯片的服務(wù)需求不斷上升，公司積極捕捉到這樣的機(jī)會(huì)，擴(kuò)充服務(wù)團(tuán)隊(duì)，提升產(chǎn)品的售后服務(wù)。公司的產(chǎn)品種類達(dá)到80多種。XXX公司管理層平均從業(yè)經(jīng)驗(yàn)超過(guò)10年，在實(shí)踐中積累了先進(jìn)的管理理念與管理經(jīng)驗(yàn)。公司的采取市場(chǎng)導(dǎo)向型的組織框架，保證公司很好的將市場(chǎng)和技術(shù)結(jié)合起來(lái)，在研發(fā)同時(shí)注重其商業(yè)應(yīng)用，將高科技的成果轉(zhuǎn)化與客戶需求相結(jié)合，并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、市場(chǎng)化。其中包括設(shè)置符合行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)的組織結(jié)構(gòu)及崗位，設(shè)置科學(xué)適用的績(jī)效考核考評(píng)體系，制定引、育、用、留的薪酬體系。XXX公司采用Fabless模式，在芯片制造采用國(guó)際知名企業(yè)SMIC、華潤(rùn)上華等知名IDM晶圓廠，在芯片測(cè)試方面采用與蘇州京隆、南通富士通、天水華天、華潤(rùn)安盛等封測(cè)廠商合作。表49 2011年全球前五大NOR Flash存儲(chǔ)器芯片廠商模式對(duì)比廠商名稱商業(yè)模式現(xiàn)有制程升級(jí)制程產(chǎn)能/年產(chǎn)能彈性美光IDM65nm45nm12英寸25萬(wàn)片低SpansionIDM65nm、90nm45nm12英寸25萬(wàn)片低旺宏IDM55nm75nm12英寸3萬(wàn)片8英寸12萬(wàn)片低華邦I(lǐng)DM90nm58nm12英寸10萬(wàn)片低XXX公司Fabless65nm、90nm45nm12英寸13萬(wàn)片8英寸2萬(wàn)片高（可擴(kuò)充產(chǎn)能12英寸12萬(wàn)片）數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn)整理 2012，09（二）公司競(jìng)爭(zhēng)力評(píng)價(jià)堅(jiān)實(shí)的技術(shù)與人才基礎(chǔ)、對(duì)國(guó)家政策與市場(chǎng)需求的準(zhǔn)確把握、技術(shù)指標(biāo)突出的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)、行業(yè)領(lǐng)先的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)、成熟的管理制度構(gòu)成了XXX公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司應(yīng)用的IP模塊在設(shè)計(jì)、研發(fā)、實(shí)踐過(guò)程中反復(fù)檢驗(yàn)，各項(xiàng)性能、技術(shù)指標(biāo)趨于穩(wěn)定，便于在其他各類開發(fā)上進(jìn)行復(fù)用。公司在降低系統(tǒng)功耗方面使用了大量先進(jìn)技術(shù)，比如，使用更加優(yōu)化的動(dòng)態(tài)時(shí)鐘分配技術(shù)，采用異步存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)讀取技術(shù)，更先進(jìn)的制程和設(shè)計(jì)工藝，來(lái)降低功耗和成本。成熟的NOR Flash存儲(chǔ)器芯片讀取技術(shù)。成熟的ARM架構(gòu)處理器設(shè)計(jì)能力。公司在原材料采購(gòu)和產(chǎn)品制造、產(chǎn)品營(yíng)銷和服務(wù)等環(huán)節(jié)擁有完整、清晰的業(yè)務(wù)模式，根據(jù)行業(yè)特點(diǎn)和公司戰(zhàn)略采用Fabless經(jīng)營(yíng)模式，公司不直接從事芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)制造，其生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)均以外包方式完成。圖43 XXX公司銷售流程圖數(shù)據(jù)來(lái)源：賽迪顧問(wèn)整理 2012，09（四）組織管理 科學(xué)、有效的管理規(guī)章制度，為XXX公司的工作開展提供了制度依據(jù)。公司整體的產(chǎn)品規(guī)劃發(fā)展由公司管理層結(jié)合市場(chǎng)尋求變化、技術(shù)發(fā)展情況進(jìn)行統(tǒng)籌考慮，制定長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展戰(zhàn)略。本項(xiàng)目采用2x nm及以上先進(jìn)制程N(yùn)AND Flash，也是國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的工藝，開發(fā)高傳輸速率和高可靠性的系列產(chǎn)品，芯片最大工作頻率為133MHz、最大數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá)到532Mbps，支持SPI和ONFI多種接口，滿足系統(tǒng)對(duì)多種讀寫擦的要求，實(shí)行存儲(chǔ)區(qū)的靈活保護(hù)。二、項(xiàng)目研發(fā)目標(biāo)本項(xiàng)目研發(fā)的NAND Flash芯片，項(xiàng)目最終產(chǎn)品研發(fā)目標(biāo)如下：表51 擬升級(jí)開發(fā)芯片功能性能指標(biāo)產(chǎn)品名稱型號(hào)功能描述技術(shù)指標(biāo)NAND Flash芯片u 支持標(biāo)準(zhǔn)SPI, Dual SPI, Quad SPI和QPI數(shù)據(jù)接口u 支持1byte ~ 256 byte programu 支持4KB/32KB/64KB block erase和chip eraseu 支持擦除編程的掛起和恢復(fù)操作u 支持可識(shí)別參數(shù)u 存儲(chǔ)區(qū)域的靈活保護(hù)u 最大工作頻率：133MHz；u 最大數(shù)據(jù)傳輸速率：532M