pcb工藝-鍍通孔-文庫吧
2025-06-23 20:45 本頁面
【正文】 O2 + 2OH + 1/2 O2 (此為自然反應會造成 Mn+4 沉澱 ) c. 作業(yè)方式 :早期採氧化添加劑的方式，目前多用電極還原的方式操作，不穩(wěn) 定的問題已獲解決。 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 5 頁 共 20 頁 d. 過程中其化學成份狀況皆以分析得知，但 Mn+7 為紫色 , Mn+6 為綠色 ,Mn+4 為黑色，可由直觀的色度來直接判斷大略狀態(tài)。若有不正常發(fā)生，則可能 是電極效率出了問題須注意。 e. 咬蝕速率的影響因素 : 見 圖 f. 電極的好處 : (1).使槽液壽命增長 (2).品質穩(wěn)定且無 Byproduct，其兩者比較如 圖 : 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 6 頁 共 20 頁 g. KMnO4 形成 Microrough 的原因 : 由於 Sweller 造成膨鬆，且有結合力之強弱，如此使咬蝕時產生選擇性， 而形成所謂的Microrough。但如因過度咬蝕，將再度平滑。 h. 咬蝕能力也會隨基材之不同而有所改變 i. 電極必須留心保養(yǎng)，電極效率較難定出絕對標準，且也很難確認是否足夠 應付實際需要。故平時所得經驗及廠商所提供資料，可加一係數(shù)做計算， 以為電極需求參考。 C. 中和劑 (Neutralizer): a. NaHSO3 是可用的 Neutralizer 之一，其原理皆類似 Mn+7 or Mm+6 or Mn+4(Neutralizer)Mn+2 (Soluable) b. 為免於 Pink Ring，在選擇 Acid base 必須考慮。 HCl 及 H2SO4 系列都 有，但 Cl 易攻擊 Oxide Layer，所以用 H2SO4 為Base 的酸較佳。 c .藥液使用消耗分別以 H2SO4 及 Neutralizer，用 Autodosing 來補充，維 護。 .整條生產線的考慮 : 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 7 頁 共 20 頁 time：每 Rack(Basket)進出某類槽的頻率 (時間 ) : (Working hours / Cycle time)*( FIight Bar / Hoist)*(Racks/Flight Bar)*(SF/Rack)= SF/Mon Prebaking 對板子的影響 :見 圖 Cure，結構會比 1,3 Cure 更完全，故 Baking 會使結構均一，壓板不足處得以補償。 ，氧化了 Resin 間的 Bonding，使咬蝕速率加劇 2~3 倍。且使 1,2,3 區(qū)較均一。 Stress，減少產生 Void 的機會 . . 製程內主要反應及化學名稱 : A．化學反應 : a .主要反應 4MnO4 + 4OH + Epoxy→ 4MnO4= + CO2↑ + 2H2O b. 副反應： 2MnO4 + 2OH ←→ 2MnO4= + 1/2 O2 + H2O (Side reaction) 中國最大的管理資料下載中心 (收集 \整理 . 部分版權歸原作者所有 ) 第 8 頁 共 20 頁 MnO4= + H2O (CI/SO4= /Catalize Rx.) → MnO2↓ + 2OH + 1/2 O2 (Precipitation formation) 2MnO4= + NaOCI + H2O → 2MnO4 + 2OH + NaCI 4MnO4= + NaS2O8 + H2SO4 → 4MnO4 + 2OH + 2Na2SO4 4MnO4= + K2S2O8 + H2SO4 → 4MnO4 + 2OH + 2K2SO4 (For Chemical regeneration type process reaction) 2MnO4= + 1/2 O2 + H2O ←→2MnO4 + 2 OH (Electrolytic reaction: Need replenish air for Oxgen consumption) ： MnO4 Permanganate NaS2O8 Sodium Persulfate MnO4= Manganate S2O4 Sulfate OH Hydroxide(Caustic) CO2 Carbon Dio
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