【總結(jié)】2022/2/4共88頁1Hspice/Spectre介紹羅豪2022/2/4共88頁2模擬集成電路的設(shè)計流程(DRCLVS)全定制2022/2/4共88頁3各種仿真器簡介?SPICE:由UCBerkeley開發(fā)。用于非線性
2025-01-08 15:09
【總結(jié)】審定成績:序號:25自動控制原理課程設(shè)計報告題目:集成電路設(shè)計認(rèn)識學(xué)生姓名顏平班級0803院別物理與電子學(xué)院專業(yè)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)號14072500125指導(dǎo)老師易立華設(shè)計時間。15
2025-01-17 03:13
【總結(jié)】第三章集成電路制造工藝第三章第三章§硅平面工藝§氧化絕緣層工藝§擴散摻雜工藝§光刻工藝§掩模制版技術(shù)§外延生長工藝§金屬層制備工藝§
2025-04-30 13:59
【總結(jié)】集成電路設(shè)計綜合技術(shù)SynthesisTechnologyforICDesign任課教師:周莉聯(lián)系電話:13006592410E-mail:QQ:12571094562教學(xué)目標(biāo)?熟練掌握Verilog語法與RTL設(shè)計方法?熟練掌握綜合的基本概念?熟練掌握時序基本概念
2025-03-23 00:04
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計過程:設(shè)計創(chuàng)意+仿真驗證集成電路芯片設(shè)計過程框架From吉利久教授
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】引言目的?生產(chǎn)件批準(zhǔn)程序(PPAP)定義了生產(chǎn)零件批準(zhǔn)的一般要求,包括生產(chǎn)和散裝材料(見術(shù)語)。PPAP的目的是用來確定供方是否已經(jīng)正確理解了顧客工程設(shè)計記錄和規(guī)范的所有要求,并且在執(zhí)行所要求的生產(chǎn)節(jié)拍條件下的實際生產(chǎn)過程中,具有持續(xù)滿足這些要求的潛在能力。適用性?PPAP必須適用于內(nèi)部的
2025-08-09 14:42
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第十章基本數(shù)字集成電路設(shè)計(補充)華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授基本數(shù)字集成電路設(shè)計(補充)?靜態(tài)傳輸邏輯設(shè)計?靜態(tài)恢復(fù)邏輯設(shè)計?動態(tài)恢復(fù)邏輯設(shè)計?時序電路設(shè)計基礎(chǔ)第十章基本數(shù)字集成電路設(shè)計(補充)CMOS靜態(tài)傳輸邏輯設(shè)計
2025-01-08 14:24
【總結(jié)】1第7章組合邏輯電路P90集成電路設(shè)計系列2本章概要?概述?靜態(tài)CMOS電路?鏡像電路?C2MOS?準(zhǔn)nMOS電路?動態(tài)CMOS電路?多米諾邏輯?雙軌邏輯電路?CMOS邏輯電路的比較?多路選擇器?二進制譯碼器?優(yōu)先權(quán)譯碼器3
2025-08-15 23:59
【總結(jié)】55/55PLD設(shè)計問答1.?答:SCF文件是MAXPLUSII的仿真文件,可以在MP2中新建.1.用Altera_Cpld作了一個186(主CPU)控制sdram的控制接口,發(fā)現(xiàn)問題:要使得sdram讀寫正確,必須把186(主CPU)的clk送給sdram,而不能把clk經(jīng)cpld的延時送給sdram.兩者相差僅僅4ns.而時序通過邏輯分析儀
2025-07-09 12:48
【總結(jié)】集成電路分析與設(shè)計第一章集成電路基本制造工藝本章概要?雙極工藝流程?CMOS工藝流程?CMOS先進工藝?BiCMOS工藝流程?無源器件雙極工藝流程典型NPN管剖面圖雙極工藝流程襯底選擇(1)襯底選擇對于典型的PN結(jié)隔離雙極集成電路,襯底一
2025-01-07 01:53
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路MOS集成電路的基本制造工藝半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路?CMOS工藝技術(shù)是當(dāng)代VLSI工藝的主流工藝技術(shù),它是在PMOS與NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。其特點是將NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底上。?CMOS工藝技術(shù)一般可分為三類,即?P阱CMOS工藝?
2025-07-25 19:09
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2022/5/24pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝2022/5/24P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-
2025-04-26 12:59
【總結(jié)】第二章制造工藝本章分為四部分:紫外線光掩模版光刻膠可進行摻雜,離子注入,擴散等工藝n版圖是集成電路從設(shè)計走向制造的橋梁,它包含了集成電路尺寸、各層拓?fù)涠x等器件相關(guān)的物理信息數(shù)據(jù)。n版圖(Layout)集成電路制造廠家根據(jù)這些數(shù)據(jù)來制造掩膜。掩模版的作用n掩膜上的圖形決定著芯片上器件或連接物理層的尺寸
2025-01-23 10:42
【總結(jié)】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,