【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-06-16 03:20
【摘要】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-03-06 09:42
【摘要】國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓良1第一章集成電路制造工藝流程集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實(shí)現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。國(guó)際微電子中心集成電路設(shè)計(jì)原理2022/5/30韓
2025-06-19 18:02
【摘要】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹實(shí)驗(yàn)地點(diǎn):信息科學(xué)實(shí)驗(yàn)中心研究生實(shí)驗(yàn)訓(xùn)練基地馮立松汪瀚2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(cal
2025-04-06 06:15
【摘要】模擬集成電路原理與設(shè)計(jì)劉海濤重慶大學(xué)模擬集成電路設(shè)計(jì)課程目的:使學(xué)生掌握CMOS技術(shù)實(shí)現(xiàn)模擬集成電路設(shè)計(jì)方法途經(jīng):1.拓展技術(shù)背景和建摸知識(shí)2.介紹模擬集成電路分層次設(shè)計(jì)方式3.強(qiáng)調(diào)概念的理解和分析方法
2025-06-29 12:14
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個(gè)重?fù)诫sN區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-03-01 16:50
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-02-24 01:54
【摘要】2022/2/41第二章IC制造材料結(jié)構(gòu)與理論了解集成電路材料半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)與結(jié)型二極管雙極型晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應(yīng)用到的材料分類
【摘要】大連東軟信息學(xué)院1專用集成電路設(shè)計(jì)——項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)2022年8月22日嵌入式系統(tǒng)工程系張永鋒大連東軟信息學(xué)院2內(nèi)容提綱?項(xiàng)目概況?項(xiàng)目設(shè)計(jì)?項(xiàng)目成果?項(xiàng)目考核?小結(jié)大連東軟信息學(xué)院3
2025-02-21 19:25
【摘要】華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?IC設(shè)計(jì)基礎(chǔ)EDAC華僑大學(xué)電子工程電系2022年華?僑?大?學(xué)?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實(shí)?驗(yàn)?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-02-25 15:42
【摘要】大連理工大學(xué)電信學(xué)院1CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)巢明大連理工大學(xué)電信學(xué)院2課程背景?課程目的:?掌握構(gòu)成CMOS模擬集成電路的基本器件模型?理解運(yùn)算放大器的性能指標(biāo)?能夠正確使用仿真工具進(jìn)行分析,仿真和設(shè)計(jì)?了解CMOS集成電路的設(shè)計(jì)流程?完成一個(gè)兩級(jí)運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)和仿真
2025-03-07 02:36
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)莫冰華僑大學(xué)電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室第五章MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性MOS場(chǎng)效應(yīng)管MOS管的閾值電壓體效應(yīng)MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應(yīng)MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2025-02-24 01:55
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對(duì)邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點(diǎn)。邏輯門的功能會(huì)因制造過程的差異而偏離設(shè)計(jì)的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會(huì)使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計(jì)的期望值(電感、電容耦合,電源
2024-08-25 18:10
【摘要】Spectre/Virtuoso/Calibre工具使用介紹2023/3/241共88頁模擬集成電路的設(shè)計(jì)流程(spectre)(virtuoso)(DRCLVS)(calibre)(calibre)(spectre)(gdsii)全定制2023/3/
【摘要】集成電路設(shè)計(jì)北京大學(xué)?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過程框架