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2025-02-24 01:54本頁面
【正文】 J T , P / N M OS , R , C E C L , C M OS V L S I,ULSI Si l i c o n 硅 Si / Ge D , HB T / H E M T E C L / S C FL L S I M E S FE T D , M E S F E T , R , C , L S C FL L S I, V L S I HEMT D , E / D HEMT , R , C , L S C FL L S I, V L S I Ga A s 砷化鎵 HBT D , HB T , R , C , L E C L , C M L M S I, L S I HEMT D , HEM T , R , C , L S C FL , C M L MSI In P 磷化銦 HBT D , HB T , R , C , L E C L , C M L MSI 圖 幾種 IC工藝速度功耗區(qū)位圖 雙極型集成電路的基本制造工藝 MESFET和 HEMT工藝 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝 BiCMOS工藝 雙極性硅工藝 ? 早期 的雙極性硅工藝： NPN三極管 p+p+n+np n+ n+pS i O 2B E CB u ri e d L ay e r M e t a lp n I s o l at i o np n I s o l at i o n圖 1 2 3 ? 先進(jìn) 的雙極性硅工藝： NPN三極管 圖 2 5 6 7 8 ? GaAs基 同質(zhì)結(jié) 雙極性晶體管并不具有令人滿意的性能 HBT工藝 LmLswo ?gRIV ?? Isw隨渡越時間的減小而增大 AlGaAs /GaAs基 異質(zhì)結(jié) 雙極性晶體管 (a) (b) 圖 GaAs HBT的剖面圖 (a)和能帶結(jié)構(gòu) (b) ○ ○ ○ ? GaAs 基 HBT ? InP 基 HBT ? Si/SiGe的 HBT MESFET和 HEMT工藝 ? GaAs工藝： MESFET 圖 GaAs MESFET的基本器件結(jié)構(gòu) ?引言 歐姆 歐姆 肖特基 金鍺合金 MESFET ? 增強(qiáng)型和耗盡型 ? 減小柵長 ? 提高導(dǎo)電能力 ? GaAs工藝： HEMT 圖 簡單 HEMT的層結(jié)構(gòu) ? 柵長的減小 大量的可高速遷移的電子 ? GaAs工藝： HEMT工藝的三明治結(jié)構(gòu) 圖 DPDQWHEMT的層結(jié)構(gòu) Main Parameters of the mm Gate Length HEMTs HEMTType Parameters EHEMT DHEMT V th V V I dsmax 200 mA/mm (V gs = V) 180 mA/mm (V gs = 0 V) G m 500 mS/mm 400 mS/mm R s W mm W ? 閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度； ? 驅(qū)動電流小 ? 閾值電壓變化大：由于跨導(dǎo)大，在整個晶圓上， BJT的閾值電壓變化只有幾毫伏，而MESFET， HEMT由于跨導(dǎo)小，要高十倍多。 圖 鋁柵 PMOS工藝特點： l 鋁柵 ， 柵長為 20?m。 l 氧化層厚 1500197。 l 速度低 ， 最小門延遲約為 80?100ns
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