集成電路設計基礎ch(1)-展示頁
2025-01-16 01:54本頁面
【正文】 a n c e m en tP M OSE n h a n c e m en tNM OSD e p l e t i o nENMOS的結構示意圖 (增強型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 ENMOS的結構示意圖 DNMOS的結構示意圖 (耗盡型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 DNMOS的結構示意圖 EPMOS的結構示意圖 (增強型 VD=0V, Vgs=Vsb=0V) 圖 EPMOS的結構示意圖 ? 工作原理：在柵極電壓作用下，漏區(qū)和源區(qū)之間形成導電溝道。 那么 ， 為什么 MOS發(fā)展早期不用 NMOS工藝做集成電路呢 ？ 問題是 NMOS工藝遇到了難關 。 ? 增加了電路的可靠性 。 標準硅柵 PMOS工藝 圖 硅柵工藝的優(yōu)點： l自對準 的 ， 它無需重疊設計 ， 減小了電容 ，提高了速度 。 那時的多晶硅還是絕緣體 ， 或非良導體 。 ? 在硅柵工藝中 ， S， D， G是一次掩膜步驟形成的 。 自對準技術與標準硅工藝 ? 1970年 ， 出現(xiàn)了硅柵工藝 (采用了自對準技術 ） 。 讓 D， S和 G三個區(qū)域一次成形 。 2 加長了柵極 ， 增大了管子尺寸 ， 集成度降低 。 在 MOS工藝中 ， 不對齊的問題 ， 不是圖案難看的問題 ， 也不僅僅是所構造的晶體管尺寸有誤差 、 參數(shù)有誤差的問題 ， 而是可能引起溝道中斷 ， 無法形成溝道 ， 無法做好晶體管的問題 。 這好比彩色印刷中 ， 各種顏色套印一樣 ， 不容易對齊 。 l 集成度低 ， 只能制作寄存器等中規(guī)模集成電路 。 l 電源電壓為 12V。 l N型襯底 ， p溝道 。 MOS工藝和相關的 VLSI工藝 圖 MOS工藝的分類 認識 MOSFET G ateDr ai nS o u rcen + n +L effL D r aw nL Dp s u b s tr a teSGDP o l yO xi d eWn+ n +線寬 (Linewidth), 特征尺寸 (Feature Size)指什么？ MOS工藝的特征尺寸 (Feature Size) ?特征尺寸 : 最小線寬 ? 最小柵長 圖 PMOS工藝 早期的鋁柵工藝 ? 1970年前 ， 標準的 MOS工藝是鋁柵 P溝道 。mm f T 45 GHz 40 GHz 表 : ?m 柵長 HEMT的典型參數(shù)值 不同材料系統(tǒng)的研究 ? GaAs ? InP ? SiGe 與 Si三極管相比， MESFET和 HEMT的缺點為 : ? 跨導相對低 。集成電路設計基礎 莫冰 華僑大學電子工程系 廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室 第四章 集成電路器件工藝 雙極型集成電路的基本制造工藝 MESFET和 HEMT工藝 MOS工藝和相關的 VLSI工藝 BiCMOS工藝 第四章 集成電路器件工藝 IC 材料、工藝、器件和電路 材料 工藝 器件 電路形式 電路規(guī)模 Si B i p o l a r D , B J T , R , C , L T T L , E C L , C M L L S I N M OS D , N M OS , R , C N M OS , S C FL V L S I C M OS D , P/ N M OS , R , C C M OS , S C FL U L S I, GS I B i C M OS D , B
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