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正文內(nèi)容

半導體存儲器和可編程邏輯器件-閱讀頁

2025-07-13 09:45本頁面
  

【正文】 。 15.PROM的與陳列(地址譯碼器)是 。 不同點:只讀存儲器ROM用于存放固定不變的數(shù)據(jù),存儲內(nèi)容不能隨便更改。EPROM是可擦除的可編程只讀存儲器 EEPROM是電擦除的可編程只讀存儲器。EPROM是可擦除的可編程只讀存儲器 EEPROM是電擦除的可編程只讀存儲器,使用最方便。存儲距陣由許多個存儲單 元排列而成。85 靜態(tài)RAM的存儲單元為觸發(fā)器,工作時不需刷新,但存儲容量較小。隨時讀出數(shù)據(jù)或 改寫存儲的數(shù)據(jù),并且讀/寫數(shù)據(jù)的速度很快,因此,RAM多用于需要經(jīng)常更換數(shù)據(jù)的場合,最典型的應用就是計算機中的內(nèi)存。87 電路如圖所示:88 PAL有雙極型熔絲工藝和E2CMOS兩種工藝。它們的 輸出電路的結構類型由型號決定,在一些定型產(chǎn)品中仍在使用,一般不再用來開發(fā)新產(chǎn)品。GAL器件采用了可編程的輸出邏輯宏單元OLMC,通過編程設置成不同的輸出方式,可以用同一種型號的GAL器件實現(xiàn)PAL器件所有的各種輸出電路工作模式,從而增強了器件的通用性,它是目前應用最廣泛的PLD。PLD的突出特點是:可以通過編程的方法設置其邏
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