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半導(dǎo)體存儲器和可編程邏輯器件(參考版)

2025-07-01 09:45本頁面
  

【正文】 812 (1) PAL (2)GAL (3)ISP813選擇題1. BD2. D3. C4. C5. C6. C7. A8. D9. B10. A11. D12. C13. A14. ACD15. B184 / 7。89 Y1=AB+BC+CD+AD Y2= Y3= Y4=810 驅(qū)動方程:D1= ;D2= 狀態(tài)方程:Q1N+1= Q2n+1=狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖: 811 目前適用最多的PLD產(chǎn)品主要有可編程陣列邏輯PAL(Programmabel Array Logic的縮寫)、通用陣列邏輯GAL(Generic Array Logic的縮寫)和在系統(tǒng)可編程器件ISPPLD(InSystem Programmabel PLD的簡稱)。GAL,采用E2CMOS工藝,改寫方便。前一種不能改寫,后一種能改寫。但RAM在斷電后,數(shù)據(jù)將全部丟失。動態(tài)RAM的存 儲單元是利用MOS管具有極高的輸入電阻,在柵極電容上可暫存電荷的特點來存儲信息的,由于柵極電容存在漏電,因此,
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