存儲器與可編程邏輯器件(參考版)
2025-06-29 16:04本頁面
【正文】 最后，根據(jù)選用234位ROM畫出實現(xiàn)F3，F(xiàn)2，F(xiàn)1和F0的ROM陣列圖，所示。C F2= F1=ABC F0=然后，用兩種方法可方便地畫出用84位ROM實現(xiàn)Fl，F(xiàn)1，F(xiàn)，F(xiàn)o的陣列圖。解：首先寫出3變量與、或非、異或、與或非的4個邏輯函數(shù)，并分別用F3，F(xiàn)2，F(xiàn)1，F(xiàn)0表示，即F3=AGAL速度快、功耗低、集成度高，具有電可擦除實現(xiàn)多次編程的功能，使用靈活方便，是各種PLD中最為流行的一種。1)可編程只讀存儲器PROM由固定的與陣列和可編程的或陣列組成。 (d)表示兩種緩沖器，F(xiàn)1＝為反相緩沖器，F(xiàn)2＝A為同相緩沖器。圖中，“．”表示固定連接；‘’表示可編程連接；無點也無叉則表示不連接。與陣列對輸入項進(jìn)行與運算，其輸出在或陣列中進(jìn)行或運算。在MOS型RAM中，按其工作模式又分為動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM兩種。使用時，只有片選信號CS＝0的一片RAM工作，其余各片CS＝1時，不工作。 一片RAM芯片所能存儲的信息量是有限的，可用多片RAM組成大容量存儲器。但一旦電源中斷，所存的信息就會隨之消失，
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