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正文內(nèi)容

存儲器和可編程邏輯器件(參考版)

2024-12-31 21:49本頁面
  

【正文】 由于 GAL芯片內(nèi)部電路結構復雜,具體分析從略。 GAL既能用作組合邏輯器件,也能時序邏輯器件;其輸出引腳既能用作輸出端,也能配置成輸入端。因此,需將 Y0~ Y2的“與或”邏輯函數(shù)式化簡,然后分別對其“與”陣列和“或”陣列進行編程。 1 A2 1 A1 1 A0 ≥1 D2 D1 ≥1 D0 ≥1 圖 PLA陣列圖 可編程“或” 陣列 可編程“與” 陣列 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 例 3 : 試用 PLA產(chǎn)生例 2的一組邏輯函數(shù)。 3. 電可改型只讀存儲器 (EEPROM) 盡管 EPROM能實現(xiàn)擦除重寫的目的,但由于紫外線照射時間和照度均有一定要求,擦除的速度也比較慢,為此,又產(chǎn)生了 EEPROM。 76320 )()()(mmmmDCBACDBADBCABCDADDCBADDBCABBCAY?????????????? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 13121 )(mmDCBADCBADDCABY??????1410762 )(mmmDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY???????????(3)由 Y0~ Y2最小項畫出 PROM的編程陣列圖 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 PROM 產(chǎn)生一組邏輯函數(shù) 固定“與” 陣列 DCBAA 1 1 B 1 C 1 D Y0 Y1 Y2 m2 m3 m6 m7 m10 m12 m13 m14 可編程“或” 陣列 1312 mm ? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2. 可改寫型只讀存儲器 (EPROM) PROM只能 一次 編程,而 EPROM則可多次 擦去并重新寫入 新內(nèi)容。 解: (1)根據(jù)反相加法運算電路可得出階梯波電壓 u0 )24(8 I0I1I2I3 uuuu ?????)248( I0I1I2I30 uRRuR/ RuR/ RuR/ Ru ?????R0123 )24(8 UDDDD ????? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 u10 R R/2 u11 R/4 u12 R/8 u13 A0 D0 D1 A1 D2 A2 D3 A3 PROM 二 進 制 計 數(shù) 器 C –UR R R2 – + ∞ △ + + u0 RD 電子開關 圖 用 PROM構成階梯波發(fā)生器 uO 1 0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 C 4UR 8UR 圖 階梯波 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 uo C 0 1 2 3 4 5 6 7 A0 表 PROM的編程表 9 10 11 12 8 A1 A2 A3 D0 D1 D2 D3 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 1 1 0 1 0 0 1 0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 4UR 5UR 6UR 7UR 8UR 7UR 6UR 5UR 4UR 2UR 1UR 0 3UR (2)由電壓 u0的關系式及其波形列出 PROM的編程表 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1 1 1 1 m15 1 1 1 0 m14 1 1 0 1 m13 1 1 0 0 m12 1 0 1 1 m1
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