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金屬互連技術(shù)ppt課件-在線瀏覽

2025-06-24 03:45本頁面
  

【正文】 ? 鋁的電阻率低,導(dǎo)電性好; ? 鋁能與 N+和 P+的鍺和硅同時形成良好的歐姆接觸; ? 對二氧化硅的粘附性良好; ? 鋁便于蒸發(fā)淀積形成薄膜和光刻腐蝕加工形成布線。 ? 鋁和硅間產(chǎn)生固 固擴(kuò)散 集成電路封裝時 400~ 500℃ 的溫度, Si→Al 中,溶解度達(dá) %,會使 Si— Al界面出現(xiàn)孔穴。 ? 鋁不能承受高溫處理 鋁和硅接觸的最低共熔點(diǎn)為 577℃ 。 ? 鋁存在電遷移現(xiàn)象 缺點(diǎn) 鋁電遷移 在集成電路中,隨著集成度的提高,要求金屬引線具有越來越小的面積。 加載之前 加載 200 ℃ ,10000A
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