其他的顯微分析方法-展示頁(yè)
2025-05-24 07:36本頁(yè)面
【正文】 像的能力較高，所以當(dāng)某些元素分布采用EPMA的特征 X射線(xiàn)像所得襯度不好或難以探測(cè)時(shí)，采用離子探針顯微分析法可獲得滿(mǎn)意的結(jié)果。 ? 使用離子探針作薄膜組分的定性或定量分析時(shí) ， 為消除樣品表面污染和吸附的影響 ， 應(yīng)加大一次離子束進(jìn)行刻蝕 ， 然后再縮小離子束斑直徑進(jìn)行分析 。 ? 使用離子探針顯微分析可進(jìn)行如下分析： ① 同位素分析； ② 輕元素高靈敏度分析； ③ 極薄表面 （ 約 10～ 1000197。其他的顯微分析方法 材料測(cè)試分析技術(shù) 離子探針顯微分析 IMMA ? 離子探針顯微分析（ IMMA， Ion Microprobe Mass Analysis）是一種利用質(zhì)譜儀對(duì)從固體樣品表面激發(fā)的二次離子進(jìn)行元素分析的裝置。 離子探針顯微分析 ? 離子探針顯微分析是利用離子源產(chǎn)生的一次離子加速形成能量為 1～ 10KeV的離子束 ， 然后將其打向樣品表面產(chǎn)生的正 、 負(fù)二次離子引入質(zhì)譜儀 ， 經(jīng)放大后記錄下荷質(zhì)比 （ m／ e） 及其強(qiáng)度并根據(jù)荷質(zhì)比和強(qiáng)度進(jìn)行元素的定性和定量分析 。） 的分析； ④ 在給定適當(dāng)條件后 ， 可作包括縱向的三維分析 。 在作縱向分析時(shí) ， 應(yīng)考慮縱向分辨率 、 濃度測(cè)定 、 靈敏度和三維觀察等各因素 ， 必須嚴(yán)格控制測(cè)量條件 。 低能電子衍射 LEED 晶體中的原子對(duì)能量在 0~500 eV范圍內(nèi)的電子有很大的散射截面 ， 入射電子在經(jīng)受彈性或非彈性散射之前是不能進(jìn)入晶體很深的 。 ? 晶體表面的原子排列 ? 氣相沉積表面膜的生長(zhǎng) ? 氧化膜的形成 ? 氣體吸附和催化 俄歇電子能譜分析 AES ? 俄歇電子能譜分
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