存儲器和可編程邏輯器件-文庫吧資料
2025-01-02 21:49本頁面
【正文】 1 1 0 1 0 m10 1 0 0 1 m9 1 0 0 0 m8 0 1 1 1 m7 0 1 1 0 m6 0 1 0 1 m5 0 1 0 0 m4 0 0 1 1 m3 0 0 1 0 m2 0 0 0 1 m1 0 0 0 0 m0 A3 A2 A1 A0 D3 D2 D1 D0 地 址 譯 碼 器 圖 PROM 陣列圖 (3)由 PROM編程表畫出 PROM的編程陣列圖 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 例 2: 試用 PROM產(chǎn)生一組邏輯函數(shù)。說明：圖中電子開關(guān)由 PROM位線電平控制，當(dāng) D=1時，開關(guān)接基準(zhǔn)電壓 UR。 ROM存儲的內(nèi)容決定。 A B C Y Y=AC (a) A C B ≥1 Y (b) Y=A+C 1 Y (c) Y1=A Y2=A A Y1 Y2 圖 PLD陣列中的邏輯符號 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 可編程只讀存儲器 （ PROM） 廠家制造 PROM時，使存儲矩陣（“或”陣列）的所有存儲單元的內(nèi)容全為“ 1”（或“ 0”），用戶可根據(jù)自己的需要自行確定存儲單元的內(nèi)容。 (2)叉點 “ ?” 表示該點為用戶定義編程點，出廠時此點是接通的 , 用戶可根據(jù)需要斷開或保持接通。 圖 PLD的結(jié)構(gòu)框圖 輸入電路 與 陣列 或 陣列 輸出電路 ... ... 可編程邏輯器件 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 PLD中常用邏輯符號的含義 在圖 (a)中 , 多個輸入端 “與”門只用一根輸入線表示，稱 乘積線 。 一般情況下，大容量的存儲器使用動態(tài) RAM；小容量的存儲器使用靜態(tài) RAM。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2114靜態(tài) RAM MOS型 RAM 靜態(tài) RAM： 管子數(shù)目多，功耗大，但只要不斷電，信息就永久保存。 3. 讀 /寫控制電路： 當(dāng) R/W=1時，執(zhí)行讀操作， R/W=0時，執(zhí)行寫操作。與 ROM不同的是 RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預(yù)先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構(gòu)成。 優(yōu)點： 讀 /寫方便 缺點： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲器的信息會隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長期保存。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 隨機存取存儲器 隨機存取存儲器（ RAM） ，它能隨時從任何一個指定地址的存儲單元中取出（讀出）信息， 也可隨時將信息存入（寫入）任何一個指定的地址單元中。當(dāng)?shù)刂份斎胗? 000~110周期地循環(huán)變化時 , 即可逐行掃描各字線 , 把字線 W0~ W7所存儲的字母“ R”的字形信息從位線 D0~ D4讀出。 下面用 ROM構(gòu)成的字符發(fā)生器顯示字母 R來說明其工作原理。 輸入變量 A —— 加數(shù) B —— 加數(shù) C0 —— 低位進(jìn)位數(shù) 輸出變量 S —— 本位和 C0 —— 向高位進(jìn)位數(shù) 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的應(yīng)用 A B C0 十進(jìn)制 最小項 被選中 字線 最小項編號 位線 S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 A B C0 A B C0 A B A C0 A C0 B C0 B C0 A B B C0 A C0 B A W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 W4=1 W5=1 W6=1 W7=1 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 表 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 根據(jù)表 ： 74210000 mmmm CBACBACBACBAS ???? ????76530000 mmm CBACBACBACBAC ???? ????WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 項 譯 碼 器 0CBA 000CBA 000CBA圖 ROM構(gòu)成的全加器 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁
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