【正文】 多次 擦去并重新寫入 新內(nèi)容。因此，需將 Y0~ Y2的“與或”邏輯函數(shù)式化簡，然后分別對其“與”陣列和“或”陣列進行編程。 (2)叉點 “ ?” 表示該點為用戶定義編程點，出廠時此點是接通的 , 用戶可根據(jù)需要斷開或保持接通。當?shù)刂份斎胗? 000~110周期地循環(huán)變化時 , 即可逐行掃描各字線 , 把字線 W0~ W7所存儲的字母“ R”的字形信息從位線 D0~ D4讀出。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的工作原理 圖 ROM電路 1 1 A0 A1 字線 位線 讀出電路 地址譯碼器 存儲矩陣 存儲輸出 地址輸入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 存“ 1” 存“ 0” 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 (1) 存儲矩陣 ROM的工作原理 1. 二極管構成的 ROM的工作原理 圖中的存儲矩陣有 四條字線和四條位線 。 MOS型存儲器：速度較慢，功耗小， 集成度高。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的工作原理 四個地址的邏輯式分別為： 010AAW ? 011 AAW ? 012 ? 013 A?地址譯碼器特點： （ 1） N取一譯碼：即 N條字線中，每次只能選中一條字線。 2. 地址譯碼器： 也是 N取一譯碼器。當 D=0時，開關接地。此外，它還可以設置加密位。 圖 由二極管和熔斷絲構成的存儲單元 熔斷絲 位線 字線 存儲“ 1” 存儲“ 0” 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 PROM的陣列圖 A2 1 1 A1 1 A0 ≥1 D2 D1 ≥1 D0 ≥1 或 陣列 與 陣列 WO W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 固定“與” 陣列 可編程“或” 陣列 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 例 1: 圖 PROM構成的階梯波信號發(fā)生器，輸出電壓 u0的波形由 P圖。因此也稱為讀 /寫存儲器。當選中 W0（為高電平）字線時，兩個二極管導通，使位線 D0和 D2為 “ 1” ，這相當于接有二極管的交叉點存 “ 1”。下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 第 23章 存儲器和可編程邏輯器件 只讀存儲器 隨機存取存儲器 可編程邏輯器件 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 本章要求 ROM, RAM, PROM, EPROM和 ROM 的結構和工作原理及功能的區(qū)別。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的工作原理 交叉點處沒有接二極管處，相當于存 “ 0” ；位線 D1和 D3為 “ 0” ，這相當于沒接有二極管的交叉點存 “ 0”。 優(yōu)點： 讀 /寫方便 缺點： 信息容易丟失，一旦斷電，所存儲器的信息會隨之消失，不利于數(shù)據(jù)的長期保存。 ROM存儲的內(nèi)容決定。由于 GAL芯片內(nèi)部電路結構復雜，具體分析從略。說明：圖中電子開關由 PROM位線電平控制，當 D=1時，開關接基準電壓 UR。與 ROM不同的是 RAM存儲單元的數(shù)據(jù)不是預先固定的，而是取決于外部輸入信息，其存儲單元必須由具有記憶功能的電路構成。 (2) 地址譯碼器 圖中是一個二極管譯碼器，兩位地址代碼 A1A0可指定 四 個不同的地址。 3. 會 用可編程邏輯器件 構成簡單的邏輯函數(shù) 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 半導體存儲器分類： 按功能 只讀存儲器（ ROM） 隨機存取存儲器（ RAM） 按元件 雙極型存儲器 :速度快，功耗大。共有十六個交叉點，每個交叉點都可看作一個存儲單元。使顯示設備一行行的顯示出圖 (b)的字形。 (3)既無黑點 “ ?” 也無叉點 “ ?” 時，表示該點是斷開的或編程時擦除的，其對應的變量 B不是“與”門的輸入量。 CAY ?0 CBA?1 BCADACDBCADABCBCDADCBAAADBCBCDADCBAY?????????? )(2 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 用 PLA產(chǎn)生一組邏輯函數(shù) 1 A 1 B 1 C 1 D Y0 Y1 Y2 可編程“與” 陣列 與 PROM陣列的編程相比 PLA的編程簡捷得多 可編程“與” 陣列 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 （ GAL） 通用陣列邏輯（ GAL） 是一種可多次編程、可電擦除 的通用邏輯器件，它具有功能很強的可編程的輸出級，能靈活地改變工作模式。 CAY ?0 CBAY ?1 DCBDCBADCBAY ???2解： (1)由于 PROM的地址譯碼器是固定的最小