【正文】 AM1 D0 D7 A0 A12 CE1 系統(tǒng)地址線數(shù) =15 系統(tǒng) :A0 ~ A14 A13 ~ A14? 2023H 2023H 2023H ┇ 3FFFH 4000H 400H 4002H ┇ 5FFFH 6000H 6001H 6002H ┇ 7FFFH 0000H 0001H 0002H ┇ 1FFFH 芯片 :A0 ~ A12 32K 8位存儲(chǔ)器系統(tǒng)的地址分配表 各RAM芯片 譯碼器有效輸出端 擴(kuò)展的地址輸入端 A14 A13 8K 8位 RAM芯片地址輸入端 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 對(duì)應(yīng)的十六進(jìn)制地址碼 Ⅰ 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0000H 0001H 0002H ┇ 1FFFH Ⅱ 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2023H 2023H 2023H ┇ 3FFFH Ⅲ 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4000H 400H 4002H ┇ 5FFFH Ⅳ Y0 Y1 Y2 Y3 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6000H 6001H 6002H ┇ 7FFFH A12? A0 CE WE D7? D0 8K ? 8 位 （ Ⅳ ） 8K ? 8 位 （ Ⅲ ） 8K ? 8 位 （ Ⅱ ） 8K ? 8 位 （ Ⅰ ） D7? D0 A12? A0 WE A1 A0 A14 A13 EN Y0 Y1 Y2 Y3 13 13 13 13 13 8 8 8 8 8 74139 A12? A0 CE WE D7? D0 A12? A0 CE WE D7? D0 A12? A0 CE WE D7? D0 字?jǐn)?shù)的擴(kuò)展可以利用外加譯碼器控制存儲(chǔ)器芯片的片選輸入端來實(shí)現(xiàn)。開始 讀 A7 數(shù)據(jù) 開始讀 A4地址單元數(shù)據(jù) I/O輸入 A5數(shù)據(jù) 。 字線 位線 熔斷絲 ? E2PROM： 由隧道 MOS管組成的， 可用電擦出 可編程 ROM ? EPROM：由疊柵 SIMOS管組成的，芯片外有透明的石英板蓋， 利用紫外線照射可以擦出全部的內(nèi)容。字?jǐn)?shù) =2n，（ n為存儲(chǔ)器外部地址線的線數(shù)。） ? 字長(zhǎng)（位數(shù)） ：表示一個(gè)多位二進(jìn)制碼信息稱為一個(gè)字，字的位數(shù)稱為字長(zhǎng)。 ? 快閃存儲(chǔ)器（ Flash Memory ）： 讀出操作與普通ROM相同，但寫操作是按照 Block進(jìn)行，先擦出再寫入。開始 寫 A6 數(shù)據(jù) I/O輸出 A4數(shù)據(jù) 。 復(fù)雜可編程邏輯器件 (CPLD) CPLD的結(jié)構(gòu) CPLD編程簡(jiǎn)介 PLD的結(jié)構(gòu)、表示方法及分類 與門 陣列 或門 陣列 乘積項(xiàng) 和項(xiàng) PLD主體 輸入 電路 輸入信號(hào) 互補(bǔ) 輸入 輸出 電路 輸出函數(shù) 反饋輸入信號(hào) ? 可由或陣列直接輸出 ， 構(gòu)成組合輸出； ? 通過寄存器輸出 ， 構(gòu)成時(shí)序方式輸出 。 編程條件 （ 1）專用編程電纜；（ 2）微機(jī)；（ 2） CPLD編程軟件。 ? CPLD器件內(nèi)部含有多個(gè)邏輯塊，每個(gè)邏輯塊都相當(dāng)于一個(gè) GAL器件 。此時(shí)，系統(tǒng)中的微處理器在讀寫 SSRAM的同時(shí)，可以處理其他任務(wù)，從而提高了整個(gè)系統(tǒng)的工作速度。 集成電路 EPROM D7 ～ D0 PG M 輸出緩沖器 Y 選通 存儲(chǔ)陣列 CE OE 控制邏輯 Y 譯碼 X 譯碼 A16 ～ A0 VPP GND VCC AT27C010， 128K180。 ? 訪問速度 ： Mbp 存儲(chǔ)器 RAM (RandomAccess Memory) ROM (ReadOnly Memory) RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 ): 在運(yùn)行狀態(tài)可以隨時(shí)進(jìn)行讀或?qū)懖僮鳌? 存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)： 取快速度 —— 存儲(chǔ)時(shí)間短 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量大 —— 存儲(chǔ)容量大 ? 存儲(chǔ)容量（ M)：存儲(chǔ)二值信息的總量。 故 PROM 中的內(nèi)容只能寫一次。開始讀 A2 數(shù)據(jù) I/O輸出 A2數(shù)據(jù) 。 WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K 4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3