存儲器和可編程邏輯器件-在線瀏覽
2025-01-30 21:49本頁面
【正文】 1 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 1 0 從圖 ： 地址譯碼器是一個 “與” 邏輯陣列 010AAW ? 011 AAW ? 012 AAW ? 013 AW ? 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1 1 A0 A1 字線 位線 讀出電路 地址譯碼器 存儲矩陣 地址輸入 W0 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 A1 A0 +U A0 A1 ROM的工作原理 “ 0” “ 0” 0 0 0 1 導(dǎo)通 0 1 0 1 導(dǎo)通 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 ROM的工作原理 存儲矩陣是一個 “或” 邏輯陣列 100WWD ?? 311 WWD ?? 320 WWW ???2 313 WW ??W3=A1A0 m3 m2 W2=A1A0 m1 W1=A1A0 m0 W0=A1A0 A0 A1 地 址 譯 碼 器 D3 D2 D1 D0 圖 簡化的 ROM存儲矩陣陣列圖 有二極管 無二極管 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2. 雙極型晶體管和 MOS場效應(yīng)管構(gòu)成的存儲矩陣 圖 雙極型存儲矩陣 存“ 1” 存“ 0” D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 2. 雙極型晶體管和 MOS場效應(yīng)管構(gòu)成的存儲矩陣 “ 1” “ 0” “ 0” “ 0” 選中 1 1 0 1 D3 D2 D1 D0 W2 W1 W0 +UDD W3 導(dǎo)通 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1 D3 1 D2 1 D1 1 D0 W0 W1 W2 W3 負(fù)載管 +UDD 圖 MOS型存儲矩陣 “ 1” “ 0” “ 0” “ 0” 選中 0 0 1 0 1 1 0 1 導(dǎo)通 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1. ROM構(gòu)成的全加器 ROM的應(yīng)用 在數(shù)字系統(tǒng)中 ROM的應(yīng)用十分廣泛，如組合邏輯、波形變換、字符產(chǎn)生以及計算機(jī)的數(shù)據(jù)和程序存儲等。將各種字母、數(shù)字等字符事先存儲在 ROM的存儲矩陣中，再以適當(dāng)?shù)姆绞浇o出地址碼，某個字符就能讀出來，并驅(qū)動顯示器顯示。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 圖 字符顯示原理圖 (b) WO W1 W2 W3 W4 W5 W6 (a) 000 001 010 011 100 101 110 D4 D3 D2 D1 D0 行 譯 碼 器 A2 A1 A0 讀出電路 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 由圖可看出該字符顯示器由 7行 5 列構(gòu)成存儲矩陣，將字母 R的形狀分割成若干部分并在相應(yīng)的單元存入信息 “ 1” 。使顯示設(shè)備一行行的顯示出圖 (b)的字形。因此也稱為讀 /寫存儲器。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 地址輸入 An1 A0 A1 地 址 譯 碼 器 存儲矩陣 數(shù)據(jù)線 讀寫 /控制電路 讀 /寫控制 (R/W) 片選 (CS) 輸入 /輸出 I/O . . . . . . RAM的結(jié)構(gòu)和工作原理 圖 RAM的結(jié)構(gòu)框圖 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 1. 存儲矩陣： 由存儲單元構(gòu)成，一個存儲單元存儲一位二進(jìn)制數(shù)碼“ 1”或“ 0”。 2. 地址譯碼器： 也是 N取一譯碼器。 4. 片選控制： 當(dāng) CS=0時，選中該片 RAM工作， CS=1時該片 RAM不工作。 動態(tài) RAM： 集成度高，功耗小，但必須定期給電容補(bǔ)充電荷，以防存儲信息的丟失。 下一頁 總目錄 章目錄 返回 上一頁 9 GND CS 8 A2 7 A1 6 A0 5 A3 4 A4 3 A5 2 A6 1 I/O0 A9 A8 A7 UCC 12 10 11 14 13 15 16 17 18 I/O1 I/O2 I/O3 R/W RAM2114 圖 RAM2114外引線排列圖 容量： 1024字 ?4位 地址線： A9~A0(210=1024) 數(shù)據(jù)線： I/O3~ I/O0 下一頁 總目錄 章
電大資料相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1