微電子工藝課程設計-文庫吧資料
2025-07-05 12:49本頁面
【正文】 對于Si器件擊穿電壓為，集電區(qū)雜質濃度為：由于BVCBO=90所以Nc=*1015cm3一般的晶體管各區(qū)的濃度要滿足NENBNC設NB=10NC。通過具體的工藝設計，最后使工藝產(chǎn)出的PNP雙極型晶體管滿足所需要的條件。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半導體工藝模擬以及器件模擬工具，世界上商用的TCAD工具有Silvaco公司的Athena和Atlas，Synopsys公司的TSupprem和Medici以及ISE公司（已經(jīng)被Synopsys公司收購）的Dios和Dessis 以及Crosslight Software公司的Csuprem和APSYS。要求我們先進行相關的計算，為工藝過程中的量進行計算。VCEO=18V，VCBO=90V，晶體管工作于小注入條件下，最大集電極電流為IC=15mA。其中工藝和器件的仿真，國際上也常稱作“集成電路工藝和器件的計算機輔助設計”（Technology CAD of IC），簡稱“IC TCAD”。集成電路仿真器由計算機主機及輸入、輸出等外圍設備（硬件）和有關仿真程序（軟件）組成。據(jù)不完全統(tǒng)計，目前，有關建模和仿真方面的研究論文已占各類國際、國內專業(yè)學術會議總數(shù)的10%以上，占了很可觀的份額。 仿真（也即模擬）的可信度和精度很大程度上基于建模（modeling）的可信度和精度。 微電子工藝課程設計 一、 摘要 仿真（simulation）這一術語已不僅廣泛出現(xiàn)在各種科技書書刊上，甚至已頻繁出現(xiàn)于各種新聞媒體上。不同的書刊和字典對仿真這一術語的定義性簡釋大同小異，以下3種最有代表性，仿真是一個系統(tǒng)或過程的功能用另一系統(tǒng)或過程的功能的仿真表示； 用能適用于計算機的數(shù)學模型表示實際物理過程或系統(tǒng)；不同實驗對問題的檢驗。建模和仿真（modeling and simulation）是研究自然科學、工程科學、人文科學和社會科學的重要方法，是開發(fā)產(chǎn)品、制定決策的重要手段。集成電路仿真通過集成電路仿真器（simulator）執(zhí)行。按仿真內容不同，集成電路仿真一般可分為：系統(tǒng)功能仿真、邏輯仿真、電路仿真、器件仿真及工藝仿真
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