ebsd及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用-文庫吧資料
2025-05-19 22:06本頁面
【正文】 ，分析單晶的位向和完整性，孿晶[6]和再結(jié)晶，第二相和金屬基體間位向關(guān)系，斷裂面的結(jié)晶學(xué)分析，蠕變[7]，偏聚和沉淀，以及擴(kuò)散和界面遷移等。只要把在EBSP中每一亮帶所屬晶面指數(shù)(hkl)都畫進(jìn)極射赤面投影圖中。操作者設(shè)置參數(shù)使掃描電鏡樣品臺或電子束在程序控制下通過逐點(diǎn)掃描來獲取取向信息，即每個(gè)取向值對應(yīng)其獲取點(diǎn)的位置及菊池帶質(zhì)量參數(shù)。圖2 EBSD和EDS同時(shí)安裝在SEM上簡言之，取向測定的基本步驟是： （1） 利用SEM 中的點(diǎn)模式產(chǎn)生菊池帶（2）計(jì)算機(jī)“抓”圖； （3）菊池帶的識別與標(biāo)定； （4）取向存儲。現(xiàn)代EBSD 系統(tǒng)和能譜EDX探頭可同時(shí)安裝在SEM上，這樣，在快速得到樣品取向信息的同時(shí)，可以進(jìn)行成分分析。只需很少的輸入操作，軟件程序可對花樣進(jìn)行標(biāo)定以獲得晶體學(xué)信息。在掃描電子顯微鏡中得到一張電子背散射衍射花樣的基本操作是簡單的。一系列的Kikuchi線對組成電子背散射衍射花樣（EBSP）。如果熒光屏與圓錐頂角相截，在熒光屏上就可以得到兩只雙曲線（如圖1所示）。這些背散射電子，隨后入射到一定的晶面，當(dāng)滿足布拉格衍射條件（2dSinθ=λ）時(shí)，便產(chǎn)生布拉格衍射，出現(xiàn)一些線狀花樣，稱之為電子背散衍射菊池線[3]。在樣品表層幾十個(gè)納米的范圍之內(nèi)，非彈性散射所引起的能量損失一般只有幾十電子伏特，這與幾萬伏的電子能量比較起來是一個(gè)小量，幾乎可以忽略不計(jì)。每秒能獲得多于100幀的菊池花樣及標(biāo)定結(jié)果，廣泛用于地質(zhì)、微電子學(xué)、材料科學(xué)等方面[2]。20世紀(jì)90年代，實(shí)現(xiàn)了花樣的自動標(biāo)定。1973年，Venables和Harland在掃描電鏡上用電子背散射衍射花樣對材料進(jìn)行晶體學(xué)研究，開辟了EBSD在材料科學(xué)方面的應(yīng)用。EBSD及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用1 EBSD的發(fā)展過程電子背散射衍射(EBSD)的歷史應(yīng)追朔至1928年Kikuchi在透射電鏡中觀察到的條帶狀衍射花樣，即菊池線，不過這種菊池線是透射電子形成的。直到1954年，Alam，Blackman和Pashl
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1