ebsd及其在材料科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用-wenkub
2023-05-28 22:06:38 本頁(yè)面
【正文】 EBSP形成機(jī)制示意圖直線，這就是Kikuchi線對(duì)。因此，電子的波長(zhǎng)可以認(rèn)為基本不變。隨著數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)和軟件的快速發(fā)展，現(xiàn)在的商品EBSD實(shí)現(xiàn)了從花樣的接收、采集到標(biāo)定完全自動(dòng)化[1]。直到1954年，Alam，Blackman和Pashley同樣利用透射電鏡，用膠片記錄了解理LiF，KI，NaCl，PbS2晶體的大角度菊池花樣，這是第一次嚴(yán)格意義上的電子背散射衍射。1973年，Venables和Harland在掃描電鏡上用電子背散射衍射花樣對(duì)材料進(jìn)行晶體學(xué)研究，開(kāi)辟了EBSD在材料科學(xué)方面的應(yīng)用。每秒能獲得多于100幀的菊池花樣及標(biāo)定結(jié)果，廣泛用于地質(zhì)、微電子學(xué)、材料科學(xué)等方面[2]。這些背散射電子，隨后入射到一定的晶面，當(dāng)滿(mǎn)足布拉格衍射條件（2dSinθ=λ）時(shí)，便產(chǎn)生布拉格衍射，出現(xiàn)一些線狀花樣，稱(chēng)之為電子背散衍射菊池線[3]。一系列的Kikuchi線對(duì)組成電子背散射衍射花樣（EBSP）。只需很少的輸入操作，軟件程序可對(duì)花樣進(jìn)行標(biāo)定以獲得晶體學(xué)信息。圖2 EBSD和EDS同時(shí)安裝在SEM上簡(jiǎn)言之，取向測(cè)定的基本步驟是： （1） 利用SEM 中的點(diǎn)模式產(chǎn)生菊池帶（2）計(jì)算機(jī)“抓”圖； （3）菊池帶的識(shí)別與標(biāo)定； （4）取向存儲(chǔ)。只要把在EBSP中每一亮帶所屬晶面指數(shù)(hkl)都畫(huà)進(jìn)極射赤面投影圖中。應(yīng)用EBSD研究結(jié)果表明，取向分布是集中地還是均勻地分布，對(duì)材料的性能有顯著的影響，這是織構(gòu)分析的全新方法[89]。EBSD在相鑒定方面的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)就是區(qū)分化學(xué)成分相似的相，如：M7C3和M3C相，鋼中的鐵素體和奧氏體[1011]。EBSD方法是測(cè)量晶粒尺寸的理想工具，最簡(jiǎn)單的方法是進(jìn)行橫穿樣品的線掃描，同時(shí)觀察花樣的變化。根據(jù)EBSP的襯度效應(yīng)和角分辨率進(jìn)行分析，還可以用來(lái)研究導(dǎo)致晶體應(yīng)變有關(guān)的過(guò)程，例如輻照和離子注入損傷，溶質(zhì)原子誘導(dǎo)應(yīng)變，合金中的應(yīng)力分析以及外力作用下所發(fā)生的塑性變形和斷裂過(guò)程(如疲勞和蠕變斷裂等)。而EBSD系統(tǒng)在進(jìn)行微織構(gòu)分析、微取向差和晶粒取
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