ebsd及其在材料科學領(lǐng)域中的應(yīng)用(已修改)
2025-05-25 22:06 本頁面
【正文】 EBSD及其在材料科學領(lǐng)域中的應(yīng)用1 EBSD的發(fā)展過程電子背散射衍射(EBSD)的歷史應(yīng)追朔至1928年Kikuchi在透射電鏡中觀察到的條帶狀衍射花樣，即菊池線，不過這種菊池線是透射電子形成的。直到1954年，Alam，Blackman和Pashley同樣利用透射電鏡，用膠片記錄了解理LiF，KI，NaCl，PbS2晶體的大角度菊池花樣，這是第一次嚴格意義上的電子背散射衍射。1973年，Venables和Harland在掃描電鏡上用電子背散射衍射花樣對材料進行晶體學研究，開辟了EBSD在材料科學方面的應(yīng)用。20世紀80年代后期，Dingley使用熒光屏和電視相機接收與采集電子背散射衍射花樣。20世紀90年代，實現(xiàn)了花樣的自動標定。隨著數(shù)碼相機、計算機和軟件的快速發(fā)展，現(xiàn)在的商品EBSD實現(xiàn)了從花樣的接收、采集到標定完全自動化[1]。每秒能獲得多于100幀的菊池花樣及標定結(jié)果，廣泛用于地質(zhì)、微電子學、材料科學等方面[2]。2 EBSD分析技術(shù)的基本原理入射電子束進入樣品，由于非彈性散射，使之在入射點附近發(fā)散，成為一點源。在樣品表層幾十個納米的范圍之內(nèi)，非彈性散射所引起的能量損失一般只有幾十電子伏特，這與幾萬伏的電子能量比較起來是一個小量，幾乎可以忽略不計。因此，電子的波長可以認為基本不變。這些背散射電子，隨后入射到一定的晶面，當滿足布拉格衍射條件（2dSinθ=λ）時，便產(chǎn)生布拉格衍射，出現(xiàn)一些線狀花樣，稱之為電子背散衍射菊池線[3]。 電子背散射衍射束形成半頂角的兩個對定衍射圓錐。如果熒光屏與圓錐頂角相截，在熒光屏上就可以得到兩只雙曲線（如圖1所示）。由于角很小，這兩只雙曲線接近為一對平行圖1 EBSP形成機制示意圖直線，這就是Kikuchi線對。一系列的Kikuchi線對組成電子背散射衍射花樣（EBSP）。 電子背散射衍射花樣（EBSP）是由一系列按特定晶體的晶帶規(guī)律分布的Kikuchi線對所組成；每一Kikuchi線對的中心線相當于所屬晶面與成像平面相交的軌跡
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