半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)ppt課件-文庫(kù)吧資料
2025-05-18 03:10本頁(yè)面
【正文】 的速度分布，則當(dāng)載流子速度 V大于或者小于 Vx時(shí)，速度會(huì)橫向分量，因此受到受到散射的概率變大，導(dǎo)致垂直方向的電流變小，因此產(chǎn)生了橫向磁阻效應(yīng)。 ? 物理磁阻效應(yīng)? 幾何磁阻效應(yīng)? 磁阻效應(yīng)的應(yīng)用? 由于磁場(chǎng)的存在引起電阻的增加，稱這種效應(yīng)為磁阻效應(yīng)。? 常選用銻化銦 、砷化銦 、鍺 作霍爾器件。 根據(jù)電導(dǎo)和載流子濃度的測(cè)量結(jié)果，與理論計(jì)算的結(jié)果比較，可以會(huì)的帶隙寬度、雜質(zhì)電離能和雜質(zhì)濃度等信息。 n型和 p型半導(dǎo)體的霍爾電場(chǎng)方向相反，故霍爾系數(shù)的符號(hào)是相反的，由此可以來(lái)判斷半導(dǎo)體的類型；通過(guò)測(cè)得的 RH 與可以求得載流子的濃度；在測(cè)出電導(dǎo)，可以得到霍爾遷移率。l p型半導(dǎo)體u 飽和區(qū)：載流子主要由雜質(zhì)電離貢獻(xiàn)，即 此時(shí)有u 過(guò)渡區(qū)：隨著 T的升高，又分為三段u 本征區(qū)：l n型半導(dǎo)體u 飽和區(qū)：載流子主要由雜質(zhì)電離貢獻(xiàn)，即 此時(shí)有u 本征區(qū)：隨著 T的升高， 逐漸變大， 且 逐漸變小。不同的溫度階段， RH 變化不同。下面的討論都假設(shè) b1。假設(shè)穩(wěn)定時(shí)，橫向電場(chǎng) Ey 沿 +y方向。對(duì)于高度簡(jiǎn)并的半導(dǎo)體，則有 。對(duì)于 p型半導(dǎo)體，考慮載流子的速度統(tǒng)計(jì)分布，得到：因此有同理對(duì)于 n型半導(dǎo)體回顧載流子遷移率的表達(dá)式我們把霍爾系數(shù)乘上電導(dǎo)率并取絕對(duì)值，得到該表達(dá)式與載流子遷移率有相同的量綱，只是統(tǒng)計(jì)計(jì)算方法不同，因此我們定義該表達(dá)式為霍爾遷移率，用 表示。這樣，在 E、 B的作用下，電流密度為引入霍爾電導(dǎo)率和霍爾電導(dǎo)的概念，上式可以改寫(xiě)為式中有時(shí)分別稱 為霍爾電導(dǎo)率和霍爾電阻率。第一部分的運(yùn)動(dòng)在電子受到多次散射后平均速度應(yīng)為零，因此只需分析第二種運(yùn)動(dòng)，即認(rèn)為每?jī)纱紊⑸渲g，初速度都為零。實(shí)驗(yàn)中通常通過(guò)測(cè)量 VH 以求得 RH, 采用厚度和寬度比長(zhǎng)度小得多的樣品，如下圖所示，得到所以注意： 霍爾電壓還和樣品形狀有關(guān)，表現(xiàn)為其中 當(dāng) l/b=4時(shí)， 趨近于 1。n型半導(dǎo)體及 p型半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)霍爾電場(chǎng) Ey與電流密度 Jx電和磁感應(yīng)強(qiáng)度 By成正比，即：比例系數(shù) RH為霍爾系數(shù)，即：霍爾系數(shù)的單位為： m3C1以 p型半導(dǎo)體為例，當(dāng)橫向電場(chǎng)對(duì)空穴的作用和洛倫茲力平衡時(shí)，達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，橫向霍爾電場(chǎng)滿足 :因此霍爾電場(chǎng) Ey ：霍爾系數(shù) RH為：對(duì)于 n型半導(dǎo)體，類似的，得到n型半導(dǎo)體p型半導(dǎo)體橫向霍爾電場(chǎng)的存在
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1