電子能譜分析法ppt課件-文庫吧資料
2025-05-05 02:59本頁面
【正文】 及其化學位移 )確定樣品 (固態(tài)樣品表面 )中存在哪些元素 (及這些元素存在于何種化合物中 )。 ? 圖 28所示 Ag的光電子譜峰圖除 3S峰外，其余各峰均發(fā)生自旋 軌道分裂，表現(xiàn)為雙峰結(jié)構(gòu)(如 3P1/2與 3P3/2)。 圖 138 氧分子 O1s多重分裂 (a)氧原子 O1s峰； (b)氧分子中 O1s峰分裂 自旋 軌道分裂 ? 一個處于基態(tài)的閉殼層 (閉殼層指不存在未成對電子的電子殼層 )原子光電離后，生成的離子中必有一個未成對電子。 ? 圖 138所示為 O2分子 X射線光電子譜多重分裂。 譜峰分裂 ? 能譜峰分裂有多重態(tài)分裂與自旋 軌道分裂等。 2．伴峰與譜峰分裂 ? 能譜中出現(xiàn)的非光電子峰稱為 伴峰 。 圖 137 A1的 2p電子能譜的化學位移 物理位移 ? 由于固體的熱效應與表面荷電效應等物理因素引起電子結(jié)合能改變，從而導致光電子譜峰位移，此稱之為 物理位移 。 圖 28 Ag的光電子能譜圖（ MgK?激發(fā)） 1．化學位移 ? 因原子所處化學環(huán)境不同，使原子芯層電子結(jié)合能發(fā)生變化，則 X射線光電子譜譜峰位置發(fā)生移動，稱之為 譜峰的化學位移 。 ? 技術(shù)基礎： X射線激發(fā)物質(zhì)光電離、光電子發(fā)射過程及其能量關(guān)系等見第二章。 局限性 ? ① 不能分析氫和氦元素； ? ②定量分析的準確度不高； ? ③對多數(shù)元素的探測靈敏度為原子摩爾分數(shù) %~%； ? ④電子束轟擊損傷和電荷積累問題限制其在有機材料、生物樣品和某些陶瓷材料中的應用； ? ⑤對樣品要求高，表面必須清潔 (最好光滑 )等。 ? ④可進行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。 ? ②可分析除 H、 He以外的各種元素。對于能量為 50eV~2keV范圍內(nèi)的俄歇電子，逸出深度為~2nm。該法準確性較低，但不需標樣，因而應用較廣。 ? 注意 ：化學環(huán)境對俄歇譜的影響造成定性分析的困難 (但又為研究樣品表面狀況提供了有益的信息 )，應注意識別。 ? 對于原子序數(shù)為 3~14的元素，最顯著的俄歇峰是由 KLL躍遷形成的；對于原子序數(shù) 14~40的元素，最顯著的俄歇峰則是由 LMM躍遷形成的。 ? 方法 ：與標準譜進行對比。 ? 由于配備有二次電子和吸收電子檢測器及能譜探頭，使這種儀器兼有掃描電鏡和電子探針的功能。 圖 133 俄歇譜儀示意圖 俄歇電子能譜儀發(fā)展 ? 初期的俄歇譜儀只能做定點的成分分析。 二、俄歇電子能譜儀 ? 主要組成部分： 電子槍 、 能量分析器 、 二次電子探測器 、（ 樣品）分析室 、 濺射離子槍和 信號處理與記錄系統(tǒng) 等。 化學位移示例 圖 132 Mo(110)面俄歇能譜 伴峰 ? 由于俄歇電子逸出固體表面時，有可能產(chǎn)生不連續(xù)的能量損失，從而造成在主峰的低能端產(chǎn)生伴峰的現(xiàn)象。 圖 211 俄歇電子能譜示例(銀原子的俄歇能譜 ) 3．化學位移與伴峰 ? 原子“化學環(huán)境”變化，不僅可能引起俄歇峰的位移 (稱 化學位移 )，也可能引起其強度的變化，這兩種變化的交疊，則將引起俄歇峰 (圖 )形狀的改變。 2．直接譜與微分譜 ? 直接譜 ：俄歇電子強度 [密度 (電子數(shù) )]N(E)對其能量 E的分布[N(E)－ E]。 ? 能夠保持特征能量（沒有能量損失）而逸出表面的俄歇電子，發(fā)射深度僅限于表面以下大約 2nm以內(nèi)，約相
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