【正文】 超高真空分析室中。 ? ③對于輕元素 C、 O、 N、 S、 P等有較高的分析靈敏度。電離前 O2分子價殼層有兩個未成對電子，內(nèi)層能級(O1s)電離后譜峰發(fā)生分裂 (即多重分裂 )，分裂間隔為 。 ? 應用最廣的是元素 (原子 )靈敏度因子法 。 第三節(jié) 紫外光電子能譜法 ? 紫外光電子能譜 (UPS)：以紫外光為激發(fā)源致樣品光電離而獲得的光電子能譜。如 ?(鍵 )軌道，其電離電位在 10eV左右，此圖有助于分析譜峰所對應軌道的性質(zhì)。 圖 1317 紫外光電子譜中典型的譜帶形狀 (a)非健或弱鍵軌道； (b)(c)成鍵或反鍵軌道； (d)非常強的成鍵或反鍵軌道； (e)振動疊加在離子的連續(xù)譜上；(f)組合譜帶 紫外光電子能譜的特征 ? 紫外光電子能譜法能精確測量物質(zhì)的電離電位。 ? X射線光電子能譜分析表明，該涂層是碳氟材料。 ? 定性分析時一般利用元素的主峰 (該元素最強最尖銳的特征峰 )。 ? 如光電子 (從產(chǎn)生處向表面 )輸遠過程中因非彈性散射 (損失能量 )而產(chǎn)生的能量損失峰， X射線源 (如 Mg靶的 K?1與 K?2雙線 )的強伴線 (Mg靶的K?3與 K?4等 )產(chǎn)生的伴峰，俄歇電子峰等。 四、俄歇電子能譜法的應用 ? 優(yōu)點 ： ? ①作為固體表面分析法，其信息深度取決于俄歇電子逸出深度 (電子平均自由程 )。 ? 原子“化學環(huán)境”指原子的價態(tài)或在形成化合物時，與該 (元素 )原子相結(jié)合的其它 (元素 )原子的電負性等情況 ? 如：原子發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移 (如價態(tài)變化 )引起內(nèi)層能級變化，從而改變俄歇躍遷能量，導致俄歇峰位移； ? 又如：不僅引起價電子的變化 (導致俄歇峰位移 )，還造成新的化學鍵(或帶結(jié)構(gòu) )形成以致電子重新排布的化學環(huán)境改變，將導致譜圖形狀的改變 (稱為價電子譜 )等。 ? 本章主要介紹 俄歇電子能譜法 (AES) X射線光電子能譜法 (XPS) 紫外光電子能譜法 (UPS) 第一節(jié) 俄歇電子能譜法 ? 俄歇電子能譜法 是用具有一定能量的電子束 (或 X射線 )激發(fā)樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度，從而獲得有關材料表面化學成分和結(jié)構(gòu)的信息的方法。 2．直接譜與微分譜 ? 直接譜 ：俄歇電子強度 [密度 (電子數(shù) )]N(E)對其能量 E的分布[N(E)－ E]。 ? 注意 ：化學環(huán)境對俄歇譜的影響造成定性分析的困難 (但又為研究樣品表面狀況提供了有益的信息 )，應注意識別。 圖 137 A1的 2p電子能譜的化學位移 物理位移 ? 由于固體的熱效應與表面荷電效應等物理因素引起電子結(jié)合能改變，從而導致光電子譜峰位移，此稱之為 物理位移 。 ? 由圖可知，除氫以外，其它元素的譜峰均清晰可見。 圖 1314 兩種聚合物的 C1s電子譜圖 (a)聚乙烯 (b)聚氟乙烯 在固體研究方面的應用 ? 對于固體樣品， X射線光電子平均自由程只有 ~(對于金屬及其氧化物 )或 4~10nm(對于有機物和聚合材料 )，因而 X射線光電子能譜法是一種表面分析方法。紫外光電子譜圖還可用于鑒定某些同分異構(gòu)體，確定取代作用和配位作用的程序和性質(zhì)，檢測簡單混合物中各種組分等。 ? 顯然，紫外光電子能譜法不適于進行元素定性分析工作。這個