最新模擬集成電路設(shè)計試卷免費下載-文庫吧資料
2025-03-31 03:48本頁面
【正文】 ，所有器件尺寸都是有效值，單位均為微米。4. 在傳輸電流為零的情況下，MOS器件也可能導通么？說明理由。帶有源極負反饋的共源極放大電路相對于基本共源極電路有什么優(yōu)點？解：由帶有源極負反饋的共源極放大電路的等效跨導表達式得，若RS1/gm，則Gm≈1/RS，所以漏電流是輸入電壓的線性函數(shù)。什么是體效應？體效應會對電路產(chǎn)生什么影響？解：理想情況下是假設(shè)晶體管的襯底和源是短接的，實際上兩者并不一定電位相同，當VB變得更負時，VTH增加，這種效應叫做體效應。四．簡答（（每題7分，共21分））“MOS器件即使沒有傳輸電流也可能導通”，這種說法正確么？為什么？解：正確。要求：（1）標出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點和極限點的坐標；（2）由圖分析：通過什么措施可以使差動對的線性度更好。（2）畫兩條曲線，VDS的值分別為VBS=0、VBS0；標出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點的坐標。三．畫圖題（每題8分，共16分）以VDS作為參數(shù)畫出NMOS晶體管的ID~VGS曲線。有源電流鏡解：
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