【總結】金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應管結型場效應管(JFET)*砷化鎵金屬-半導體場效應管各種放大器件電路性能比較MOSFET放大電路P溝道耗盡型P溝道P溝道N溝道增強型N溝道N溝道(耗盡型)FET場效應管JFET結型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場效應管的分類:(電場效應,單
2025-02-21 10:49
【總結】廣東省軟件和集成電路設計產(chǎn)業(yè)100強培育企業(yè)評選申報書申報單位(蓋章):企業(yè)法定代表人簽字:推薦單位(蓋章):
2025-06-30 03:34
【總結】2022/2/61《集成電路設計概述》2022/2/62目的?認識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設計工藝?熟悉集成電路設計工具?培養(yǎng)集成電路設計興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-09 14:11
【總結】CMOS集成電路設計基礎-數(shù)字集成電路基礎對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應偏離設計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-01-09 01:07
【總結】第四章第四章集成電路設計第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設計時盡可能少用無源元件,尤其是電容
2025-05-04 18:03
【總結】集成電路設計企業(yè)年審表申報企業(yè)(蓋章)所在地區(qū)申報日期年月日
2025-07-01 00:42
2025-07-15 18:10
【總結】Chapter51第5章模擬集成電路及應用Chapter52主要內(nèi)容?集成運算放大器簡介?集成運算放大器的線性應用?集成運算放大器的非線性應用Chapter53集成電路:采用半導體制造工藝,在一小塊硅單晶片上制作的具有特定功能的電子線路?!锛呻娐返幕靖拍罘诸悾耗M集成電路與數(shù)字集成電路。
2025-01-19 12:01
【總結】CMOS集成電路設計基礎-MOS器件MOS器件多晶硅GSD氧化層LeffLdrawnN+N+P型襯底LDWNMOS管的簡化結構制作在P型襯底上(P-Substrate,也稱bulk或body,為了區(qū)別于源極S,襯底以B來表示),兩個重摻雜N區(qū)形成源區(qū)和漏區(qū),
2025-01-12 16:50
【總結】集成電路設計基礎莫冰華僑大學電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關的VLSI工藝BiCMOS工藝第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件
2025-01-07 01:54
【總結】2022/2/41第二章IC制造材料結構與理論了解集成電路材料半導體基礎知識PN結與結型二極管雙極型晶體管基本結構與工作原理MOS晶體管基本結構與工作原理2022/2/42表集成電路制造所應用到的材料分類
【總結】集成電路設計基礎莫冰華僑大學電子工程系廈門市專用集成電路系統(tǒng)重點實驗室第五章MOS場效應管的特性MOS場效應管MOS管的閾值電壓體效應MOSFET的溫度特性MOSFET的噪聲MOSFET尺寸按比例縮小MOS器件的二階效應MOS場效應管
2025-01-07 01:55
【總結】第六章集成電路設計的CAD系統(tǒng)ICCAD系統(tǒng)概述?ICCAD系統(tǒng)的發(fā)展?第一代:60年代末:版圖編輯和檢查?第二代:80年代初:原理圖輸入、邏輯模擬向下?第三代:從RTL級輸入向下,包括行為仿真、行為綜合、邏輯綜合等?流行的CAD系統(tǒng):Cadence,MentorGraphics,Vie
2025-08-01 15:31
【總結】電子科學與工程學院南京郵電大學2022-6-121第1章集成電路設計導論1、微電子(集成電路)技術概述2、集成電路設計步驟及方法電子科學與工程學院南京郵電大學2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設計路線,即自工藝開始,先進行單元設計,在精心設計
2025-04-29 03:20
【總結】華?僑?大?學?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?IC設計基礎EDAC華僑大學電子工程電系2022年華?僑?大?學?專?用?集?成?電?路?系?統(tǒng)?實?驗?室?2022/2/42第3章IC制造工藝
2025-01-08 15:42