最新模擬集成電路設(shè)計(jì)試卷免費(fèi)下載-wenkub
2023-04-09 03:48:57 本頁面
【正文】 ，電流受柵源過驅(qū)動(dòng)電壓控制，我們定義_跨導(dǎo)_來表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。λ為溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對(duì)于較長(zhǎng)的溝道，λ值____較小___（較大、較?。?。理想情況下，_電流鏡_結(jié)構(gòu)可以精確地復(fù)制電流而不受工藝和溫度的影響，實(shí)際應(yīng)用中，為了抑制溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)帶來的誤差，可以進(jìn)一步將其改進(jìn)為__共源共柵電流鏡__結(jié)構(gòu)。二．名詞解釋（每題3分，共15分）阱解：在CMOS工藝中，PMOS管與NMOS管必須做在同一襯底上，其中某一類器件要做在一個(gè)“局部襯底”上，這塊與襯底摻雜類型相反的“局部襯底”叫做阱。這種現(xiàn)象可總結(jié)為米勒定理。三．畫圖題（每題8分，共16分）以VDS作為參數(shù)畫出NMOS晶體管的ID~VGS曲線。要求：（1）標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)和極限點(diǎn)的坐標(biāo)；（2）由圖分析：通過什么措施可以使差動(dòng)對(duì)的線性度更好。什么是體效應(yīng)？體效應(yīng)會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生什么影響？解：理想情況下是假設(shè)晶體管的襯底和源是短接的，實(shí)際上兩者并不一定電位相同，當(dāng)VB變得更負(fù)時(shí)，VTH增加，這種效應(yīng)叫做體效
畢業(yè)設(shè)計(jì)相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1