集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)報(bào)告-wenkub
2023-04-07 12:40:51 本頁(yè)面
【正文】 7) 輸出設(shè)定。(13) 編輯Source_v_dc 對(duì)象。（9）加入輸入端口與輸。(5) 瀏覽元件庫(kù)。 nMOS管IV特性（1）打開SEdit 程序。第一步，雙擊安裝文件夾…\Tanner LEDIT 文件，得到安裝向?qū)?，按默認(rèn)選項(xiàng)，依次點(diǎn)擊“下一步”，直至安裝完成。2．了解Tanner 軟件的組成及使用。3．掌握使用SEdit 和TSpice 對(duì)nMOS 管的IV 特性仿真的方法。第二步，將….\Tanner LEDIT \crack 文件夾下的所有文件復(fù)制到安裝目錄utilities 下， 文件安裝license，得到相應(yīng)的界面，然后點(diǎn)擊“instance”，安裝成功之后點(diǎn)擊“exit”。（2）另存新文件。（6）從元件庫(kù)引用模塊。（10）模塊重命名出端口。(14) 輸出成SPICE 文件。(18) 進(jìn)行仿真。五、思考題1. 此時(shí)M1的工作狀態(tài)為飽和區(qū)，漏電流的表達(dá)式為：2. ，仿真結(jié)果中漏電流的變化趨勢(shì)基本相同，但是數(shù)值有所差異。實(shí)驗(yàn)二 單級(jí)放大器性能仿真一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆针娮柝?fù)載、帶源極負(fù)反饋的共源級(jí)的性能仿真方法。畫完的電路圖如下：（3）生成spice文件，并且加入include命令、DC transfer sweep命令（vvin從0到3V掃描，）、輸出直流電壓vout命令。（2）加入電源電壓和輸入電壓，其中電源電壓為3V（將電源電壓名為vvdd），輸入電壓為1V（將輸入電壓改為vvin），負(fù)載電阻值為1K歐，源級(jí)電阻為50歐，晶體管的柵寬為100u，柵長(zhǎng)為2u。 源跟隨器（1）畫電路圖。 共源共柵級(jí)（1）畫電路圖。（5）修改網(wǎng)表文件，將直流掃描電壓源由vvin改為vvdd，然后輸出N1節(jié)點(diǎn)的電壓，仿真結(jié)果如下：此曲線為vvdd從0到3V進(jìn)行掃描時(shí)N1點(diǎn)（我所做圖中的N2點(diǎn)）電壓的變化情況。，源極輸出電壓跟隨輸入的速度減慢，體現(xiàn)了跟隨能力的降低。學(xué)會(huì)使用tanner軟件對(duì)差動(dòng)放大器的基本性能進(jìn)行仿真。恒流源為source_i_dc，名字改為Iss，電流值為500uA。畫完的電路圖如下：（3）生成spice文件，并且加入include命令、瞬態(tài)掃描命令（，）、輸出差動(dòng)輸入in1和in2及差動(dòng)輸出out1和out
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