模擬集成電路基礎(chǔ)三--文庫(kù)吧資料
2024-08-20 11:01本頁(yè)面
【正文】 gIIhrhr fe1?? ?0TEeeeb39。 簡(jiǎn)化混合 π模型 ? ???????????e39。b rhr ??? fe1 β0： β0 即低頻時(shí)的 β，反映了三極管的放大作用。139。LmLmoRgRgCCc ?????cLme )39。Lm Rg??39。 雙極型三極管物理模型 ? 晶體三極管高頻物理模型 混合 ?模型（續(xù)） 忽略 rce和 rb’c 雙極型三極管物理模型 ? 密勒原理 設(shè)放大倍數(shù) K=U2/U1 （ 1）求 Z1 ZUUI )( 211 ??（ 2）同理求得 Z2 KZZ?? 11ZK KZ 12 ??若 Z為電容 , Z=1/(j?C),則 Zi=1/(j?Ci) ,i=1,2 CCKKCCKC ????? 1,)(1 21Z I1 I2 U1 U2 Z1 U1 I1 Z2 U2 I2 ZUUU )(1121 ??KZU??11111ZUI ?eb39。 gmUb‘e— 受控電流源， Ub’e對(duì)輸出電流的控制作用。 rb‘e和 Cb‘e— 發(fā)射結(jié)等效交流電阻和結(jié)電容 。 20lg|A(j?)|(dB) ? 1 10 102 103 104 105 106 20 40 60 80 100 20dB/dec 40dB/dec 20dB/dec 20dB/dec 0dB/dec 放大器的低頻截頻 —由低頻段 最大的低頻極點(diǎn) 決定， ?l=102. 放大器的高頻截頻 —由高頻段 最小的高頻極點(diǎn) 決定， ?h=104 3dB 3dB帶寬 ?3dB= ?h ?l≈ ?h M N ? 晶體三極管高頻物理模型 混合 ?模型 雙極型三極管物理模型 晶體三極管的高頻運(yùn)用 bce雙極型三極管 集 電 區(qū)基 區(qū)發(fā) 射 區(qū) ? 晶體三極管高頻物理模型 混合 ?模型（續(xù)） rbb’ 基區(qū)的體電阻， b‘是假想的基區(qū)內(nèi) 的一個(gè)等效集中點(diǎn)。 2） 存在兩個(gè)零點(diǎn) 0、 10和三個(gè)極點(diǎn) 100和 104， 分別畫出零、極點(diǎn)的漸近線。 小結(jié)： 畫波特圖的一般步驟： （ 1） 寫出標(biāo)準(zhǔn)式：找常數(shù)項(xiàng)； （ 2） 畫出各個(gè)零、極點(diǎn)的漸近線； （ 3） 合成波形。 (2) 一階極點(diǎn) 相頻特性的漸近線 111??j?一階零點(diǎn) 一階極點(diǎn) )a r c t a n ()(1???? ?? 1 10 ? (3) 一階零點(diǎn) 的漸近線相頻特性 ?j)(??(4) 一階極點(diǎn) 的漸近線相頻特性 ?j1一階零點(diǎn) 一階極點(diǎn) 例 1: ? ?)10j1)(10j1)(10j1(10j7645????????A解： 1） A=105 20lgA=20lg105 =100dB； 以 100dB為起點(diǎn) . 2） 存在三個(gè)極點(diǎn) 10 106和 107，分別畫出三個(gè)極點(diǎn)的漸近線； 3）合成波形，進(jìn)行斜率累加。 當(dāng) ??1時(shí)， ?(?) = 90176。 ? ? ?? jlgjA 20?? ?1 ?1 10?1 ? ?( ?) 分析： 當(dāng) ??1時(shí)， ?(?)=0 176。 小結(jié)： 將零點(diǎn)與極點(diǎn)的影響累加起來(lái)，即可得到總的幅頻特性。 一階零點(diǎn) 一階極點(diǎn) ? ? ?dBj?lg20(3) 一階零點(diǎn) 幅頻特性的漸近線 ?j20dB/dec 20dB/dec ? ? ?? jlgjA 20? 1 10 是一條通過(guò) ?= 1，斜率為20dB/十倍頻的斜線。 線性坐標(biāo)系中：縱坐標(biāo)是放大增益，采 用對(duì)數(shù)單位；橫坐標(biāo)頻率采用對(duì)數(shù)單位， 但以頻率標(biāo)識(shí)。 頻率響應(yīng)的基本概念 (續(xù)） ? 線性系統(tǒng)的分析： 時(shí)域 拉氏逆變換 自變量： t 自變量： s=?+j? ? 傳輸函數(shù)定義： ??))(1(1))(1(139。 頻率響應(yīng)的基本概念 (續(xù)） ? 頻率失真 ? 產(chǎn)生頻率失真的原因 （ 1）放大電路中存在電抗性元件 例如：耦合電容、旁路電容、分布電容、變壓器、分布電感等。記作 A(j?)或 A(jf)。 用 ?（ ?） )(3lg207 0 o g202l o g20dBAAAUUU???幅度頻率失真： 幅頻特性偏離中頻值的現(xiàn)象 相位頻率失真： 相頻特性偏離中頻值的現(xiàn)象 ? 頻率響應(yīng)的 定義 頻率響應(yīng)就是 放大電路對(duì) 輸入正弦信號(hào) 的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。 fL fh AU A(jf) f ?(jf) f 頻率響應(yīng)的基本概念 (續(xù)） 中頻段： AU=常數(shù) 低頻段 高頻段 AU 下降 中頻段：相位差 ? =常數(shù) 低頻段 高頻段 ? 改變 這種描繪輸入信號(hào)幅度固定， 輸出信號(hào)的幅度隨頻率變化而變化 的規(guī)律稱為 幅頻特性 。 90176。 270176。 180176。 外加電壓變化緩慢時(shí)可以忽略 ， 但是變化較快時(shí)不容忽略 。剛擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子就堆積在 P 區(qū)內(nèi)緊靠 PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線。 擴(kuò)散電容是由多子擴(kuò)散后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。第 5章 放大電路的頻率響應(yīng) 頻率響應(yīng)的基本概念 復(fù)習(xí) 1 1O i iR j CU U Uj RCRjC???????PN結(jié)電容 ?勢(shì)壘 電容 CB 當(dāng)外加電壓不同時(shí) ， 耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少 ， 與電容的充放電過(guò)程相同 。 耗盡層寬窄變化所等效的電容為 勢(shì)壘電容 。因 PN結(jié)正偏時(shí)，由 N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。 PN結(jié)電容
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