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正文內(nèi)容

最新模擬集成電路設(shè)計(jì)試卷免費(fèi)下載(編輯修改稿)

2025-04-21 03:48 本頁(yè)面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 與襯底摻雜類型相反的N型“局部襯底”叫做N阱。有源電流鏡解:像有源器件一樣用來(lái)處理信號(hào)的電流鏡結(jié)構(gòu)叫做有源電流鏡。輸出擺幅解:輸出電壓最大值與最小值之間的差。三.畫圖題(每題8分,共16分)以VDS作為參數(shù)畫出NMOS晶體管的ID~VGS曲線。要求:(1)畫三條曲線,VDS的值分別為VDSVDSVDS3,其中VDS1VDS2VDS3;有適當(dāng)?shù)姆治鐾茖?dǎo)過(guò)程,并標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)的坐標(biāo)。(2)畫兩條曲線,VDS的值分別為VBS=0、VBS0;標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)的坐標(biāo)。解:(1)(2)畫出差動(dòng)對(duì)的輸入輸出特性曲線(ΔID~ΔVin)。要求:(1)標(biāo)出曲線中關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn)和極限點(diǎn)的坐標(biāo);(2)由圖分析:通過(guò)什么措施可以使差動(dòng)對(duì)的線性度更好。解:其中,增大ISS或減小W/L,可使電路的線性更好。四.簡(jiǎn)答((每題7分,共21分))“MOS器件即使沒(méi)有傳輸電流也可能導(dǎo)通”,這種說(shuō)法正確么?為什么?解:正確。當(dāng)時(shí),器件工作在深線
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