cmos模擬集成電路設(shè)計(jì)ch10穩(wěn)定性和頻率補(bǔ)償(編輯修改稿)
2025-02-08 16:52 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 一級(jí)放大器，至少增加一個(gè)極點(diǎn) ?X(Y)， E（ F）， A（ B） ?兩個(gè)主極點(diǎn)： E（ F）， A（ B），均靠近原點(diǎn) ?不穩(wěn)定，需要補(bǔ)償 2022/2/9 兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 19 ? 密勒補(bǔ)償 CmIpv CgAGB ?? ||)0( 1??增加密勒電容 ?以一個(gè)中等電容建立一個(gè)低頻極點(diǎn) ?形成 “ 極點(diǎn)分裂 ” 效應(yīng) 當(dāng) CL CCCE CLm I Ioutp CRgR )(111????(gmII=gm9) 2mIIpLgC? ?(miller pole) (output pole) 可以計(jì)算得到 （補(bǔ)償前 (Cc=0)： ） E111 CR outp????LL21CRp????CmIpv CgAGB ?? ||)0( 1?2022/2/9 兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 20 ? 密勒補(bǔ)償（續(xù)） ?????????????????????????????? 60180ccc21 zppGBtgarGBtgarGBtgar????密勒補(bǔ)償中，零點(diǎn)的影響不可忽略 ?右平面的零點(diǎn)減緩增益的下降（增益交點(diǎn)外推），延遲相位（相位交點(diǎn)向原點(diǎn)移動(dòng)） CmIIzCg??LC ?考慮零點(diǎn)的影響， CC的選?。?PM=60176。 時(shí)， GB處 若 PM60 176。 , ?p2 ， 并由 ?z=10GB 令 ?z=10GB時(shí) ? ? ??????????????? 2 tgarGBtgar p?2 .2 10m II m IILCggCC??2022/2/9 兩級(jí)運(yùn)放的補(bǔ)償 21 ? 密勒補(bǔ)償（續(xù)） 消除密勒補(bǔ)償中零點(diǎn)的方法 ?增加與補(bǔ)償電容串聯(lián)的電阻 ?切斷補(bǔ)償電容的前饋通路 將零點(diǎn)移到右平面無(wú)窮遠(yuǎn)處，或者左平面并抵消第一非主極點(diǎn) CmCLzCgCCR9??CmCzm CgCRg919 )(1 ???
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