cmos模擬集成電路實訓(xùn)hspice輔助設(shè)計教學(xué)ppt(編輯修改稿)
2024-11-12 15:58 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 0 )* C o n t r o l. p l o t v ( 3 ) v ( i n ). p r i n t v ( 5 ) i ( r 1 )標(biāo) 題模 型 和 子 電 路元 件激 勵控 制 語 句. e n d結(jié) 束 編 譯(3)HSPICE的網(wǎng)表編寫規(guī)則 ? 網(wǎng)表文件的第一個語句必須是標(biāo)題行，最后一個語句必須是 .END ? 網(wǎng)表中語句的次序是隨意的，但是續(xù)行（行首有“＋”的行）除外 ? 注釋行（首字母為 *或句末為 $）可加在文件中的任何地方 ? 不要重復(fù)定義節(jié)點 ? 不要有懸空節(jié)點 ? 關(guān)鍵節(jié)點最好使用有意義的命名 ? 文件名、語句、等式的長度不能超過 256字符 ? 不區(qū)分大小寫 (4)節(jié)點命名規(guī)則 ? 可以是 字母 或 數(shù)字 (如 VIN1， 12等 ) ? 0節(jié)點 總是 地 ? 節(jié)點數(shù)字后的字母可被忽略 (如 5A=5B=5) ? 節(jié)點均為本地 ? 可以使用 .GLOBAL聲明全局節(jié)點 (例 .GLOBAL VDD VSS) (5)網(wǎng)表中的單位及比例因子 ? 單位可以省略 ? 比例因子不可省略 內(nèi)容 ? HSPICE概述 ? HSPICE網(wǎng)表 ? Model amp。 Sub circuits ? Component ? Source ? Control ? 實訓(xùn) (1)Model簡介 ? Model主要內(nèi)容為元件參數(shù) ? 語法規(guī)則 – .MODEL 模型名 PMOS LEVEL=val parameters – .MODEL 模型名 NMOS LEVEL=val parameters – LEVEL=1常用于數(shù)字電路，精度低、速度快 – LEVEL=2考慮了襯底電荷對電流的影響 – LEVEL=13,39,49用于模擬電路，精度高、速度慢 (2)元件參數(shù)說明 ? 模擬電路仿真前的手工估算 – VT0（零偏置閾值電壓） – KP（傳輸電導(dǎo)參數(shù)） – GAMMA（體閾值參數(shù)） – LAMBDA（溝道長度調(diào)制參數(shù)） – CGS0/CGD0/CGB0（ GSGDGB覆蓋電容） – CJ（零偏置結(jié)電容） – TOX（ 氧化層厚度 ） ?? PHI（ 表面勢 ） ?? NSUB（ 襯底摻雜 ） ?? NSS（等效表面電荷） – NFS（快速表面態(tài)效應(yīng)） U0（表面遷移率） CSMC CMOS (3)Subckt簡介 ? 子電路是以 .SUBCKT 開頭，以 .ENDS 結(jié)束的一組語句 ? 子電路中 可嵌套 其它子電路 ? 語法規(guī)則 – 定義 – 調(diào)用 (4)子電路應(yīng)用實例 內(nèi)容 ? HSPICE概述 ? HSPICE網(wǎng)表 ? Model amp。 Sub circuits ? Component ? Source ? Control ? 實訓(xùn) (1)元件描述 ? C Capacitor ? D Diode ? L Inductor ? M MOSFET ? Q BJT ? R Resistor ? X Subcircuit Call (2)語法示例 CBEQ 1 0 0 C B E m o d A R E A A R E A
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