半導(dǎo)體習(xí)題和解答-文庫吧資料
2025-03-30 23:10本頁面
【正文】 半導(dǎo)體的電子親和勢。6什么是少數(shù)載流子注入效應(yīng)？6某Shottky二極管，1016cm3，加上4V的正向電壓時(shí)，試求勢壘的寬度為多少？6試根據(jù)能帶圖定性分析金屬n型半導(dǎo)體形成良好歐姆接觸的原因。6分別分析n型和p型半導(dǎo)體形成阻擋層和反阻擋層的條件。第六篇金屬和半導(dǎo)體接觸習(xí)題6什么是功函數(shù)？哪些因數(shù)影響了半導(dǎo)體的功函數(shù)？什么是接觸勢差？6什么是Schottky勢壘？影響其勢壘高度的因數(shù)有哪些？6什么是歐姆接觸？形成歐姆接觸的方法有幾種？試根據(jù)能帶圖分別加以分析。所以 本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長。5解： 答：╳105A/m2。5解：光照前光照后 Δp=Gτ=（41021）（8106）=1017 cm3則答：。此外，最有效的復(fù)合中心在禁帶中央，而最有效的陷阱能級(jí)在費(fèi)米能級(jí)附近。 得證。 得證。在小注入條件下，τ為常數(shù)，解方程（1），得到式中，Δp（0）為t=0時(shí)刻的非平衡載流子濃度。 平均自由時(shí)間是載流子連續(xù)兩次散射平均所需的自由時(shí)間，非平衡載流子的壽命是指非平衡載流子的平均生存時(shí)間。而擴(kuò)散長度則是非平衡載流子深入樣品的平均距離。而非簡并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)則通過愛因斯坦關(guān)系相聯(lián)系，二者的比值與溫度成反比關(guān)系。前者的推動(dòng)力是外電場，后者的推動(dòng)力則是載流子的分布引起的。在非平衡狀態(tài)下，額外的產(chǎn)生、復(fù)合效應(yīng)會(huì)在宏觀現(xiàn)象中體現(xiàn)出來。通常所指的非平衡載流子是指非平衡少子。51試證明在小信號(hào)條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長。5假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4181。試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。5間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？5光均勻照射在6的n型Si樣品上，電子空穴對(duì)的產(chǎn)生率為41021cm3s1，樣品壽命為8181。第五篇 非平衡載流子習(xí)題5何謂非平衡載流子？非平衡狀態(tài)與平衡狀態(tài)的差異何在？5漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)有什么不同？5漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)之間有什么聯(lián)系？非簡并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)之間有什么聯(lián)系？5平均自由程與擴(kuò)散長度有何不同？平均自由時(shí)間與非平衡載流子的壽命又有何不同？5證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。4證明： 得證。這時(shí)本征激發(fā)越來越多，雖然遷移率隨溫度升高而降低，但是本征載流子增加很快，其影響大大超過了遷移率降低對(duì)電阻率的影響，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。對(duì)散射起主要作用的是晶格散射，遷移率隨溫度升高而降低，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而升高。 溫度進(jìn)一步增加（含室溫），電阻率隨溫度升高而升高。（2） （2） 溫度很低時(shí)，電阻率隨溫度升高而降低。4解：Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系可以分為三個(gè)階段：（1） （1）4解：遷移率是單位電場強(qiáng)度下載流子所獲得的漂移速率。（，）題解：4解：對(duì)于重?fù)诫s半導(dǎo)體，在低溫時(shí)，雜質(zhì)散射起主體作用，而晶格振動(dòng)散射與一般摻雜半導(dǎo)體的相比較，影響并不大，所以這時(shí)侯隨著溫度的升高，重?fù)诫s半導(dǎo)體的遷移率反而增加；溫度繼續(xù)增加后，晶格振動(dòng)散射起主導(dǎo)作用，導(dǎo)致遷移率下降。p，且電子濃度，空穴濃度時(shí)半導(dǎo)體的電導(dǎo)率有最小值，并推導(dǎo)的表達(dá)式。4證明當(dāng)181。4對(duì)于重?fù)诫s半導(dǎo)體和一般摻雜半導(dǎo)體，為何前者的遷移率隨溫度的變化趨勢不同？試加以定性分析。3解：在300K時(shí)，因?yàn)镹D10ni，因此雜質(zhì)全電離n0=ND≈1016cm3答： 103cm3。3解：由于雜質(zhì)基本全電離，雜質(zhì)補(bǔ)償之后，有效施主濃度則300K時(shí)，電子濃度 空穴濃度 費(fèi)米能級(jí)為： 在400K時(shí)，根據(jù)電中性條件 和 得到：費(fèi)米能級(jí)為：答： ，；400 。答：,；,。由公式可知，這時(shí)兩式中的指數(shù)項(xiàng)將因此而增加，從而導(dǎo)致載流子濃度增加。由公式：也可知道，溫度不變而減少本征材料的禁帶寬度，上式中的指數(shù)項(xiàng)將因此而增加，從而使得載流子濃度因此而增加。顯然 nn ni即得證。31016cm3，試計(jì)算300K時(shí)的電子濃度和
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