集成電路中的元器件及其寄生效應(yīng)教學(xué)課件ppt-文庫吧資料
2025-01-25 09:10本頁面
【正文】 向 PNP管 結(jié)構(gòu)簡單，面積小 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 32 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 常用在比例電流源電路中 C1 C2 C3 C1 C2 B B E E 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 33 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 多集電極結(jié)構(gòu)的應(yīng)用 B E C C B E (Co) IBO IB ICO IC IC IB β = = IC IBO+ICO ≈ IC ICO = AC ACO 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 34 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 基極等電位的橫向 PNP管共用一個隔離區(qū) 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 35 橫向 PNP管常用圖形 橫向 PNP管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 36 習(xí)題 PNP晶體管的平面圖（版圖）和剖面圖，并說明埋層的作用。 22 超增益晶體管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 22 思考題 β 值的途徑有哪些？ BC結(jié)的偏壓為什么要限制在 0伏左右？ ？為什么？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 23 提高 NPN管 β 值的途徑 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B ① 提高發(fā)射區(qū)濃度（注意： 重 摻雜理論） ② 降低基區(qū)濃度（同時采用高阻外延） ③ 減薄基區(qū)寬度 （加深發(fā)射結(jié)深度或 減小集電結(jié)的深度） ④ 選擇高壽命材料 , 改善表面態(tài) + P 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 24 擴(kuò)散穿通型超增益管 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B N+ N+ 普通 NPN管 超增益 NPN管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 25 擴(kuò)散穿通型超增益管 N–epi P+ P N+ N+ C E B PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B 普通 NPN管 超增益 NPN管 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 26 擴(kuò)散穿通型超增益管 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B P N+ N+ ① 采用圓形發(fā)射區(qū) （周界短 ,受表面態(tài)影響?。? ② 應(yīng)用時 BC結(jié)偏置限制在 0V左右（減小基區(qū)寬度調(diào)制的影響） 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 27 167。 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 8 集成 NPN晶體管的有源寄生效應(yīng) （ 3）減小 有源寄生效應(yīng)的措施 PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ C E B 增加 n+埋層 ① 加大了寄生 PNP晶體管的基區(qū)寬度 ② 形成了寄生 PNP晶體管基區(qū)減速場 E(N+) B(P) C(N) NPN S(P) PNP 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 9 多結(jié)晶體管 EM模型 （ 1） 定義及結(jié)電流 E B C S N+ P N P IE IB IS IC I1 I2 I3 VBE VBC VSC 端電流的定義 結(jié)電流的定義 結(jié)電壓的定義 I1 I2 I3 = 1 A 0 B 1 C 0 D 1 IES (eVBE/VT1) ICS (eVBC/VT1) ISS (eVSC/VT1) A= I1 I2 VBE=0 VSC=0 = ?R B= I2 I1 VBC=0 VSC=0 = ?F C= I2 I3 VBE=0 VBC=0 = ?SR D= I3 I2 VBE=0 VSC=0 = ?SF 1 ?R 0?F 1 ?SR 0 ?SF 1微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 10 多結(jié)晶體管 EM模型 （ 2） 直流模型表達(dá)式 E B C S N+ P N P IE IB IS IC I1 I2 I3 VBE VBC VSC I1 I2 I3 IE IB IC IS = 1 0 0 1 1 0 0 1 1 0 0 1 = 1 ?R 0 1?F 1?R ?SR ?F (1?SF) (1?SR) 0 ?SF 1 IES (e
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