【正文】 28 電容器 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 69 思考題 ？各自的特點是什么？ ？ ？ 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 70 PN結電容 N–epi P+ P+ P N+ B A PSub N+ Cj Cjs B A GND Rb Rcs P+ P+ P+ N+ B A PSub N+ Cj1 Cjs B A GND Rb Rcs Cj2 Re 應考慮： 電容容量 聯(lián)電阻 及電壓極性 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 71 MOS電容 N–epi P+ P+ N+ PSub B A B A CMOS CJS DSC B A CMOS CD PSub B A n+ 反型層或埋 n+ NMOS,PMOS CMOS= ?sio2 ?o tox A 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 72 167。 MOS管影響的措施。 VDD GND Vo Vi RS Vi PSub N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N阱 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 66 寄生可控硅 —閂 鎖效應 2. 消除閂鎖效應措施 —工藝、測試、應用 （ 1） 增加阱的結深 （ 2） 采用外延襯底 （ 3） 采用外延襯底時，同時可采用埋層方法，增加阱的結深，型層減速場。 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 64 寄生可控硅 —閂 鎖效應 2. 消除閂鎖效應措施 —版圖設計 RS RW IRS IRW VDD GND VO N P VO （ 1） 減小 RS和 RW ： 均勻且充分設計阱和襯底的電源和地的歐姆接觸，并用金屬線連接，必要時采用環(huán)結構。 26肖特基二極管及肖特基晶體管 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 54 思考題 ？ ？ 意什么？ 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 55 肖特基二極管（ SDB） 特點： 應減小串聯(lián)電阻 多子器件 應減小邊緣電場 （ P型環(huán)、覆蓋電極） PSub N–epi P+ P+ N+ A B A B p p 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 56 肖特基晶體管抗飽和原理 1. npn管正向有源或截止時， SBD截止 IB IC ISBD Ib Ic PSub N–epi P+ P+ P N+ N+ E B C 2. npn管反向有源或飽和時， SBD導通，對IB分流， VBC被箝位 β IB S = IC β (IBISBD） S’= IC +ISBD β Ib Ic = 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 57 肖特基晶體管常用圖形示意 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 58 167。 24 襯底 PNP管 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 38 思考題 PNP管為什么不能加 n+埋層？ PNP管的應用有什么局限性？ PNP管的基區(qū)表面要覆蓋大面積的 n+擴散？ 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 39 襯底 PNP管的結構和特性 1. 縱向結構 (集電極 )電位固定 (最低電位 ) n+ 埋層 最好增加 p+埋層 (外延層 )上最好覆 蓋 n+擴散層 PSub N–epi P+ P+ P E C B N+ 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 40 襯底 PNP管的常用圖形 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 41 167。 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 30 橫向 PNP管的電學特性 E C B β 低，改善措施： ① 降低 ?e/?b ② 降低 AEV/AEL ③ 設 n+埋層 ④ 改善表面態(tài) ⑤ 減小 WbL， 加大 Wbv *β 大電流特性差 ，由 ce穿通電壓決定，突變結近似： VPT=qNBWbL2/2?o?si 3. 特征頻率低 (受 WbL和寄生 PNP影響 ) 微電子中心 HMEC 集成電路設計原理 2022年 7月 來逢昌 HIT MicroElectronics Center 31 橫向 PNP管常用圖形 橫