集成電路中的元器件及其寄生效應(yīng)教學(xué)課件ppt-資料下載頁(yè)
2025-01-19 09:10本頁(yè)面
【正文】 分設(shè)計(jì)阱和襯底的電源和地的歐姆接觸，并用金屬線連接，必要時(shí)采用環(huán)結(jié)構(gòu)。 VDD GND Vo Vi PSub N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW RS 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 65 寄生可控硅 —閂 鎖效應(yīng) 2. 消除閂鎖效應(yīng)措施 —版圖設(shè)計(jì) RS RW IRS IRW VDD GND VO N P VO （ 2） 減小 β npn和 β pnp ： 加大MOS管源漏區(qū)距阱邊界的距離，必要時(shí)采用偽收集極結(jié)構(gòu)。 VDD GND Vo Vi RS Vi PSub N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N阱 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 66 寄生可控硅 —閂 鎖效應(yīng) 2. 消除閂鎖效應(yīng)措施 —工藝、測(cè)試、應(yīng)用 （ 1） 增加阱的結(jié)深 （ 2） 采用外延襯底 （ 3） 采用外延襯底時(shí)，同時(shí)可采用埋層方法，增加阱的結(jié)深，型層減速場(chǎng)。 （ 4） 電源退耦，穩(wěn)定電源 （ 5） 輸入信號(hào)不能過(guò)高 （ 6） 負(fù)載電容不易過(guò)大 （ 7） 電源限流 VDD GND Vo Vi RS Vi PSub N阱 p+ p+ p+ n+ n+ n+ RW n+ p+ n+ N阱 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 67 習(xí)題 CMOS集成電路中的閂鎖效應(yīng)和抗閂鎖措施。 MOS管影響的措施。 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 68 167。 28 電容器 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 69 思考題 ？各自的特點(diǎn)是什么？ ？ ？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 70 PN結(jié)電容 N–epi P+ P+ P N+ B A PSub N+ Cj Cjs B A GND Rb Rcs P+ P+ P+ N+ B A PSub N+ Cj1 Cjs B A GND Rb Rcs Cj2 Re 應(yīng)考慮： 電容容量 聯(lián)電阻 及電壓極性 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 71 MOS電容 N–epi P+ P+ N+ PSub B A B A CMOS CJS DSC B A CMOS CD PSub B A n+ 反型層或埋 n+ NMOS,PMOS CMOS= ?sio2 ?o tox A 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 72 167。 29 電阻器 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 73 思考題 ？各自的特點(diǎn)是什么？ ？ ？ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 74 基區(qū)硼擴(kuò)散電阻 L L L L1 L2 L5 L7 L4 L3 L6 W W W W N–epi P+ P+ P N+ PSub N+ B A VDD A B VDD CJC CJS R = R□ Weff i=1 ∑Li n [ + 2k1 + ( n 1 ) k2 ] Weff = W +2mXj 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 75 N+ N–epi P+ P+ P N+ PSub N+ B A VDD P+ P+ P N+ N+ PSub N–epi 阻值大 面積小 精度低 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 76 外延層電阻 N–epi P+ PSub N–epi P+ P+ P N+ B A N+ N+ B A N+ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 77 離子注入電阻 N–epi P+ P+ P N+ PSub N+ B A VDD P 一般用來(lái)制作精度高的大阻值電阻 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 78 發(fā)射區(qū)磷擴(kuò)散電阻 一般用來(lái)制作磷橋或小電阻 N+ N+ N–epi P+ PSub N–epi P+ P+ P B A B A N+ 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 79 薄膜電阻 一般用來(lái)制作精確電阻（激光調(diào)阻） 微電子中心 HMEC 集成電路設(shè)計(jì)原理 2022年 7月 來(lái)逢昌 HIT MicroElectronics Center 80 MOS電路中常用的其它電阻 常規(guī)多晶電阻，高阻多晶電阻， N+ （或 P+ ）有源區(qū)電阻， N阱（或 P阱）電阻， 導(dǎo)通 MOS管電阻 柵極應(yīng)接相應(yīng)電位， 使 MOS管導(dǎo)通
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