【正文】 ?？偨Y(jié)復習本章（次）學時數(shù)：6學時主要內(nèi)容：各章知識點重點：各章知識點難點：各章知識點講授方式方法及要求：板書。要求學生了解直流穩(wěn)壓電路的特征。要求學生了解振蕩電路的振蕩條件和振蕩的頻率特性。要求學生了解功率放大電路的特點，能夠預見功率放大電路中常見的問題。要求學生能夠掌握基本運算電路的性能及應用。要求學生能夠理解反饋的概念并判斷反饋的種類，并能分析反饋對放大電路性能的影響。要求學生掌握長尾式差動放大電路的分析方法和作用。要求學生掌握放大電路的分析方法。重點：PN結(jié)，二極管、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特性難點：二極管、三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)講授方式方法及要求：采用多媒體課件教學，板書為輔，實物觀察要求學生能夠理解半導體器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理，掌握二極管三極管等半導體器件的特性及作用。關(guān)于講課方式方法，主要包括：傳統(tǒng)教學、多媒體電子課件教學，其中某節(jié)采用討論式、現(xiàn)場教學、或是放錄像、放錄音，聽力訓練、習題課等。要求：教案作為教學實施文件，應在充分備課的基礎上對教學目的、主要內(nèi)容、重點、難點、學時分配及教學方式方法做出具體設計。教案也是具體授課的計劃，是實施教學過程的演義方案。預祝大家考出好成績。認真復習，一定要掌握基本概念和基本分析方法。第十章 直流電源直流穩(wěn)壓電源原理框圖及波形圖，各組成部分和功能兩種不同的整流電路（半波整流和橋式整流）的工作原理、參數(shù)的計算和二 極管的選擇；線性串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的工作原理及計算；集成穩(wěn)壓電路 78的輸出和應用（重點是電壓擴展應用）。第八章 集成運算放大電路信號的線性應用集成運放的應用分類：線性應用和非線性應用；集成運放應用電路的分析方法；（線性應用和非線性應用）；基本運算電路：比例，加減、積分運算電路。第六章 放大電路的頻率響應（基本概念）放大電路頻率響應的基本概念；單管共射放大電路的頻率響應；（參考課后作業(yè)和課件內(nèi)容）第七章 放大電路中的反饋（會看，會判，會算，會連）什么是反饋；會看：有無反饋，直流還是交流，正反饋還是負反饋；會判：四種基本組態(tài)；（交流負反饋才需要判斷組態(tài)）；負反饋在放大電路中的重要作用和性質(zhì)；負反饋對放大電路性能的影響；會算：深度負反饋條件下的計算會算，深度負反饋的特點，反饋量等于輸入 量，凈輸入量近似為零。集成運放的基本組成（基本概念）。第四章 多級放大電路和集成運算放大電路多級放大電路的幾種耦合方式和優(yōu)缺點；（基本概念）多級阻容耦合放大電路的分析方法（如果共集電路作為輸出級和輸入級，解算輸入電阻和輸出電阻會比較難）；差動放大電路的組成和抑制溫漂的原理；雙入雙出差動放大電路靜態(tài)和動態(tài)電路分析（半電路法），共模抑制比的概念。第四篇：模擬電子技術(shù)基礎B總結(jié)第一章 半導體基礎和二極管（以概念為主）半導體的基本概念；二極管的基本特性：單向?qū)щ娦?、伏安特性、反向擊穿特性；穩(wěn)壓管的伏安特性；二極管和穩(wěn)壓管的主要參數(shù)；第二章 雙極型晶體三極管和基本放大電路（重點）雙極型晶體管工作在放大狀態(tài)的外部條件；（內(nèi)部載流子的運動不要求）雙極型晶體管輸入輸出特性曲線（三個不同的工作區(qū)及特點）放大的概念，放大電路工作在放大狀態(tài)需要滿足的條件；放大電路的分析方法：先直流后交流，先靜態(tài)后動態(tài)，區(qū)分直流通路和交流通路；靜態(tài)工作點的位置對輸出波形的影響；晶體管的低頻等效小信號模型及微變等效電路；（不要求推導）三種基本放大電路（共射、共集、共基）的特點（交流參數(shù)）和求解，包括 靜態(tài)工作點和動態(tài)參數(shù)的求解（共集電路相對比較難）。(2)LC振蕩器振蕩頻率較高,1M以上。(4)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)使波形幅值穩(wěn)定，且波形的形狀良好。(2)正反饋網(wǎng)絡與放大電路共同滿足振蕩條件。 、輸出電阻*串聯(lián)負反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *電流負反饋使輸出電阻增加1+AF倍 附加相移將負反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。Xid 減小為負反饋；Xid 增大為正反饋。（3）確定反饋信號的極性。反饋信號反饋到非輸入端）：（1）假定某輸入信號在某瞬時的極性為正（用+表示），并設信號 的頻率在中頻段。反饋信號反饋到輸入端）串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓的形式相疊加。（輸出短路時反饋不消失）：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電流形式相疊加。（輸出短路時反饋消失）電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。二．反饋的形式和判斷。4．當ＡＦ＝－１時，Ａｆ→∞。2．當ＡＦ＝０時，表明反饋效果為零。Re對溫度漂移及各種共模信號有強烈的抑制作用，被稱為“共模反饋電阻”。，為各級提供合適的靜態(tài)電流。β 2第六章 集成運算放大電路，以減小零漂。 甲乙類單電源互補對稱功率放大器OTL電容 C2 上靜態(tài)電壓為VCC/2，并且取代了OCL功放中的負電源VCC。動態(tài)指標按乙類狀態(tài)估算。216。 盡限狀態(tài)：Uom=VCCUCES 216。 216。ICQ≈0，導通角為180o，效率高，失真大。轉(zhuǎn)移特性曲線上iD=0處的值是夾斷電壓UP，此曲線表示式與結(jié)型場效應管一致。結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號*NEMOS的輸出特性曲線* NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時所對應的iD值。* 輸入電阻高，輸出電阻低。 （1）靜態(tài)工作點的近似估算（2）Q點在放大區(qū)的條件欲使Q點不進入飽和區(qū)，應滿足RB＞βRc。*當（UCEQ－UCES）＜（VCC’ － UCEQ）時，受飽和失真限制，UOPP=2UOMAX=2（UCEQ－UCES）。（1）Uopp是指放大器最大不失真輸出電壓的峰峰值。（2）飽和失真*產(chǎn)生原因Q點設置過高*失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。（1）截止失真*產(chǎn)生原因Q點設置過低*失真現(xiàn)象NPN管削頂，PNP管削底。*作用分析信號被放大的過程。3）改變VCC：直流負載線平移，Q點發(fā)生移動。*電路參數(shù)對靜態(tài)工作點的影響1）改變Rb ：Q點將沿直流負載線上下移動。*畫法電容視為開路。、不失真、能傳輸。溫度升高ICBO、ICEO、IC以及β均增加。截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。*輸入特性曲線同二極管。，且摻雜濃度最低；發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高，與基區(qū)接觸面積較小；集電區(qū)摻雜濃度較高，與基區(qū)接觸面積較大。 微變等效電路法*穩(wěn)壓二極管的特性正常工作時處在PN結(jié)的反向擊穿區(qū)，所以穩(wěn)壓二極管在電路中要反向連接。直流等效電路法*總的解題手段將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽 V陰(正偏)，二極管導通(短路)。若 V陽 該式與伏安特性曲線 的交點叫靜態(tài)工作點Q。*。*二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。* PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?，反偏截止?轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導體。*載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。*P型半導體: 在本征半導體中摻入微量的三價元素（多子是空穴，少子是電子）。、負電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。、熱敏和摻雜特性。(3)石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。*正弦波振蕩器的分類(1)RC振蕩器振蕩頻率較低,1M以下。(3)選頻網(wǎng)絡以選擇某一頻率進行振蕩。若表示為幅值和相位的條件則為：第八章信號的運算與處理分析依據(jù)“虛斷”和“虛短”R2=R1//RfR2=R1//RfR4=R1//R2//R3//RfR1//R2//R3//R4=Rf//R5R1//R2//Rf=R3//R4//R5第九章信號發(fā)生電路(人為的直接引入正反