【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子
2025-06-26 22:28
【摘要】_知識點(diǎn)總結(jié)模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。4.兩種載流子----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。
2024-11-08 01:07
【摘要】模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管(如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。。----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。*P型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價元素(多子是空穴,少子是電子)。*N型半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價元素(多子是電子,少子是空穴)。
2025-06-27 01:03
【摘要】第一篇:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)_知識點(diǎn)總結(jié) 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章半導(dǎo)體二極管 (如硅Si、鍺Ge)。、熱敏和摻雜特性。 。 、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。。體現(xiàn)的是半導(dǎo)...
2024-11-13 19:11
【摘要】1模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié)第一章半導(dǎo)體二極管一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識---導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。---光敏、熱敏和摻雜特性。----純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。----帶有正、負(fù)電荷的可移動的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。----在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)
2024-11-08 05:51
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》重要知識點(diǎn)匯總一、主要知識點(diǎn)總結(jié)和要求1.?dāng)?shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進(jìn)制、2進(jìn)制、8進(jìn)制、16進(jìn)制、8421BCD、格雷碼之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421BCD2.邏輯門電路:(1)基
2025-04-20 01:43
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)知識點(diǎn)《數(shù)字電子技術(shù)》重要知識點(diǎn)匯總一、主要知識點(diǎn)總結(jié)和要求1.?dāng)?shù)制、編碼其及轉(zhuǎn)換:要求:能熟練在10進(jìn)制、2進(jìn)制、8進(jìn)制、16進(jìn)制、8421BCD、格雷碼之間進(jìn)行相互轉(zhuǎn)換。舉例1:()10=()2=()16=()8421BCD解:()10=()2=()16=()8421B
2025-06-08 21:21
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計算題五、設(shè)計題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-08-16 08:50
【摘要】云南民族大學(xué)教案課程名稱:模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)授課班級:12級電子信息類1班、12級電子信息類2班、12級網(wǎng)絡(luò)工程班、12級電氣類1班、12級電氣類2班任課教師:王 霞職稱:助 教
2024-08-16 08:30
【摘要】專業(yè)班號姓名學(xué)號題號一二三四五六七總分得分一、選擇填空(每空2分共24分)1.非線性失真與線性失真(頻率失真)的最主要差別是________。(A)非線性失真使信號波形中任一點(diǎn)的幅值沒有得到
2025-03-28 04:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》主編:黃瑞祥副主編:周選昌、查麗斌、鄭利君楊慧梅、肖鐸、趙勝穎目錄緒論第1章集成運(yùn)算放大器理想運(yùn)算放大器的功能與特性理想運(yùn)算放大器的電路符號與端口理想運(yùn)算放大器的功能與特性運(yùn)算放大器的反相輸入分析閉環(huán)增益輸入、輸出阻抗有限開環(huán)增益的影響加權(quán)加法器運(yùn)算放大器的同
2025-06-28 22:30
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-16 07:58
【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號的表達(dá)式(設(shè)初始相角為零):(1)峰-峰值10V,頻率10kHz;(2)有效值220V,頻率50Hz;(3)峰-峰值100mV,周期1ms;(4)V,角頻率1000rad/s;解:正
2024-08-16 09:23
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-27 23:33