【摘要】第三部分習題與解答習題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當PN結(jié)外加正向電壓時,擴散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-16 07:58
【摘要】第一章半導體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-27 23:33
【摘要】第1章習題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當E時,=E,當E時,。(c)圖:當E時,。(d)圖:當E時,;當E時,。畫出波形如圖所示。.有兩個穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-07-01 21:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題答案本文由cluo95貢獻pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機查看。第1章習題及答案.在圖題所示的各電路圖中E=5V,ui?10sin?tV,二極管的正向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓uo的波形。+
2024-11-01 08:14
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導體中如果摻入足夠量的三價元素,可將其改型為P型半導體。()(2)因為N型半導體的多子是自由電子,所以它帶負電。()
2024-10-29 11:36
【摘要】精編資料《電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題答案(模擬部分)半導體二極管半導體三極管放大電路基礎(chǔ)負反饋放大電路與基本運算電路線性集成電路的應(yīng)用集成模擬乘法器及其應(yīng)用...技術(shù)基礎(chǔ)肌副屑逃敏酒眾命螺弓嚇狄姨蹦廠樊些竭下住匯什澗犁臺玻京傣逾祭箍氯潭球活帆啥雪貼縫布恕隘箱灼烯廁嘻悍矛掠麥欲凱耿幅南機傷澇餾玉暴餅賣淹婁窖徐搐無命桂普卷檢續(xù)速授鴦鄖柿蜂錳墮叼腳詳況沙南
2024-11-08 03:58
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1=uI2,則輸出電壓,uO=0;若uI1=100mV,uI2
2025-06-27 23:32
【摘要】1模擬試題一一、選擇填空(每空1分,共20分)1.純凈的半導體叫()。摻入3價雜質(zhì)元素形成的半導體叫(),它主要靠導電()。A.空穴B.本征半導體C.P型半導體D.自由電子2.PN結(jié)正偏時,多子的()運動較強,PN結(jié)變薄,結(jié)電阻較()。A.擴散B.漂移C.小D.大3.三極管有()和()兩
2024-10-25 19:42
【摘要】1、工作在放大區(qū)的某三極管,如果當IB從12μA增大到22μA時,IC從1mA變?yōu)?mA,那么它的β約為?!尽緼.83B.91C.1002、已知圖所示電路中VCC=12V,RC=3kΩ,靜態(tài)管壓降UCEQ=6V;并在輸出端加負載電阻RL,其阻值為3kΩ。選擇一個合適的答案填入空內(nèi)。(1)該電路的
2025-07-01 20:13
2025-06-26 22:35
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及答案一、填空(18分)1.二極管最主要的特性是單向?qū)щ娦浴?.如果變壓器二次(即副邊)電壓的有效值為10V,橋式整流后(不濾波)的輸出電壓為9V,經(jīng)過電容濾波后為12V,二極管所承受的最大反向電壓為14V。3.差分放大電路,若兩個輸入信號uI1uI2,則輸出電壓,uO0;
2024-10-22 15:23
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷一.選擇題:1.若要使基本放大器不失真的放大交流信號,三極管必須工作在______狀態(tài)。A.飽和B.截止C.放大2.對功率放大電路的基本要求是在不失真的情況下得到盡可能大的______。A.輸出交流電壓B.輸出交流功率C.輸出交流電流3.要展寬放大
2025-06-03 18:04
【摘要】第1章半導體二極管及其基本應(yīng)用1.1填空題1.半導體中有空穴和自由電子兩種載流子參與導電。2.本征半導體中,若摻入微量的五價元素,則形成N型半導體,其多數(shù)載流子是電子;若摻入微量的三價元素,則形成P型半導體,其多數(shù)載流子是空穴。3.PN結(jié)在正偏時導通反偏時截止,這種特性稱為單向?qū)щ娦浴?.當溫度升高時,二極
2025-06-26 22:43
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習題及參考答案一、填空題:1.半導體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導電。2.半導體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-10-30 10:24
【摘要】試卷一答案一、單項選擇題(每空2分,共20分)1、(C)2、(B)3、(D)4、(D)5、(A)6、(D)7、(D)8、(A)9、(C)10、(C)二、填空題(每空1分,共30分)1、互阻放大、互導放大2、摻雜、光照3、Au≤1(或放大倍數(shù)小于等于1,輸出電壓
2024-11-13 11:44