【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題:1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流,它由少數(shù)載流子形成,其大小決定于溫度,而與外電場無關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位,N型側(cè)接低電位稱為正向偏置(正偏),反之稱為反向偏置(反偏)。4.PN
2024-10-30 10:24
【摘要】第1章習(xí)題及答案.=5V,V,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫出輸出電壓的波形。解:(a)圖:當(dāng)E時(shí),=E,當(dāng)E時(shí),。(c)圖:當(dāng)E時(shí),。(d)圖:當(dāng)E時(shí),;當(dāng)E時(shí),。畫出波形如圖所示。.有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2,,。,3V
2025-07-01 21:55
【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案本文由cluo95貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT,或下載源文件到本機(jī)查看。第1章習(xí)題及答案.在圖題所示的各電路圖中E=5V,ui?10sin?tV,二極管的正向壓降可忽略不計(jì),試分別畫出輸出電壓uo的波形。+
2024-11-01 08:14
【摘要】試卷五(本科)及其參考答案試卷五一、填空和選擇題(每小題2分共16分)1.半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是。(A)溫度穩(wěn)定性(B)單向?qū)щ娦裕–)放大作用(D)濾波特性2.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中,如靜態(tài)工作點(diǎn)過高,容易產(chǎn)生失真。(A)截止
2024-11-10 09:03
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)試卷及參考答案試卷二(本科)及其參考答案試卷二一、選擇題(這是四選一選擇題,選擇一個(gè)正確的答案填在括號內(nèi))(共22分)1.某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓4V,接入?k12的負(fù)載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為()a.10?kb.2?kc.4?k
2024-11-13 15:02
【摘要】第1頁共69頁答案參見我的新浪博客:第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確,用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。(1)在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素,可將其改型為P型半導(dǎo)體。()(2)因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。()
2024-10-29 11:36
【摘要】精編資料《電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案(模擬部分)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管放大電路基礎(chǔ)負(fù)反饋放大電路與基本運(yùn)算電路線性集成電路的應(yīng)用集成模擬乘法器及其應(yīng)用...技術(shù)基礎(chǔ)肌副屑逃敏酒眾命螺弓嚇狄姨蹦廠樊些竭下住匯什澗犁臺玻京傣逾祭箍氯潭球活帆啥雪貼縫布恕隘箱灼烯廁嘻悍矛掠麥欲凱耿幅南機(jī)傷澇餾玉暴餅賣淹婁窖徐搐無命桂普卷檢續(xù)速授鴦鄖柿蜂錳墮叼腳詳況沙南
2024-11-08 03:58
2025-06-26 22:35
【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)一、填空題1)根據(jù)導(dǎo)電能力來衡量,自然界的物質(zhì)可以分為(絕緣體)、(導(dǎo)體)和(半導(dǎo)體)三類。2)P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是(空穴),少數(shù)載流子是(電子);
2024-08-16 08:50
【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)》復(fù)習(xí)題參考答案一、選擇題1.在數(shù)字電路中,用“1”表示高電平,用“0”表示低電平,稱為(C);(A)譯碼(B)編碼(C)正邏輯(D)負(fù)邏輯2.AB(A+BC)化成最簡式是(D)A、AB、BC、A+BD、
2025-06-25 17:14
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)A第1次作業(yè)本次作業(yè)是本門課程本學(xué)期的第1次作業(yè),注釋如下:一、單項(xiàng)選擇題(只有一個(gè)選項(xiàng)正確,共10道小題)1.N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子,因此它應(yīng)()。??(A)?帶負(fù)電??(B)?帶正電??(C)?不
2025-07-01 21:29
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí),擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí),擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2024-08-16 07:58
【摘要】第一章半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識自測題一、(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)×二、(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、UO1≈UO2=0UO3≈-UO4≈2VUO5≈UO6≈-2V四、UO1=6VUO2=5V五、根據(jù)PCM=200mW可得:UCE=40
2025-06-27 23:33
【摘要】模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第三章雙極型晶體管及其放大電路第四章場效應(yīng)晶體管及其基本放大電路第五章集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用第六章負(fù)反饋放大電路第七章功率放大電路第九章波形發(fā)生和變換電路第八章有源濾波器第一章電子系統(tǒng)基礎(chǔ)知識第二章半導(dǎo)體二極管及其應(yīng)用電路第十章直流穩(wěn)壓
2025-05-04 06:11
【摘要】壹浙江理工大學(xué)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)期末考試試題參考答案(B)一.2.解:(1)靜態(tài)分析:)(Aμ101mA1V2efcEQCEQEQBQefBEQBQEQCCb2b1b1BQ???????????
2024-10-25 19:42