電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)(參考版)

【摘要】精編資料《電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案(模擬部分)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管放大電路基礎(chǔ)負(fù)反饋放大電路與基本運(yùn)算電路線性集成電路的應(yīng)用集成模擬乘法器及其應(yīng)用...技術(shù)基礎(chǔ)肌副屑逃敏酒眾命螺弓嚇狄姨蹦廠樊些竭下住匯什澗犁臺(tái)玻京傣逾祭箍氯潭球活帆啥雪貼縫布恕隘箱灼烯廁嘻悍矛掠麥欲凱耿幅南機(jī)傷澇餾玉暴餅賣淹婁窖徐搐無(wú)命桂普卷檢續(xù)速授鴦鄖柿蜂錳墮叼腳詳況沙南

2024-11-08 03:58

電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分習(xí)題答案(參考版)

【摘要】第1章習(xí)題及答案．＝5V，V，二極管的正向壓降可忽略不計(jì)，試分別畫出輸出電壓的波形。解：（a）圖：當(dāng)E時(shí)，=E，當(dāng)E時(shí)，。（c）圖：當(dāng)E時(shí)，。（d）圖：當(dāng)E時(shí)，；當(dāng)E時(shí)，。畫出波形如圖所示。．有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2，，。，3V

2025-06-26 22:35

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(參考版)

【摘要】第1章習(xí)題及答案．＝5V，V，二極管的正向壓降可忽略不計(jì)，試分別畫出輸出電壓的波形。解：（a）圖：當(dāng)E時(shí)，=E，當(dāng)E時(shí)，。（c）圖：當(dāng)E時(shí)，。（d）圖：當(dāng)E時(shí)，；當(dāng)E時(shí)，。畫出波形如圖所示。．有兩個(gè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2，，。，3V

2025-07-01 21:55

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題答案本文由cluo95貢獻(xiàn)pdf文檔可能在WAP端瀏覽體驗(yàn)不佳。建議您優(yōu)先選擇TXT，或下載源文件到本機(jī)查看。第1章習(xí)題及答案．在圖題所示的各電路圖中E＝5V，ui?10sin?tV，二極管的正向壓降可忽略不計(jì)，試分別畫出輸出電壓uo的波形。+

2024-11-01 08:14

電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分習(xí)題答案全解2(參考版)

【摘要】（c）解：。，求uo的表達(dá)式。解：：（1）標(biāo)出集成運(yùn)放的同相輸入端和反相輸入端。（2）求出uo的表達(dá)式。解：（1）上面為同相端，下面為反相端（2），試證明證明：設(shè)乘法器的輸出為，則＝對(duì)集成運(yùn)放來(lái)說(shuō)，u+＝u-＝0所以：化簡(jiǎn)可以得到，雙向穩(wěn)壓二極管為理想的，畫出傳輸特性，并

2025-06-30 15:43

電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分(參考版)

【摘要】WORD格式整理電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第1章緒論1、寫出下列正弦電壓信號(hào)的表達(dá)式（設(shè)初始相角為零）：（1）峰-峰值10V，頻率10kHz;（2）有效值220V，頻率50Hz;（3）峰-峰值100mV，周期1ms；（4）V，角頻率1000rad/s;解:正

2024-08-16 09:23

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題及答案(參考版)

【摘要】第1頁(yè)共69頁(yè)答案參見(jiàn)我的新浪博客：第一章常用半導(dǎo)體器件自測(cè)題一、判斷下列說(shuō)法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中如果摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改型為P型半導(dǎo)體。（）（2）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（）

2024-10-29 11:36

電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分)試卷一答案(參考版)

【摘要】試卷一答案一、單項(xiàng)選擇題（每空2分，共20分）1、（C）2、（B）3、（D）4、（D）5、（A）6、（D）7、（D）8、（A）9、（C）10、（C）二、填空題（每空1分，共30分）1、互阻放大、互導(dǎo)放大2、摻雜、光照3、Au≤1（或放大倍數(shù)小于等于1，輸出電壓

2024-11-13 11:44

電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分(第五版)習(xí)題答案(參考版)

【摘要】電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬部分第五版第八章作業(yè)題解答湖呵呵

2024-11-02 07:01

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)》考試題型一、判斷/思考題二、填空/改錯(cuò)題三、分析與選擇題四、計(jì)算題五、設(shè)計(jì)題模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）一、填空題1）根據(jù)導(dǎo)電能力來(lái)衡量，自然界的物質(zhì)可以分為（絕緣體）、（導(dǎo)體）和（半導(dǎo)體）三類。2）P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是（空穴），少數(shù)載流子是（電子）；

2024-08-16 08:50

模擬電子技術(shù)習(xí)題(部分)(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）教材：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第四版）華中理工大學(xué)康華光主編制作：安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通，VAO=－6VB:D截止，VAO=－12VC:D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2導(dǎo)通，VAO=－6V習(xí)題習(xí)題解題的原則：先

2025-01-04 09:16

模擬電子技術(shù)習(xí)題部分(參考版)

【摘要】模擬電子技術(shù)習(xí)題（部分）教材：《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》（第四版）華中理工大學(xué)康華光主編制作：安徽理工大學(xué)電氣工程系黃友銳第二章習(xí)題解答晶體管器件A:D導(dǎo)通，VAO=－6VB:D截止，VAO=－12VC:D1導(dǎo)通，D2截止，VAO=0VD:D1截止，D2導(dǎo)通，VAO=－6V

2024-09-04 21:57

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題參考答案(參考版)

【摘要】《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》習(xí)題及參考答案一、填空題：1.半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電。2.半導(dǎo)體中由漂移形成的電流是反向電流，它由少數(shù)載流子形成，其大小決定于溫度，而與外電場(chǎng)無(wú)關(guān)。3.PN結(jié)的P型側(cè)接高電位，N型側(cè)接低電位稱為正向偏置（正偏），反之稱為反向偏置（反偏）。4.PN

2024-10-30 10:24

電子技術(shù)基礎(chǔ)(模擬部分)試卷二及答案(參考版)

【摘要】試卷二系別學(xué)號(hào)姓名成績(jī)考試課程模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)考試日期2002年１２月１２日題號(hào)一二三四五六七八九總分分?jǐn)?shù)得分核分人閱卷人

2025-06-03 12:20

模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)答案(參考版)

【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測(cè)題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二．

2024-08-16 07:58

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)-文庫(kù)吧

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)-wenkub

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)(已修改)

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)(編輯修改稿)

電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題答案(模擬部分)-wenkub.com